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1. 发明申请

WO2009069232A1 磁気記録ヘッドの製造方法および磁気記録ヘッドの主磁極の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造磁性记录头的方法和用于制造用于磁记录头的主磁头的方法
公开(公告)号：WO2009069232A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/JP2007/073225
申请日：2007-11-30
申请人：富士通株式会社 , 良波睦男
发明人：良波睦男
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3146 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
摘要：　磁極の側方に配置するサイドシールドの磁極に対する高さ位置を任意に設定可能として、サイドシールドによる作用を最適化した磁気記録ヘッドを提供可能とする。　ワークの表面に、第１の非磁性絶縁層３０と、サイドシールドを形成する第１の磁性層３２と、第２の非磁性絶縁層３４とを順次積層する第１の成膜工程と、前記第２の非磁性絶縁層３４上に、前記主磁極となる部位を露出させたマスク３６を形成するマスク形成工程と、前記マスク３６により被覆した状態で、前記第１の磁性層３２の厚さ方向の中途位置、または前記第１の非磁性絶縁層３０の厚さ方向の中途位置までエッチングして溝３８を形成するエッチング工程と、前記第２の非磁性絶縁層３４上および前記溝３８上に、第１の非磁性層と主磁極を形成する第２の磁性層とを順次積層する第２の成膜工程とを備える。
摘要翻译：提供一种磁记录头，其中布置在磁极侧的侧屏蔽件的高度位置可以任意设置到磁极上，并且通过侧屏蔽件的操作被优化。一种磁记录头的制造方法，具备顺序层叠第一非磁性绝缘层（30），形成侧面屏蔽的第一磁性层（32）和第二非磁性绝缘层（34）的第一膜形成工序，在工作的表面上在第二非磁性绝缘层（34）上形成允许作为主磁极的一部分露出的掩模（36）的掩模形成步骤; 通过对第一非磁性绝缘层（30）的厚度方向上的某一位置或第一非磁性绝缘层（30）的厚度方向上的某个位置进行蚀刻而形成凹槽（38）的蚀刻步骤，通过掩模（36）覆盖的作品; 在所述第二非磁性绝缘层（34）和所述槽（38）上依次层叠形成所述主磁极的所述第一非磁性层和第二磁性层的第二膜形成步骤。

2. 发明申请

WO2010111181A1 SHIELDED PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING HEAD 审中-公开
标题翻译：屏蔽式永磁磁记录头
公开(公告)号：WO2010111181A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/US2010/028145
申请日：2010-03-22
申请人： SRI INTERNATIONAL , SECHI, Paolo G.
发明人： SECHI, Paolo G.
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , G11B5/3116 , G11B5/3146
摘要： A magnetic recording head for perpendicular magnetic recording includes energizing means, a recording pole, and a return pole. The recording pole narrows to a tip region with leading and trailing write edges separated by first and second side edges. The tip region provides a low reluctance path for magnetic flux generated by the energizing means. The return pole has a shield flare projecting towards the trailing write edge. A gap separates a leading edge of the shield flare from the trailing write edge. The shield flare diverts magnetic flux from reaching the tip region, thereby shielding the recording medium beneath the shield flare from the magnetic field while the side edges of the tip region and the recording medium beneath the gap are unshielded. A rear flare smoothes the discontinuity at the trailing edge of the return pole, thus reducing the peak magnetic field under the return pole.
摘要翻译：用于垂直磁记录的磁记录头包括激励装置，记录极和返回极。记录极窄到尖端区域，其中前缘和后缘写入边缘由第一和第二侧边缘分开。尖端区域为由激励装置产生的磁通提供低磁阻路径。返回杆具有向后写入边缘突出的屏蔽喇叭。一个间隙将屏蔽喇叭口的前缘与尾随的写入边缘分开。屏蔽火炬将磁通量转向到达尖端区域，从而将屏蔽喇叭下方的记录介质从磁场屏蔽起来，同时尖端区域的侧边缘和间隙下方的记录介质是非屏蔽的。后方光斑平滑了返回极后缘的不连续，从而减小了返回极下的峰值磁场。

3. 发明申请

WO0057405A9 METHOD FOR SHUNTING AND DESHUNTING AN ELECTRICAL COMPONENT AND A SHUNTABLE/SHUNTED ELECTRICAL COMPONENT 审中-公开
标题翻译：电气元件和可分离/分离电气元件的分离和分离方法
公开(公告)号：WO0057405A9
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：PCT/US0007563
申请日：2000-03-22
申请人： APPLIED KINETICS INC , GIRARD MARK T , JURGENSON RYAN A
发明人： GIRARD MARK T , JURGENSON RYAN A
IPC分类号： G11B5/11 , G11B5/115 , H05K1/00 , H05K1/02 , H05K1/16
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/11 , G11B5/115 , G11B5/40 , H05K1/0259 , H05K1/0393 , H05K1/167 , H05K2201/0323 , H05K2203/107 , H05K2203/1136
摘要： The present invention provides an interconnect and a method for the creation and removal of shunts useful for the prevention of ESD/EOS damage to electrical components. In one embodiment of the present invention, the conductive pathway is provided and removed by exposing the interconnect's carbonizable and ablatable substrate to a radiant energy source such as a laser beam. The present invention provides for interconnects that include at least two conductive wires or leads engaged on at least one surface by a carbonizable and ablatable material. The conductive wires may each include a branched dead end lead portion interleaved with the branched dead end lead portion of the other. Alternatively, the conductive wires may extend in close proximity to each other in a curved or sinuous or serpentine or backtracking pattern. An interconnect in accord with the present invention may include a substrate substantially supporting the conductive wires except at predetermined locations or proposed shunt sites wherein there is at least one through hole in the substrate.
摘要翻译：本发明提供了用于创建和去除用于防止对电气部件的ESD / EOS损伤的分流器的互连和方法。在本发明的一个实施例中，通过将互连的可碳化和可消融衬底暴露于诸如激光束的辐射能量源来提供和去除导电通路。本发明提供了包括通过可碳化和可烧蚀材料在至少一个表面上接合的至少两个导电线或引线的互连。导线可以各自包括与另一个的分支死端引线部分交错的分支死端引线部分。或者，导线可以以弯曲或弯曲或蛇形或回溯模式彼此靠近地延伸。根据本发明的互连可以包括基本上支撑除了在基板中存在至少一个通孔的预定位置或所提供的分流位置处的导电线的基板。

4. 发明申请

WO2009003060A1 MAGNETIC SHIELDING IN MAGNETIC MULTILAYER STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：磁性多层结构中的磁屏蔽
公开(公告)号：WO2009003060A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/US2008/068230
申请日：2008-06-25
申请人： GRANDIS INC. , DING, Yunfei , LI, Zhanjie
发明人： DING, Yunfei , LI, Zhanjie
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/33 , H01L21/00 , H01F10/16 , G11C11/15
CPC分类号： G11B33/1493 , B82Y25/00 , G11B5/112 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F41/34 , Y10S977/935
摘要： Techniques and device designs associated with devices having magnetically shielded magnetic or magnetoresistive tunnel junctions (MTJs) and spin valves that are configured to operate based on spin-transfer torque switching.
摘要翻译：与具有磁屏蔽磁阻或磁阻隧道结（MTJ）的设备相关联的技术和设备设计以及配置为基于自旋转移转矩切换操作的自旋阀。

5. 发明申请

WO2008149444A1 ヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置审中-公开
标题翻译：头滑块和存储介质驱动器
公开(公告)号：WO2008149444A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2007/061566
申请日：2007-06-07
申请人：富士通株式会社 , 大江健
发明人：大江健
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/40 , G11B5/60
CPC分类号： G11B5/40 , G11B5/112 , G11B5/3106 , G11B5/3967
摘要：　スイッチ素子（６３）は第３配線パターン（６５）の導通を確立する。磁気抵抗効果膜（５３）は短絡する。したがって、例えば静電気放電に基づき過電流が発生しても、過電流は例えば第１配線パターン（６１）から第３配線パターン（６５）を経由して第２配線パターン（６２）に流通する。磁気抵抗効果膜（５３）に過電流の流通は最大限に抑制される。しかも、スイッチ素子（６３）や第３配線パターン（６５）は非磁性膜に埋め込まれる。スイッチ素子（６３）や第３配線パターン（６５）は磁気抵抗効果膜（５３）にできる限り近づくことができる。加えて、スイッチ素子（６３）や第３配線パターン（６５）は磁気抵抗効果膜（５３）の形成と同時に形成される。磁気抵抗効果膜（５３）の形成時にすでに磁気抵抗効果膜（５３）は短絡する。磁気抵抗効果膜（５３）の破壊はより確実に防止される。
摘要翻译：开关元件（63）建立第三互连图案（65）的电连续性。磁阻层（53）短路。因此，例如即使在由于静电放电而发生过电流的情况下，过电流例如从第一配线图案（61）向第二配线图案（62）流过第三配线图案（65）。能够最大程度地抑制向磁阻层（53）的过电流。此外，开关元件（63）和第三互连图案（65）嵌入在非磁性层中。开关元件（63）和第三互连图案（65）可以尽可能靠近磁阻层（53）布置。此外，开关元件（63）和第三布线图案（65）同时形成磁阻层（53）。在形成磁阻层（53）时，磁阻层（53）短路。可以更可靠地防止磁阻层（53）的损坏。

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