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    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR METALLORGANISCHEN GASPHASENABSCHEIDUNG UNTER VERWENDUNG VON LÖSUNGEN VON INDIUMALKYLVERBINDUNGEN IN KOHLENWASSERSTOFFEN
    • 使用氘代烷基化合物在烃中的溶液进行金属 - 有机气相分离的方法
    • WO2017089477A1
    • 2017-06-01
    • PCT/EP2016/078705
    • 2016-11-24
    • UMICORE AG & CO. KG
    • KOCH, JoergBRIEL, Oliver
    • C23C16/448C23C16/30C23C16/40C30B25/02C07F5/00C30B23/06
    • C23C16/407C07F5/00C23C16/301C23C16/4481C30B25/02C30B29/02C30B29/16C30B35/007
    • Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung einer Indium-haltigen Schicht durch metallorganische Gasphasenabscheidung, wobei die Indium-haltige Schicht in einer Reaktionskammer auf einem Substrat erzeugt wird, wobei das Indium dem Verfahren in Form einer Indium-haltigen Vorläuferverbindung zugeführt wird, welche die Formel InR3 aufweist, wobei die Reste R unabhängig voneinander ausgewählt sind aus Alkylresten mit bis 6 C-Atomen,dadurch gekennzeichnet, dass das Zuführen der Indium-haltige Vorläuferverbindung in einer Lösung erfolgt, die ein Lösungsmittel und die darin gelöste Indium-haltige Vorläuferverbindung enthält, wobei das Lösungsmittel mindestens einen Kohlenwasserstoff mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen aufweist. Die Erfindung betrifft auch Lösungen, bestehend aus einer Verbindung der Formel InR3, wobei R unabhängig voneinander ausgewählt ist aus Alkylresten mit 1 bis 6 C-Atomen, und 1 mindestens einem Kohlenwasserstoff, das 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweist, Verwendungen der Lösung zur Herstellung einer Indium-haltigen Schicht durch metallorganische Gasphasenabscheidung, und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens.
    • 本发明涉及的方法用于制造由金属有机化学气相沉积,其中,所述含铟层在基板上的反应室中产生的含铟层,所述铟中的含铟偏好&AUML形式的方法 式InR3的化合物,其中基团R独立地选自具有至多6个C原子的烷基,其特征在于在美国专利 包含溶剂和溶解于其中的含铟前体化合物的溶液,其中溶剂包含至少一种具有1至8个碳原子的烃。 本发明还涉及到Lö解决方案,由式INR3的化合物,其中R独立地分别BEAR彼此选定BEAR的是选自具有1至6个碳原子,和1的至少一个碳原子数为1〜8的烃,用途烷基HLT 通过金属有机气相沉积生产含铟层的解决方案以及实施该方法的设备。