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1. 发明申请

WO2022247570A1 一种异质结太阳电池及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022247570A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/CN2022/089454
申请日：2022-04-27
申请人：中威新能源（成都）有限公司
发明人：张海川 , 袁强 , 石建华 , 孟凡英 , 刘正新 , 程琼 , 周华
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0745 , H01L31/18
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO层包括至少两层TCO薄膜，其中部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度0wt％至5wt％的低掺杂TCO薄膜，部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度8wt％至15wt％的高掺杂TCO薄膜。该异质结太阳电池及其制备方法在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。

2. 发明申请

WO2021190945A1 PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2021190945A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：PCT/EP2021/056160
申请日：2021-03-11
申请人： MEYER BURGER (GERMANY) GMBH
发明人： LACHENAL, Damien
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/1804 , H01L31/202
摘要： The invention relates to interdigitated back contact (IBC) photovoltaic devices and modules that are based on a silicon structured device (1) which comprises: a silicon-based substrate (3), an intrinsic amorphous silicon layer a-Si:H(i) (5) situated on substrate (3) a first patterned silicon layer (2), and a second patterned nano-crystalline silicon layer (4) on the first patterned silicon layer (2). The second patterned layer (4) is of the same type of doping than said first patterned silicon layer (2) The first patterned layer (2) and the second patterned layer (4) form photovoltaic structures (12a, 12g), of which at least one constitutes a fiducial mark (10) having, in a predetermined wavelength range, a different optical reflectivity (R1), than the reflectivity (R0) of the intrinsic amorphous silicon (a-Si:H(i)) layer portions interstices (5a-5f) between said photovoltaic structures (12a, 12g). The invention relates also to a photovoltaic device (1), to photovoltaic modules and to a method of fabrication of said photovoltaic device.

3. 发明申请

WO2019234070A1 METHOD TO OBTAIN A PHOTOVOLTAIC DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019234070A1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：PCT/EP2019/064587
申请日：2019-06-05
申请人： TOTAL SA
发明人： DRAHI, Etienne
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0745
摘要： The invention has for object a method for manufacturing a photovoltaic device (15) having metallic front contacts (17), comprising the steps: • providing a mono- or multicrystalline silicon substrate (1) comprising a predetermined quantity of a dopant and having a front surface (3) and a back surface (5), said dopant comprising either a p-type dopant or a n-type dopant, • forming a silicon oxide layer (9) on the front surface (3) of the substrate (1), • opening the silicon oxide layer (9) to form openings or trenches (11) according to an elongated parallel contact pattern, • depositing a layer of dopant containing silicon (13) on the front surface (3), forming microcrystalline or polycrystalline silicon on top of the openings (11) and amorphous or nanocrystalline silicon on the rest of the front surface (3), • annealing the layer of dopant containing silicon (13), • adding metallic contacts (17) on the elongated parallel contact pattern.

4. 发明申请

WO2019138301A1 GERMANIUM BASED FOCAL PLANE ARRAY FOR THE SHORT INFRARED SPECTRAL REGIME 审中-公开
公开(公告)号：WO2019138301A1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：PCT/IB2019/050030
申请日：2019-01-02
申请人： TRIEYE LTD.
发明人： LEVY, Uriel , BAKAL, Avraham , KAPACH, Omer
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/02 , H01L31/107 , H01L31/06
摘要： Light detecting structures comprising a Si base having a pyramidal shape with a wide incoming light-facing pyramid bottom and a narrower pyramid top and a Ge photodiode formed on the Si pyramid top, wherein the Ge photodiode is operable to detect light in the short wavelength infrared range, and methods for forming such structures. A light detecting structure as above may be repeated spatially and fabricated in the form of a focal plane array of Ge photodetectors on silicon.

5. 发明申请

WO2023071329A1 TOPCon电池及其制备方法和电器设备审中-公开
公开(公告)号：WO2023071329A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/CN2022/107913
申请日：2022-07-26
申请人：通威太阳能(眉山)有限公司
发明人：徐文州 , 陈浩 , 邓明璋 , 何宇 , 周凡 , 刑国强 , 姚骞
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0745
摘要：本申请涉及一种TOPCon电池及其制备方法和电器设备，该制备方法包括如下步骤：在硅片的正面制绒之后，制备PN结；在硅片的背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺杂多晶硅层及氧化硅掩膜层；隧穿氧化层的沉积方式为PEALD，沉积温度为150℃～200℃；掺杂多晶硅层的沉积方式为PECVD，氧化硅掩膜层的厚度为10nm～40nm；去除硅片正面绕镀的氧化硅掩膜层材料和多晶硅层材料，再去除背面的氧化硅掩膜层；分别在PN结上形成正面电极和在掺杂多晶硅层上形成背面电极。

6. 发明申请

WO2022157346A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022157346A1
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：PCT/EP2022/051446
申请日：2022-01-24
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： HOFMANN, Marc , MACK, Sebastian , KAFLE, Bishal , RENTSCH, Jochen , KHAN, Nabeel, Wahab , CLOCHARD, Laurent , DUFFY, Edward
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L21/306
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) mit einem Rückseitenkontakt (9) mit einer Tunnelbarriere (4), enthaltend die folgenden Schritte: Bereitstellen eines einkristallinen Wafers (2) mit einer Vorderseite (21) und einer Rückseite (22), wobei der Wafer (2) Silicium und einen Dotierstoff enthält oder daraus besteht, Herstellen einer Tunnelbarriere (3) auf dem Wafer (2), Abscheiden einer polykristallinen oder amorphen Schicht (4) auf der Tunnelbarriere (3), wobei die polykristalline oder amorphe Schicht (4) Silicium und einen Dotierstoff enthält oder daraus besteht, Entfernen der polykristallinen oder amorphen Schicht (4) auf der Vorderseite (21) durch Gasphasenätzen, wobei das Ätzmittel F2 enthält oder daraus besteht.

7. 发明申请

WO2022113028A1 METHODS AND SYSTEMS FOR INFRARED SENSING 审中-公开
公开(公告)号：WO2022113028A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/IB2021/061033
申请日：2021-11-27
申请人： TRIEYE LTD.
发明人： KATZIR, Eran , ASSAF, Matan , KAPACH, Omer , BAKAL, Avraham , LEVY, Uriel , DANAN, Ariel , MELAMUD, Nadav , SHALIBO, Yoni Prosper , DOBRINSKY, Roni , HILLEL, Hillel , DEKEL, Elior
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0745
摘要： Infrared (IR) photodetecting systems and methods. A system may comprise at least one photosite having a Ge photosensitive area (GPSA) that includes an absorber doped area having a first polarity and a Si layer comprising a first doped area (FDA), a storage well (SW), a floating diffusion (FD) and a transfer gate (TG); a controllable power source (CPS); and a controller, operable to control the CPS and the TG, to concurrently provide at a first time controlled voltages to the GPSA, FDA and FD, thereby forcing charge carriers of a given polarity (CCGP) from the GPSA toward the SW and to provide at another time other voltages to the GPSA, FDA and FD, thereby diminishing the forcing of the CCGP toward the SW and ceasing collection of signals by the SW, and to intermittently transfer the CCGP from the SW via the TG to the FD, where the CCSP are read via an electrode coupled to the FD.

8. 发明申请

WO2019059772A1 DOPANT ENHANCED SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
公开(公告)号：WO2019059772A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/NL2018/050632
申请日：2018-09-24
申请人： NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
发明人： STODOLNY, Maciej Krzyszto , ANKER, John , KOPPES, Martien , ROMIJN, Ingrid Gerdina , GEERLIGS, Lambert Johan
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0745 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a dopant enhanced silicon based solar cell and method of manufacturing thereof. The solar cell includes on a surface of the silicon substrate a layer stack (1) including a thin oxide layer (20) and a polysilicon layer (30), the thin oxide layer being arranged as a tunnel oxide layer in-between the surface of the substrate and the polysilicon layer. The solar cell is provided with fire-through metal contacts (50) arranged on the layer stack locally penetrating into the polysilicon layer. The silicon substrate is provided at the side of the surface with a dopant species that creates a dopant profile of a first conductivity type in the silicon substrate. The dopant profile in the silicon substrate has a maximal dopant level between about 1 x 10 18 and about 3 x 10+19 atoms/ cm and a depth of at least 200 nm within the substrate to a dopant atom level of 1 x 10 ÷" atoms/cm.

9. 发明申请

WO2015186167A1 太陽電池セル、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池システム审中-公开
标题翻译：太阳能电池，太阳能电池制造方法和太阳能电池系统
公开(公告)号：WO2015186167A1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/JP2014/064580
申请日：2014-06-02
申请人：株式会社日立製作所
发明人：渡邉　敬司 , 谷　和樹 , 若菜　裕紀 , 長部　太郎
IPC分类号： H01L31/0745
CPC分类号： H01L31/0745 , Y02E10/50
摘要：　実施の形態の太陽電池セルは、第１極性の基板１１と、前記第１極性の基板１１の表面に結晶Ｓｉにて形成される第２極性のエミッタ層１２と、前記第２極性のエミッタ層１２の表面に結晶Ｓｉ１－ｘＧｅｘにて形成される高導電性バッファ層１３と、前記高導電性バッファ層１３の表面に絶縁材にて形成されるパッシベーション層１５と、を有する。そして、前記高導電性バッファ層１３の膜厚は、前記第２極性のエミッタ層１２の膜厚よりも小さい。前記太陽電池セルの構造によって、マルチエキシトン生成を利用し、かつ、その結果として、高効率な太陽電池セルを実現することができる。
摘要翻译：根据本发明的实施例，太阳能电池具有：具有第一极性的基板（11）; 在所述基板（11）的具有第一极性的表面上由晶体Si形成的发射极层（12），所述发射极层具有第二极性; 在具有第二极性的发射极层（12）的表面上由结晶Si1-xGex形成的高导电性缓冲层（13）以及在所述高导电性缓冲层（13）的表面上由绝缘材料形成的钝化层（15）。高导电性缓冲层（13）的膜厚小于具有第二极性的发射极层（12）的膜厚。利用太阳能电池的这种结构，使用多个激子生成，结果可以实现高效率的太阳能电池。

10. 发明申请

WO2014192408A1 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法审中-公开
标题翻译：制造晶体硅太阳能电池的方法及制造晶体硅太阳能电池模块的方法
公开(公告)号：WO2014192408A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/JP2014/059689
申请日：2014-04-01
申请人：株式会社カネカ
发明人：足立　大輔 , 兼松　正典 , 宇津　恒
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/0747 , H01L31/186 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　本発明は、一導電型結晶シリコン基板（１）の第一の主面側に逆導電型シリコン系層（３ａ）を有する光電変換部（５０）、および光電変換部（５０）の第一の主面上に、電解めっき法により形成された集電極（７）を備える結晶シリコン系太陽電池の製造方法に関する。光電変換部（５０）の第一の主面側または第二の主面側からレーザ照射を行うことにより、光電変換部の第一の主面と第二の主面との短絡が除去された絶縁処理領域（４ａ）が形成される。集電極（７）上および／または絶縁処理領域上（４ａ）には、集電極（７）に含まれる金属の一導電型結晶シリコン基板内への拡散を防止するための保護層（５ｂ）が形成される。保護層（５ｂ）が形成された後に、絶縁処理領域（４ａ）が加熱されることにより、絶縁処理領域における一導電型結晶シリコン基板（１）と逆導電型シリコン系層（３ａ）とのリークが除去される。
摘要翻译：本发明涉及一种具有以下的晶体硅太阳能电池的制造方法：在第一导电型结晶硅基板（1）的第一主面侧的光电转换单元（50）具有相反导电性的硅基层（3a）; 以及通过电解电镀工艺形成在所述光电转换单元（50）的第一主表面上的集电电极（7）。光电转换单元（50）的第一主表面侧或其第二主表面侧被激光照射以形成绝缘区域（4a），其中在第一主表面侧之间的短路路径光电转换单元及其第二主表面被消除。在收集电极（7）和/或绝缘区域（4a）上形成用于防止集电电极（7）中的金属扩散到第一导电型晶体硅衬底中的保护层（5b）。在形成所述保护层（5b）之后，加热绝缘区域（4a）以消除第一导电型晶体硅衬底（1）和相反导电型硅基层（图3a）。

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