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1. 发明申请

WO2017151058A1 A READER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：读者结构
公开(公告)号：WO2017151058A1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：PCT/SG2017/050091
申请日：2017-02-28
申请人： AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人： ONG, Chun Lian , YUAN, Zhimin , ANG, Shiming
IPC分类号： G11B5/39 , G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3932 , G11B5/1278 , G11B5/3146 , G11B5/3909 , G11B5/3948 , G11B2005/3996
摘要： A reader structure, a method of biasing a free layer of a reader structure, and a read head are provided, the reader structure comprises a free layer having a reader edge for interacting with and being proximal to a magnetic media; a first magnetic bias member and a second magnetic bias member each provided adjacent to the free layer, the first and second magnetic bias members being configured to have a first magnetisation direction which is substantially parallel to the reader edge; an additional bias member disposed adjacent to the free layer, the additional bias member further being located proximal to at least one of the first magnetic bias member and the second magnetic bias member, and the additional bias member being configured to have a magnetisation direction that is substantially orthogonal to the first magnetisation direction.
摘要翻译：提供读取器结构，偏置读取器结构的自由层的方法以及读取头，所述读取器结构包括具有读取器边缘的自由层，所述读取器边缘用于与读取器结构的自由层相互作用并接近磁性媒体; 第一磁性偏压构件和第二磁性偏压构件，每个设置成与所述自由层相邻，所述第一和第二磁性偏压构件配置为具有基本平行于所述读取器边缘的第一磁化方向; 附加的偏置构件，所述附加的偏置构件设置为与所述自由层相邻，所述附加的偏置构件还位于所述第一磁性偏置构件和所述第二磁性偏置构件中的至少一个的附近，并且所述另外的偏置构件被配置为具有磁化方向，基本上正交于第一磁化方向。

2. 发明申请

WO2016158849A1 磁気抵抗効果素子审中-公开
标题翻译：磁感应效应元件
公开(公告)号：WO2016158849A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/059884
申请日：2016-03-28
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木　智生
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3909 , G11B5/39 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F1/405 , H01F10/1936 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：　この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、ＡＢ２Ｏｘという化学式で表され、陽イオンの配列が不規則化したスピネル構造であり、かつ、Ａは二価の陽イオンで、ＭｇあるいはＺｎのいずれか一方であり、Ｂは三価の陽イオンで、Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる複数の元素を含む。
摘要翻译：该磁阻效应元件具有第一强磁性金属层，第二铁磁性金属层和夹在第一和第二强磁性金属层之间的隧道势垒层，其中：隧道势垒层具有由化学式AB2Ox表示的尖晶石结构，正离子的不规则排列; A表示包含Mg或Zn的二价正离子; B表示包含选自Al，Ga和In的多种元素的三价正离子。

3. 发明申请

WO2015175027A1 REDUCTION OF BARRIER RESISTANCE X AREA (RA) PRODUCT AND PROTECTION OF PERPENDICULAR MAGNETIC DEVICE APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：减少阻挡电阻X区域（RA）产品和保护电磁设备应用
公开(公告)号：WO2015175027A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/US2015/013436
申请日：2015-01-29
申请人： HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.
发明人： LIU, Huanlong , ZHU, Jian , PI, Keyu , TONG, Ru-Ying
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F41/30 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , G01R33/096 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F41/307 , H01L43/08
摘要： A method of forming a MTJ with a tunnel barrier having a high tunneling magnetoresistance ratio, and low resistance x area value is disclosed. The method preserves perpendicular magnetic anisotropy in bottom and top magnetic layers that adjoin bottom and top surfaces of the tunnel barrier. A key feature is a passive oxidation step of a first Mg layer that is deposited on the bottom magnetic layer wherein a maximum oxygen pressure is 10- 5 torr. A bottom portion (21) of the first Mg layer remains unoxidized thereby protecting the bottom magnetic layer from substantial oxidation during subsequent oxidation and anneal processes that are employed to complete the fabrication of the tunnel barrier and MTJ. An uppermost Mg layer may be formed as the top layer in the tunnel barrier stack before a top magnetic layer is deposited.
摘要翻译：公开了一种用具有高隧道磁阻比的隧道势垒形成MTJ和低电阻x面积值的方法。该方法保持邻接隧道屏障的底部和顶部表面的底部和顶部磁性层中的垂直磁各向异性。关键特征是沉积在底部磁性层上的第一Mg层的被动氧化步骤，其中最大氧气压力为10-5torr。第一Mg层的底部部分（21）保持未氧化，从而在随后的用于完成隧道势垒和MTJ的制造的氧化和退火工艺期间保护底部磁性层免受实质氧化。在顶层磁性层沉积之前，可以在隧道势垒堆叠中形成最上层的Mg层作为顶层。

4. 发明申请

WO2014085188A1 FREE LAYER WITH OUT-OF-PLANE ANISOTROPY FOR MAGNETIC DEVICE APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于磁性器件应用的无平面异相自由层
公开(公告)号：WO2014085188A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/US2013/071227
申请日：2013-11-21
申请人： HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.
发明人： WANG, Yu-jen , JAN, Guenole , TONG, Ru-ying
IPC分类号： H01F10/32 , H01F41/30
CPC分类号： G11C11/161 , B82Y40/00 , G01R33/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B2005/0024 , G11B2005/3996 , H01F10/123 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006
摘要： Synthetic antiferromagnetic (SAF) and synthetic ferrimagnetic (SyF) free layer structures are disclosed that reduce Ho (for a SAF free layer), increase perpendicular magnetic anisotropy (PMA), and provide higher thermal stability up to at least 400°C. The SAF and SyF structures have a FL1/DL1/spacer/DL2/FL2 configuration wherein FL1 and FL2 are free layers with PMA, the coupling layer induces antiferromagnetic or ferrimagnetic coupling between FL1 and FL2 depending on thickness, and DL1 and DL2 are dusting layers that enhance the coupling between FL1 and FL2. The SAF free layer may be used with a SAF reference layer in STT-MRAM memory elements or in spintronic devices including a spin transfer oscillator. Furthermore, a dual SAF structure is described that may provide further advantages in terms of Ho, PMA, and thermal stability.
摘要翻译：公开了合成反铁磁（SAF）和合成亚铁磁（SyF）自由层结构，其减少Ho（对于SAF自由层），增加垂直磁各向异性（PMA），并且在至少400℃下提供更高的热稳定性。 SAF和SyF结构具有FL1 / DL1 / spacer / DL2 / FL2配置，其中FL1和FL2是具有PMA的自由层，耦合层根据厚度在FL1和FL2之间引起反铁磁或亚铁磁耦合，并且DL1和DL2是除尘层增强FL1和FL2之间的耦合。 SAF自由层可以与STT-MRAM存储元件中的SAF参考层或包括自旋转移振荡器的自旋电子器件一起使用。此外，描述了可以在Ho，PMA和热稳定性方面提供进一步优点的双重SAF结构。

5. 发明申请

WO2011033716A1 スピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリ审中-公开
标题翻译：旋转注入元件，磁场传感器和使用其的磁记录记忆体
公开(公告)号：WO2011033716A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/JP2010/004902
申请日：2010-08-04
申请人：株式会社日立製作所 , 山田将貴 , 高橋宏昌
发明人：山田将貴 , 高橋宏昌
IPC分类号： H01L29/82 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/22 , H01L43/08
摘要：　スピン注入効率が高いスピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリを提供するために、非磁性導電体で構成されるスピン蓄積部と、障壁層と、磁性導電体層とを有するスピン注入素子において、第１のスピン蓄積層１０３および障壁層１０２は体心立方格子構造とする。これにより、第１のスピン蓄積層１０３と障壁層１０２界面は結晶対称性をもつ面で接する構造となるため格子整合性が向上し、Δ１バンド内のトンネル電子の界面散乱を抑制でき、スピン分極率が向上する。また、スピン注入素子を用いたデバイスの特性が向上する。
摘要翻译：提供了具有高自旋注入效率的自旋注入元件，以及采用该元件的磁场传感器和磁记录存储器。元件包括阻挡层，磁导电层和由非磁性导电材料构成的自旋聚集部分。在元件中，第一自旋累积层（103）和阻挡层（102）分别具有体心立方晶格结构。由此，第一自旋累积层（103）和阻挡层（102）通过具有改善的结晶对称性的边界面彼此接触。由此，提高了晶格匹配，并且防止了π1带中的隧道电子的散射，从而提高了自旋极化率。此外，提高了使用自旋注入元件的装置的特性。

6. 发明申请

WO2010143370A1 磁気センサ積層体、その成膜方法、成膜制御プログラムおよび記録媒体审中-公开
标题翻译：磁性传感器层压体，成膜方法，成膜控制程序和记录介质
公开(公告)号：WO2010143370A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/JP2010/003585
申请日：2010-05-28
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , アバラアインシタインノエル , 遠藤徹哉
发明人：アバラアインシタインノエル , 遠藤徹哉
IPC分类号： G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1171
摘要：　磁気抵抗素子の対向する２つの接合壁面近傍の磁性層の結晶ｃ軸配向を接合壁面に対して略垂直方向に揃える。　磁気センサ積層体１が、磁気抵抗素子１０の対向する２つの接合壁面１０ａ、１０ｂの側方に、素子にバイアス磁界を付与するフィールド領域２２を有し、フィールド領域はさらに結晶ｃ軸をもった磁性粒を有する第１と第２の磁性層２２ａ、２２ｂを含み、第１の磁性層は、フィールド領域に接合壁面に隣接して配置され、第１の磁性層の結晶ｃ軸は整列されて膜面内で素子のＡＢＳ面に沿って配向されていて、第２の磁性層は、フィールド領域に第１の磁性層に隣接して配置され、第２の磁性層の結晶ｃ軸方向は面内ランダムに分布されている。
摘要翻译：在磁阻元件的两个相对的接合壁表面附近的磁性层的晶体C轴取向在大致垂直于接合壁表面的方向上对准。磁传感器层压体（1）在磁阻元件（10）的相对的两个接合壁表面（10a，10b）的左侧和右侧具有场区域（22），该场区域将偏置磁场施加到元件。此外，场区域包括具有晶体c轴的磁性晶粒的第一和第二磁性层（22a，22b）。第一磁性层设置在场区域中并且与接合壁表面相邻，并且第一磁性层的晶体c轴沿着膜表面内的元件的ABS表面取向和取向。第二磁性层设置在场区域中并且与第一磁性层相邻，并且第二磁性层的晶体c轴方向在表面内随机分布。

7. 发明申请

WO2009154009A1 磁気抵抗素子の製造方法、スパッタ成膜チャンバー、スパッタ成膜チャンバーを有する磁気抵抗素子の製造装置、プログラム、記憶媒体审中-公开
标题翻译：用于制造磁性器件，溅射膜成型室的方法，用于制造具有溅射膜成型室，程序和存储介质的磁性器件的装置
公开(公告)号：WO2009154009A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/JP2009/051213
申请日：2009-01-26
申请人：キヤノンアネルバ株式会社 , 恒川孝ニ , 細谷裕之 , 永峰佳紀 , 古川真司 , 渡辺直樹
发明人：恒川孝ニ , 細谷裕之 , 永峰佳紀 , 古川真司 , 渡辺直樹
IPC分类号： H01L43/12 , C23C14/34 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01F41/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12
摘要：　スピンバルブ型のトンネル磁気抵抗素子または巨大磁気抵抗素子における磁性層の磁気異方性を高める。磁性層の成膜を、スパッタ粒子を基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させることで行う。
摘要翻译：自旋阀隧道磁阻器件或巨磁阻器件中的磁性层的磁各向异性增强。通过在一定的入射角以特定的入射方向入射到基板上的溅射粒子来进行磁性层的成膜。

8. 发明申请

WO2006099809A1 用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途审中-公开
公开(公告)号：WO2006099809A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/CN2006/000486
申请日：2006-03-24
申请人：中国科学院物理研究所 , 王天兴 , 曾中明 , 杜关祥 , 韩秀峰 , 洪桢敏 , 石高全
发明人：王天兴 , 曾中明 , 杜关祥 , 韩秀峰 , 洪桢敏 , 石高全
IPC分类号： H01F10/32 , H01F10/00
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/005 , H01F10/3268
摘要： A core composite film for magnetic/nonmagnetic/magnetic multilayer thin film comprises a free magnetic layer, a barrier layer and a pinned magnetic layer. As the core composite film, it may be only the barrier layer is an LB film which is an organic LB film consisting of materials with insulative, conductive or semiconductive character or all of the said three kinds of layers are LB films in which the pinned magnetic layer and the free magnetic layer are organic films made of magnetic materials. This core composite film can be applied to a magnetoresistive spin valve sensor as a magnetic induction unit therein or applied to a magnetoresistive random access memory as a memory unit.

9. 发明申请

WO2006006420A1 磁気抵抗効素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ヘッド及び磁気記憶装置审中-公开
标题翻译：磁阻效应器件，磁性随机存取存储器，磁头和磁记忆单元
公开(公告)号：WO2006006420A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/012081
申请日：2005-06-30
申请人：日本電気株式会社 , 石綿延行
发明人：石綿延行
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01F10/13 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/10
摘要：　磁気抵抗効果素子は、反強磁性層、固定強磁性層、第１非磁性層及び自由強磁性層を具備する。反強磁性層は基板の上面側に形成される。固定強磁性層は反強磁性層の上に形成される。第１非磁性層は固定強磁性層の上に形成される。自由強磁性層は第１非磁性層の上に形成される。固定強磁性層は非晶質層を備える。非晶質層はＸ－Ｙ－Ｚの化学式で表される非晶質材料を含む。ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択される元素である。ＹはＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちから選択される元素である。ＺはＮ、Ｃ、Ｂのうちから選択される元素である。
摘要翻译：磁阻效应器件包括反铁磁层，固定铁磁层，第一非磁性层和自由铁磁层。反铁磁层形成在基片的上表面侧。固定铁磁层形成在反铁磁层上。第一非磁性层形成在固定的铁磁层上。自由铁磁层形成在第一非磁性层上。固定铁磁层具有非晶层。非晶层含有化学式X-Y-Z的无定形材料。 X是选自Co，Fe和Ni中的元素。 Y是从Al，Si，Mg，Ta，Nb，Zr，Hf，W，Mo，Ti和V中选出的元素.Z是选自N，C和B中的元素。

10. 发明申请

WO2005101373A1 LAMINATED FREE LAYER FOR STABILIZING MAGNETORESISTIVE HEAD HAVING LOW MAGNETOSTRICTION 审中-公开
标题翻译：用于稳定具有低磁致伸缩性的磁化头的层压自由层
公开(公告)号：WO2005101373A1
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/JP2004/004828
申请日：2004-04-02
申请人： TDK CORPORATION , SBIAA, Rachid
发明人： SBIAA, Rachid
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B2005/0029 , G11B2005/3996
摘要： A magnetoresistive read head includes a spin valve having at least one free layer spaced apart from at least one pinned layer by a spacer. The free layer includes a thin CoFeOx lamination layer in the CoFe, and an optional Cu layer. The amount of oxygen is below 10% of total gas. The pinned layer is a single layer, or a synthetic multi-layered structure having a spacer between sub-layers, and may have the foregoing low-magnetostriction material. As a result, low magnetostriction is obtained to improve read quality and/or improve the pinned field of the pinned layer. Other parameters are not adversely affected.
摘要翻译：磁阻读取头包括具有至少一个自由层的自旋阀，所述至少一个自由层通过间隔件与至少一个钉扎层隔开。自由层包括CoFe中的薄CoFeOx层压层和可选的Cu层。氧气的量低于总气体的10％。被钉扎层是单层，或在子层之间具有间隔物的合成多层结构，并且可以具有前述的低磁致伸缩材料。结果，获得低磁致伸缩以提高读取质量和/或改善固定层的钉扎场。其他参数不会受到不利影响。

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