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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR MESSUNG DES SCHICHTWIDERSTANDS VON MINDESTENS ZWEISCHICHTIGEN ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN ÜBER TRENNGRÄBEN
    • 用于测量至少两点电子元件上涂层电阻的方法
    • WO2008053032A1
    • 2008-05-08
    • PCT/EP2007/061799
    • 2007-11-01
    • SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBHMEEDER, AlexanderSPRENGER, SvenDITTMAR, BenjaminSAATCI, Gürol
    • MEEDER, AlexanderSPRENGER, SvenDITTMAR, BenjaminSAATCI, Gürol
    • G01R31/26H01L31/032H01L31/18
    • H01L31/0322H01L31/208H02S50/10Y02E10/541Y02P70/521
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung des Schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen Bauelementen über Trenngräben in mindestens einer Schicht. Das Verfahren ist insbesondere geeignet für die Prozesskontrolle von Dünnschicht-Solarzellen, beispielsweise Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellen, aber auch von anderen Bauelementen mit metallischen oder halbleitenden Schichten auf einem Substrat, die durch Trenngräben in einzelne nebeneinander liegende Abschnitte geteilt sind. Vorgeschlagen wird, dass nach dem Aufbringen mindestens einer weiteren Schicht auf die Schicht, in die die Trenngräben eingebracht wurden, ausgehend von einem Kontaktpunkt nacheinander die Widerstände (R) über mindestens einen Trenngraben (P1) und über mindestens jeweils einen weiteren Trenngraben hinweg zu diesem Kontaktpunkt gemessen und aus den gemessenen Werten der Gesamt-Schichtwiderstand (R/P1) über die Anzahl der Trenngräben gemittelt wird. Mit dem Verfahren kann zum Beispiel der Herstellungsprozess der eingangs genannten Bauelemente so überwacht werden, dass Fertigungsmängel bereits während des Herstellungsprozesses erkannt werden können.
    • 本发明涉及一种通过在至少一个层中分离颗粒来测量至少两层电子部件的薄层电阻的方法。 该方法特别适用于导航用R,d导航用途nnschicht太阳能电池的过程控制,例如黄铜矿-d导航用途nnschicht太阳能电池,而且也从与在衬底上的金属或半导电层的其它成分,通过TrenngrÄ贲成单独的相邻部分 被分开。 被引入本,从其它电阻后接触的一个点开始的熊NDE(R)在至少一个划界沟槽(P1)和OVER至少那之后,其中Trenngr&AUML提出的层上应用的至少一个另外的层 在每种情况下,在该接触点处测量另外的分离槽,并且使用测量值来将总的薄层电阻(R / P1)平均分离值的数量。 利用该方法,例如,可以监视上述部件的制造过程,从而在制造过程中已经可以检测到制造缺陷