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    • 2. 发明申请
    • 研磨方法および研磨装置
    • 抛光方法和抛光装置
    • WO2015163164A1
    • 2015-10-29
    • PCT/JP2015/061224
    • 2015-04-10
    • 株式会社 荏原製作所
    • 小林 洋一八木 圭太木下 将毅塩川 陽一
    • B24B37/013B24B37/34B24B49/02B24B49/12H01L21/304
    • B24B49/05B24B37/013B24B37/105B24B37/32B24B37/34B24B49/02B24B49/03B24B49/12H01L21/67H01L22/12H01L22/26
    •  本発明は、ウェハなどの基板からの反射光に含まれる光学情報に基づいて膜厚を測定しながら該基板を研磨する研磨方法および研磨装置に関するものである。研磨方法は、異なる膜厚に対応する複数の参照スペクトルをそれぞれ含む複数のスペクトルグループを用意し、基板に光を照射しながら、該基板からの反射光を受光し、反射光からサンプリングスペクトルを生成し、サンプリングスペクトルに最も形状が近い参照スペクトルを含むスペクトルグループを選択し、基板を研磨しながら測定スペクトルを生成し、基板の研磨中に生成された測定スペクトルに最も形状が近い参照スペクトルを選択されたスペクトルグループから選択し、選択された参照スペクトルに対応する膜厚を取得する。
    • 抛光方法和抛光装置本发明涉及抛光方法和抛光装置,由此基于包括在来自基板的反射光中的光学信息来测量诸如晶片的基板,同时测量膜厚度。 抛光方法包括制备多个光谱组,其包括对应于不同膜厚度的多个参考光谱中的每一个,从衬底接收反射光,同时向衬底辐射光,从反射光产生采样光谱,选择光谱组 包括具有与采样光谱最接近的形状的参考光谱,同时在抛光衬底的同时产生测量光谱,从所选择的光谱组中选择具有与在衬底抛光期间产生的测量光谱最接近的形状的参考光谱, 并获取与所选择的参考光谱对应的膜厚度。