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    • 2. 发明申请
    • 亀裂進展推定方法、及び情報処理装置
    • 估计裂纹增长的方法和信息处理装置
    • WO2013114604A1
    • 2013-08-08
    • PCT/JP2012/052390
    • 2012-02-02
    • 中国電力株式会社西田 秀高
    • 西田 秀高
    • G01N3/00
    • G01N3/00G01N2203/0066G01N2203/0218
    • 【課題】部材に生じる亀裂の進展を正確かつ簡便に推定する。 【解決手段】情報処理装置100が、亀裂の進展を推定しようとする部材の所定部位について求めた当該部位に亀裂が生じていない場合におけるその深さ方向の応力分布Δσ(a)と次の関係(パリス則)da/dN=C・(ΔK) m 、ΔK=Δσ(a)・(π・a) 1/2 とに基づき、当該部位における亀裂の進展を推定し、進展する亀裂の深さにおけるクリープ寄与度を算出し、算出したクリープ寄与度に応じてパラメータC,mを決定し、決定したパラメータC,mを用いて当該深さにおける亀裂の進展を推定する。また情報処理装置100は、部材の進展する亀裂の深さにおける応力の時系列変化、クリープ破断特性、及び当該部位に亀裂が発生するまでの繰り返し応力の発生回数の実測値に基づきクリープ寄与度を算出する。
    • [问题]准确和容易地估计成员中发生的裂纹增长。 [解决方案]信息处理装置(100):基于场地的深度方向应力分布(Deltasigma(a)),估计要在其中估计裂纹扩展的构件中的预定位置的裂纹扩展,并且 关系(巴黎定律)da / dN = C·(DeltaK)m,其中DeltaK = Deltasigma(a)·(pi·a)1/2,当有问题的现场没有发生裂纹时; 计算生长裂缝深度的蠕变贡献; 根据计算的蠕变贡献设定参数(C,m); 并通过使用设定参数(C,m)来估计深度处的裂纹扩展。 此外,信息处理装置(100)基于构件中生长的裂纹的深度的时间序列变化的实际测量值,蠕变断裂特性以及应力反复的次数来计算蠕变贡献 直到产生裂缝才产生。
    • 3. 发明申请
    • WAFER BOND STRENGTH EVALUATION APPARATUS
    • WAFER BOND强度评估装置
    • WO2004072585A3
    • 2004-12-02
    • PCT/US2004003602
    • 2004-02-05
    • UNIV ARIZONAALFORD TERRY LMITAN MARTIN
    • ALFORD TERRY LMITAN MARTIN
    • G01N3/00G01N3/04G01N19/04G01N21/95G01L1/24G01N3/10
    • G01N3/04G01N19/04G01N21/9501G01N2203/0066G01N2203/0494
    • An apparatus and method for measuring bond strength of a bonded wafer that allows for more reliable and reproducible measurements, thereby allowing a better comparison of bond strengths of various wafers. A wafer receptacle (2) holds the bonded wafer (28) to be measured securely in place. A Z-axis adjustment device (10) with precision actuator is adjusted to align a blade with bond interface of the bonded wafer. An X-axis adjustment device (8) with precision actuator (18) connected to a spring is adjusted to introduce the blade into bond interface creating a crack, the length of which can be measured and used to determine bond strength. The stability and precision introduced by the Z-axis and X-axis adjustment devices also increase the reliability and reproducibility of the bond strength measurement.
    • 用于测量接合晶片的结合强度的装置和方法,其允许更可靠和可再现的测量,从而允许更好地比较各种晶片的结合强度。 晶片接收器(2)将要测量的接合晶片(28)牢固地保持就位。 调整具有精​​密致动器的Z轴调节装置(10)以使刀片与键合晶片的结合界面对齐。 调整连接到弹簧的具有精密致动器(18)的X轴调节装置(8),以将刀片引入接合界面,产生裂纹,其长度可以被测量并用于确定粘结强度。 Z轴和X轴调节装置引入的稳定性和精度也提高了粘结强度测量的可靠性和可重复性。
    • 4. 发明申请
    • WAFER BOND STRENGTH EVALUATION APPARATUS
    • WAFER BOND强度评估装置
    • WO2004072585A2
    • 2004-08-26
    • PCT/US2004/003602
    • 2004-02-05
    • ARIZONA BOARD OF REGENTSALFORD, Terry, L.MITAN, Martin
    • ALFORD, Terry, L.MITAN, Martin
    • G01D
    • G01N3/04G01N19/04G01N21/9501G01N2203/0066G01N2203/0494
    • An apparatus and method for measuring bond strength of a bonded wafer that allow for more reliable and reproducible measurements, thereby allowing a better comparison of bond strengths of various wafers. A wafer receptacle holds the bonded wafer to be measured securely in place. A Z-axis adjustment device with a precision actuator is adjusted to align a blade with a bond interface of a bonded wafer. An X-axis adjustment device with a precision actuator connected to a spring is adjusted to introduce the blade into the bond interface creating a crack, the length of which can be measured and used to determine bond strength. The stability and precision introduced by the Z-axis and X-axis adjustment devices also increase the reliability and reproducibility of the bond strength measurement.
    • 用于测量接合晶片的接合强度的装置和方法,其允许更可靠和可再现的测量,从而允许更好地比较各种晶片的结合强度。 晶片插座将要测量的粘合晶片牢固地保持在适当位置。 调整具有精​​密致动器的Z轴调节装置以使刀片与接合晶片的接合界面对准。 调整具有连接到弹簧的精密致动器的X轴调节装置以将刀片引入接合界面,从而产生裂纹,该裂纹的长度可被测量并用于确定粘合强度。 Z轴和X轴调整装置引入的稳定性和精度也提高了粘结强度测量的可靠性和再现性。
    • 5. 发明申请
    • 亀裂進展推定方法、及び情報処理装置
    • 估计裂纹发展的方法和信息处理装置
    • WO2013114603A1
    • 2013-08-08
    • PCT/JP2012/052389
    • 2012-02-02
    • 中国電力株式会社西田 秀高
    • 西田 秀高
    • G01N3/00
    • G01N3/00G01M5/0033G01N2203/0066G01N2203/0218
    • 【課題】部材に生じる亀裂の進展を正確かつ簡便に推定する。 【解決手段】情報処理装置が、記憶している複数の応力-ひずみ特性の中から関係(1/N f =1/N pp +1/N cp 、Δε cp =A2・N cp -α2 、Δε pp =A1・N pp -α1 )を満たすものを選出し、選出した応力-ひずみ特性に基づき、亀裂の進展を推定しようとする対象部位に亀裂が生じていない場合における当該対象部位の応力分布Δσ(0)を求め、求めたΔσ(0)に基づき数値解析を実施して、対象部位に亀裂が生じていない場合における部位の深さ方向の応力分布Δσ(a)を求め、求めた応力分布Δσ(a)と次のパリス則(da/dN=C・(ΔK) m 、ΔK=Δσ(a)・(π・a) 1/2 )とに基づき、部位における亀裂の進展を推定するようにする。
    • [问题]准确和容易地估计会员发生的裂纹发展。 [解决方案]信息处理装置:从多个存储的应力/应变特性中选出满足关系式(1 / Nf = 1 / Npp + 1 / Ncp,其中Deltaepsiloncp = A2·Ncp -alpha2和Deltaepsilonpp = A1·Npp -alpha1); 根据目标地点未发生裂纹的裂缝,根据所选择的应力/应变特性,获得目标地点的应力分布(Deltasigma(0)); 通过基于获得的应力分布(Deltasigma(0))进行数值分析,在目标位置没有发生裂纹时获得位置深度方向的应力分布(Deltasigma(a)); 并根据获得的应力分布(Deltasigma(a))和以下巴黎定律(da / dN = C·(DeltaK)m)估计出现裂缝发展,其中DeltaK = Deltasigma(a)·(pi·a )1/2)。
    • 6. 发明申请
    • 高圧水素環境下の疲労き裂寿命判定方法
    • 用于确定高压氢环境中的疲劳裂纹寿命的方法
    • WO2012121106A1
    • 2012-09-13
    • PCT/JP2012/055243
    • 2012-03-01
    • 株式会社日本製鋼所和田 洋流
    • 和田 洋流
    • G01N17/00
    • G01N17/00G01N3/32G01N33/20G01N2203/0066G01N2203/0073G01N2203/0232
    •  90MPa以下の高圧水素での低合金鋼の疲労き裂寿命判定方法において、低合金鋼を高圧水素環境下のライジングロード試験で得られるき裂進展下限界応力拡大係数K IH-R により、低合金鋼の疲労き裂加速開始点K max T を推定し、K max T と低合金鋼の高圧水素中での疲労き裂進展特性に基づいて疲労き裂寿命解析を行い疲労き裂寿命を判定する。ライジングロード試験の高圧水素環境が、K max T を推定しようとする高圧水素環境と同じ圧力であり、ライジングロード試験の温度公差が±5℃の条件である。
    • 一种低合金钢在高氢压力为90MPa以下具有的疲劳裂纹寿命的测定方法,其特征在于,在高压氢环境下对低合金钢进行上升负荷试验,得到 假定来自KIH-R的低合金钢的疲劳裂纹加速度起始点Kmax T的裂纹扩展阈值应力强度因子KIH-R,并且基于Kmax T进行疲劳裂纹寿命分析 低合金钢高压氢疲劳裂纹扩展特性,确定疲劳裂纹寿命。 上升负荷试验中使用的高压氢环境具有与推定Kmax T的高压氢环境相同的压力。 上升载荷试验在温度公差为±5ºC的条件下进行。