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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRIALKYLGALLIUM-VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG
    • 用于生产三烷基化合物及其用途
    • WO2015136049A1
    • 2015-09-17
    • PCT/EP2015/055211
    • 2015-03-12
    • UMICORE AG & CO. KG
    • SCHORN, WolfSUNDERMEYER, JoergFREY, AnnikaKARCH, RalfRIVAS-NASS, AndreasWOERNER, EileenDOPPIU, Angelino
    • C07F5/00H01L21/02
    • C07F5/00C23C16/18H01L21/0262
    • Die Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zur kostengünstigen und umweltschonenden Herstellung von Trialkylgallium-Verbindungen der allgemeinen Formel : R 3 Ga mit hoher Ausbeute und Selektivität, wobei R ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist. Die Herstellung von Trialkylgallium erfolgt erfindungsgemäß über die Zwischenstufe Alkylgalliumdichlorid (RGaCI 2 ) bzw. Dialkylgalliumchlorid/Alkylgalliumdichlorid-Mischung (R 2 GaCI/RGaCl 2 ). Erfindungsgemäß ist auch das hergestellte RGaCI 2 bzw. die R 2 GaCI/RGaCl 2 -Mischung. Das erfindungsgemäße neue Verfahren zeichnet sich durch die verbesserte Verfahrensführung aus. Durch gezielte und weitgehende Verwendung kostengünstiger und gering umweltschädlicher Ausgangsstoffe und Reagenzien ist das Verfahren auch für den industriellen Maßstab geeignet. Die hergestellten Trialkylgallium-Verbindungen sind aufgrund der hohen Reinheit besonders geeignet als metallorganischer Präkursor für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik.
    • 本发明涉及一种廉价且环境友好的生产通式的三烷基镓化合物的改进的方法:用R3Ga高产率和选择性,其中R是具有1至4个碳原子的烷基。 根据本发明的三烷基镓的生产经由中间Alkylgalliumdichlorid(RGaCI2)或Dialkylgalliumchlorid / Alkylgalliumdichlorid混合物(R2GaCI / RGaCl2)进行。 根据本发明,也是RGaCI2或制造的R2GaCI / RGaCl2混合物。 根据本发明的新方法的特征在于改进的工艺控制。 通过具体的和广泛使用的廉价且低污染的原料和试剂的,该方法也适用于工业规模。 制备三烷基化合物作为在半导体和微系统技术金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)有机金属前体是特别有用的,由于高纯度。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ALKYLINDIUM-VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG
    • 用于生产ALKYLINDIUM化合物及其用途
    • WO2015024893A1
    • 2015-02-26
    • PCT/EP2014/067546
    • 2014-08-18
    • UMICORE AG & CO. KG
    • SUNDERMEYER, JoergFREY, AnnikaSCHORN, WolfGROSSE-HAGENBROCK, DavidKARCH, RalfRIVAS-NASS, AndreasWOERNER, EileenDOPPIU, Angelino
    • C07F5/00B01J19/12
    • C07F5/00
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur kostengünstigen und umweltschonenden Herstellung von Dialkylindiumchlorid in hoher Ausbeute sowie mit hoher Selektivität und Reinheit. Das erfindungsgemäß hergestellte Dialkylindiumchlorid eignet sich, auch aufgrund der hohen Reinheit und Ausbeute, besonders zur bedarfsgerechten Herstellung Indium-haltiger Präkursoren mit hoher Ausbeute und Selektivität und in hoher Reinheit. Die erhältlichen Indium-haltigen Präkursoren sind aufgrund der hohen Reinheit besonders geeignet für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD; metal organic chemical vapour deposition) oder die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE; metal organic chemical vapor phase epitaxy). Das erfindungsgemäße neue Verfahren zeichnet sich durch die verbesserte Verfahrensführung aus, insbesondere eine schnelle Prozessführung. Durch gezielte und weitgehende Verwendung kostengünstiger und gering umweltschädlicher Ausgangsstoffe ist das Verfahren auch für den industriellen Maßstab geeignet.
    • 本发明涉及用于在高产量成本有效和环境友好的生产Dialkylindiumchlorid的和具有高选择性和纯度的方法。 由本发明生产的Dialkylindiumchlorid也适合于高纯度和产率,特别是对于具有高产率和选择性按需生产含铟前体和高纯度。 可用的含铟的前体特别适合于金属有机化学气相沉积(MOCVD;有机金属化学气相沉积)由于高纯度或有机金属气相外延(MOVPE,金属有机化学气相外延)。 根据本发明的新方法的特征在于改进的过程管理,特别是一个快速的过程控制。 通过具体的和广泛使用的廉价且低污染的起始原料的,该方法也适用于工业规模。