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    • 7. 发明申请
    • 光電気化学反応システム
    • 光电化学反应体系
    • WO2015146008A1
    • 2015-10-01
    • PCT/JP2015/001205
    • 2015-03-05
    • 株式会社 東芝
    • 黄 静君御子柴 智小野 昭彦北川 良太工藤 由紀田村 淳堤 栄史
    • C25B9/00C25B1/06C25B3/04
    • C25B3/04C25B1/003C25B1/06C25B9/06H01L31/00Y02E60/368Y02E70/10Y02P20/135
    •  実施形態の光電気化学反応システム100は、CO 2 変換部102と、CO 2 還元部104とを具備する。CO 2 変換部102は、金属水酸化物を含む水溶液によりCO 2 を金属炭酸塩および金属炭酸水素塩から選ばれる少なくとも1つの中間物質に変換し、中間物質を含む反応溶液を生成する。CO 2 還元部104は、中間物質を含む反応溶液が導入される一液型反応槽と、反応溶液中に浸漬される酸化電極および還元電極と、酸化電極および還元電極と電気的に接続された光起電力素子とを備える。酸化電極付近でH 2 Oを酸化してO 2 が生成され、還元電極付近で中間物質を還元して炭素化合物が生成される。
    • 根据本发明的一个实施方案的光电化学反应体系(100)具有CO 2转化单元(102)和CO 2还原单元(104)。 CO 2转化单元(102)通过含有金属氢氧化物的水溶液将CO 2转化为至少一种选自金属碳酸盐和金属碳酸氢盐的中间体,并产生含有该中间体的反应溶液。 二氧化碳还原单元(104)具有:引入含有中间体的反应溶液的单组分反应槽; 将氧化电极和还原电极浸渍在反应溶液中; 以及与氧化电极和还原电极电连接的光电元件。 因此,通过氧化H 2 O在氧化电极附近产生O 2,并且通过还原中间体在还原电极附近产生碳化合物。
    • 9. 发明申请
    • METHODS AND APPARATUS FOR ULTRATHIN CATALYST LAYER FOR PHOTOELECTRODE
    • 用于光电子的超级催化层的方法和装置
    • WO2013006867A1
    • 2013-01-10
    • PCT/US2012/045988
    • 2012-07-09
    • MASSACHUSSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGYJUN, KiminJACOBSON, Joseph
    • JUN, KiminJACOBSON, Joseph
    • C25B1/04
    • C25B1/003C25B11/02C25B11/0452H01G9/2031H01G9/2036Y02E10/542Y02P20/135
    • In exemplary implementations of this invention, a photoelectrode includes a semiconductor for photocarrier generation, and a catalyst layer for altering the reaction rate in an adjacent electrolyte. The catalyst layer covers part of the semiconductor. The thickness of the catalyst layer is less than 60% of its minority carrier diffusion distance. If the photoelectrode is a photoanode, it has an OEP that is more than the potential of the valance band edge but less than the potential of the Fermi level of the semiconductor. If it is a photocathode, it has an RHE potential that is less than the potential of the conduction band edge but more than the potential of the Fermi level of the semiconductor. The absolute value of difference (OEP minus potential of valence band edge, or RHE potential minus potential of conduction band edge) is greater than zero and less than or equal to 0.2V.
    • 在本发明的示例性实施方案中,光电极包括用于光载体产生的半导体和用于改变相邻电解质中的反应速率的催化剂层。 催化剂层覆盖半导体的一部分。 催化剂层的厚度小于其少数载流子扩散距离的60%。 如果光电极是光电阳极,则其具有超过有效带边缘的电位但小于半导体的费米能级的电位的OEP。 如果它是一个光电阴极,它的RHE电位小于导带边缘的电位,但大于半导体费米能级的电位。 差值的绝对值(OEP减去价带边缘的电位,或RHE电位减去导带边缘的电位)大于零且小于或等于0.2V。