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1. 发明申请

WO2007000268A2 OLIGO-TETRACENE, IHRE HERSTELLUNG UND IHRE ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译： OLIGO-四苯，生产和使用
公开(公告)号：WO2007000268A2
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/EP2006/005926
申请日：2006-06-21
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DARMSTADT , REHAHN, Matthias , ROTH, Michael , VON SEGGERN, Heinz , SCHMECHEL, Roland , AHLES, Marcus
发明人： REHAHN, Matthias , ROTH, Michael , VON SEGGERN, Heinz , SCHMECHEL, Roland , AHLES, Marcus
IPC分类号： C07C15/38 , H01L51/50
CPC分类号： C07C15/38 , C07C2603/44 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/5048
摘要： Es werden Oligo-Tetracene der Formel I beschrieben, die entweder unsubstituiert sind oder einen oder mehrere Substituenten R und R' tragen, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus - Halogen, - CN, - Alkyl- oder Alkoxyresten mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, - Arylresten mit bis zu 12 Kohlenstoffatomen, die auch ein oder mehrere Heteroatome enthalten können und/oder - fluorierten oder perfluorierten Alkyl- oder Alkoxyresten mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, wobei n eine ganze Zahl von 1 bis 20, vorzugsweise von 1 bis 6, ganz besonders bevorzugt 1 oder 2 ist und X für eine Einfachbindung, eine Alkylengruppe mit 1 - 6 Kohlenstoffatomen, eine Kohlenwasserstoffkette mit einer oder mehreren konjugierten Doppelbindungen, eine Arylgruppe oder ein aus mehreren kondensierten, aromatischen Ringen bestehendes System steht. In dem erfindungsgemäßen Oligotetracen können einer oder mehrere der sechsatomigen, kondensierten, aromatischen Ringe durch einen fünfatomigen Ring ersetzt sein, der auch ein Heteroatom enthalten kann. Außerdem wird ein Verfahren zu Herstellung der genannten Oligo-Tetracene und deren Verwendung als Halbleiter in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFET), organischen Leuchtdioden (OLEDs), Sensoren und organischen Solarzellen beschrieben.
摘要翻译：的式I或未被取代或被一个或多个取代基R和R“携带的将描述的寡并四苯，其被选自由以下组成的组中选择 - 卤素， - CN， - 烷基或具有碳原子数为1〜18的烷氧基基团， - 具有至多芳基至12个碳原子，其还可以含有一个或多个杂原子和/或 - 氟化或全氟化的烷基或碳原子数为1〜18，其中n是从1到20的整数，优选为1〜6的烷氧基，非常特别优选为1或2且X是一个单键，具有1的亚烷基 - 代表6个碳原子，含有一个或多个共轭双键，芳基或由几个稠合芳环系统的烃链。在本发明的Oligotetracen一个或多个sechsatomigen的，稠合芳族环可以由一个五原子环，其可以含有杂原子所取代。此外，用于制备的方法，所述寡四苯和它们作为在有机场效应晶体管（OFET），有机发光二极管（OLED），有机太阳能电池，传感器半导体使用和进行说明。

2. 发明申请

WO2004086526A2 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE GENERATING DEVICES 审中-公开
标题翻译：有机电致发光器件
公开(公告)号：WO2004086526A2
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/EP2004/003111
申请日：2004-03-24
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DARMSTADT , INTER-UNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM , UNIVERSITE LOUIS PASTEUR , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , MUCCINI, Michele , HEREMANS, Paul , REYNAERT, Johan, Lieven, Hendrik , ZIESSEL, Raymond , HEPP, Aline , SCHMECHEL, Roland , VON SEGGERN, Heinz , HEIL, Holger
发明人： MUCCINI, Michele , HEREMANS, Paul , REYNAERT, Johan, Lieven, Hendrik , ZIESSEL, Raymond , HEPP, Aline , SCHMECHEL, Roland , VON SEGGERN, Heinz , HEIL, Holger
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5092 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/5265 , H01L51/5275 , H01L51/5296
摘要： An electroluminescence generating device comprising e. a channel of organic semiconductor material, said channel being able to carry both types of charge carriers, said charge carriers being electrons and holes; f. an electron electrode, said electron electrode being in contact with said channel and positioned on top of a first side of said channel layer or within said channel layer, said electron electrode being able to inject electrons in said channel layer; g. a hole electrode, said hole electrode being spaced apart from said electron electrode, said hole electrode being in contact with said channel and positioned on top of said first side of said channel layer or within said channel layer, said hole electrode being able to inject holes into said channel; h. a control electrode positioned on said first side or on a second side of said channel; whereby light emission of said electroluminescence generating device can be acquired by applying an electrical potential difference between said electron electrode and said hole electrode.
摘要翻译：一种电致发光器件，包括e。有机半导体材料（4）的沟道，所述沟道能够承载两种类型的电荷载流子，所述电荷载流子是电子和空穴; F。电子电极（6），所述电子电极与所述通道接触并位于所述沟道层的第一侧或所述沟道层的顶部，所述电子电极能够在所述沟道层中注入电子; G。孔电极（7），所述空穴电极与所述电子电极间隔开，所述空穴电极与所述通道接触并且位于所述沟道层的所述第一侧的顶部或者在所述沟道层内，所述孔电极能够以将孔注入所述通道中; H。位于所述通道的所述第一侧或第二侧上的控制电极（2）从而可以通过在所述电子电极（6）和所述空穴电极（5）之间施加电位差来获得所述电致发光器件的发光（7）。

3. 发明申请

WO2010097228A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERS SOWIE HALBLEITER UND ELEKTRISCHES ELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2010097228A3
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/EP2010/001195
申请日：2010-02-26
申请人： UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN , SCHIERNING, Gabi , WIGGERS, Hartmut , SCHULZ, Christof , SCHMECHEL, Roland
发明人： SCHIERNING, Gabi , WIGGERS, Hartmut , SCHULZ, Christof , SCHMECHEL, Roland
IPC分类号： H01L35/34
摘要： Es wird die Herstellung eines nanopartikulären Halbleiters aus dotierten Nanopartikeln durch Spark-Plasma-Sintern vorgeschlagen. Dadurch sind Halbleiter mit einer Dichte von mehr als 90 % der theoretisch möglichen Dichte des Vollmaterials erhältlich. Derartige Halbleiter werden insbesondere für thermoelektrische, photovoltaische oder sonstige elektronische Elemente verwendet. Insbesondere lassen sich auch Halbleiter mit unterschiedlich dotierten Schichten durch Schichten von unterschiedlich dotierten Partikeln und Zusammensintern herstellen.

4. 发明申请

WO2011082782A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG LEITENDER ODER HALBLEITENDER METALLOXIDISCHER SCHICHTEN AUF SUBSTRATEN UND AUF DIESE WEISE HERGESTELLTE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR PRODUCING在基板上的导电或半导体金属氧化物层，从而生产的基板
公开(公告)号：WO2011082782A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/EP2010/007644
申请日：2010-12-15
申请人： UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN , THEISSMAN, RaIf , NEUMANN, Siegried , BUBEL, Simon , SCHIERNING, Gabi , SANLIALP, Mehmet , SCHMECHEL, Roland
发明人： THEISSMAN, RaIf , NEUMANN, Siegried , BUBEL, Simon , SCHIERNING, Gabi , SANLIALP, Mehmet , SCHMECHEL, Roland
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/368 , C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer leitenden oder halbleitenden metalloxidischen Schicht auf einem Substrat, insbesondere zur Herstellung leitender oder halbleitender Strukturen, wobei zunächst eine ammoniakalische, insbesondere wäßrig-ammoniakalische Lösung mindestens eines Metallions des betreffenden Metalloxids hergestellt und nachfolgend auf ein Substrat aufgetragen wird und anschließend das Lösemittel unter Abscheidung und/oder Ausfällung des betreffenden Metalloxids auf dem Substrat entfernt wird, sowie die auf diese Weise erhältlichen metalloxidbeschichteten Substrate und deren Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在衬底上的导电或半导电金属氧化物层，特别是用于制造导电或半导电的结构，其特征在于，第一氨，特别是水 - 氨溶液是由该金属氧化物中的至少一种金属离子的和涂布的下方的基板上，并然后用分离和/或相应的金属氧化物的沉淀溶剂的基板上，以及在由此获得的金属氧化物涂覆的基材和它们的用途上除去。

5. 发明申请

WO2008128821A1 LAYERS COMPOSITE COMPRISING A PYROGENIC ZINC OXIDE LAYER AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR COMPRISING THIS COMPOSITE 审中-公开
标题翻译：含复合氧化锌层的层叠复合体和包含该复合材料的场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008128821A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：PCT/EP2008/052820
申请日：2008-03-10
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , FORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH , PETRAT, Frank-Martin , THIEM, Heiko , HILL, Sven , EBBERS, André , OKAMURA, Koshi , SCHMECHEL, Roland
发明人： PETRAT, Frank-Martin , THIEM, Heiko , HILL, Sven , EBBERS, André , OKAMURA, Koshi , SCHMECHEL, Roland
IPC分类号： H01L21/3205 , C01G9/03 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/32055 , H01L29/7869
摘要： Composite of layers which comprises a dielectric layer and a layer which comprises pyrogenic zinc oxide and is bonded to the dielectric layer. Process for producing the composite of layers, in which the pyrogenic zinc oxide is applied to the dielectric layer in the form of a dispersion in which the zinc oxide particles are present with a mean aggregate diameter of less than 200 nm, and the zinc oxide layer is dried and then treated at temperatures of less than 200°C. Process for producing the composite of layers, in which the pyrogenic zinc oxide is applied to a substrate layer or a composite of substrate layers in the form of a dispersion in which the zinc oxide particles are present with a mean aggregate diameter of less than 200 nm to form a zinc oxide layer, and then the zinc oxide layer and the substrate layer are treated at temperatures of less than 200°C, and then a dielectric layer is applied to the zinc oxide layer. Field-effect transistor which has the composite of layers.
摘要翻译：包括电介质层和包含热解氧化锌并结合到电介质层的层的层的复合物。制造层的复合体的方法，其中将热解氧化锌以平均聚集体直径小于200nm的存在氧化锌颗粒的分散体形式施加到电介质层，氧化锌层干燥，然后在低于200℃的温度下处理。制造层的复合体的方法，其中将热解氧化锌施加到基质层或其中存在氧化锌颗粒的平均聚集体直径小于200nm的分散体形式的基底层的复合物以形成氧化锌层，然后在小于200℃的温度下处理氧化锌层和衬底层，然后将电介质层施加到氧化锌层上。具有复合层的场效应晶体管。

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