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1. 发明申请

WO2009106067A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：辐射安排
公开(公告)号：WO2009106067A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000279
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LANG, Erwin , KLEIN, Markus , wittmann, Martin , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , JAEGER, Arndt , DIEKMANN, Karsten
发明人： LANG, Erwin , KLEIN, Markus , wittmann, Martin , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , JAEGER, Arndt , DIEKMANN, Karsten
IPC分类号： G09F9/33
CPC分类号： H01L51/0096 , H01L51/5262 , Y02E10/549
摘要： Eine strahlungsemittierende Anordnung umfasst insbesondere - ein Trägerelement (1) mit einer zumindest teilweise nichttransparenten Hauptoberfläche (10) und - auf dem Trägerelement (1) angeordnet ein organisches strahlungsemittierendes Bauelement (2) mit einer organischen Schichtenfolge (23) mit einem aktiven Bereich zwischen einer zumindest teilweise transparenten ersten Elektrode (21) und einer zumindest teilweise transparenten zweiten Elektrode (22), wobei - der aktive Bereich (29) geeignet ist, in einem eingeschalteten Betriebszustand elektromagnetische Strahlung (91, 93) zu erzeugen, - die strahlungsemittierende Anordnung auf der vom Trägerelement (1) abgewandten Seite des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) eine Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung (92, 93) aufweist und - die zumindest teilweise nicht-transparente Hauptoberfläche (10) des Trägerelements (1) in einem ausgeschalteten Betriebszustand des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) von einem externen Beobachter durch die Strahlungsaustrittsfläche (3) hindurch wahrnehmbar ist.
摘要翻译：发射辐射的装置包括特别是： - （1），其具有至少部分不透明的主表面（10）和支撑构件 - （1）与有机层序列（23）与活性区域布置在至少之间的有机发射辐射的器件（2）在支撑元件上有源区（29），其适于在电磁辐射的接通操作状态（91，93），以生成 - - 部分透明的第一电极（21）和至少部分透明的第二电极（22），其中，所述辐射发射在装配其中有机发射辐射的器件的侧（2）（1）的面向从辐射出射表面（3），用于发射电磁辐射（92，93）的距离在承载元件和 - 载体元件（1）的在关断的操作状态的至少部分不透明的主表面（10），所述有机硫通过辐射出射表面trahlungsemittierenden组分（2）由外部观察者（3）穿过其中是可察觉的。

2. 发明申请

WO2009106040A1 ORGANISCHE LEUCHTDIODE, KONTAKTANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ORGANISCHEN LEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：有机发光二极管，接触装置和方法用于制备有机发光二极管
公开(公告)号：WO2009106040A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000217
申请日：2009-02-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LANG, Erwin , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , KLEIN, Markus
发明人： LANG, Erwin , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , KLEIN, Markus
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L2224/48091 , H01L2251/5361 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine organische Leuchtdiode (1), umfassend einen Schichtstapel (2) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6). Auf einer ersten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht (4) angeordnet und auf einer zweiten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige und für eine charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (6) zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht (5) angeordnet. Die organische Leuchtdiode ist gekennzeichnet durch eine auf der dem Schichtstapel gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) angeordnete leitfähige Kontaktstruktur (7), die mit der zweiten Anschlussschicht (5) im Bereich einer Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) elektrisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Kontaktanordnung (15) für ein flächiges, optisch aktives Element sowie ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden (1).
摘要翻译：本发明涉及一种有机发光二极管（1），包括层堆叠（2）的电磁辐射的发射（6）。上的层堆叠的第一面（2）是（4）布置在所述叠层的第二表面的导电的第一连接层（2）是导电的，并且为可发射电磁辐射（6）至少主要可渗透第二连接层的特征波长（5）。的有机发光二极管的特征在于上相反于第一连接层的层堆叠面侧（4）第一连接层的设置导电接触结构（7）连接到所述第二连接层（5）中的区域中的多个凹部（12）（4）电连接。本发明还涉及一种接触装置（15），用于使一个扁平的，光学活性元素以及用于制造有机发光二极管（1）的方法。

3. 发明申请

WO2010108894A1 DÜNNSCHICHTVERKAPSELUNG FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： TFE FOR光电组件，方法ITS和光电元件
公开(公告)号：WO2010108894A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/053717
申请日：2010-03-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
发明人： BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/44
CPC分类号： H01L51/448 , H01L51/5256 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Es wird eine Dünnschichtverkapselung (1) für ein optoelektronisches Bauelement offenbart. Die Dünnschichtverkapselung (1) weist eine Schichtenfolge (2) auf, die folgende Schichten umfasst: eine erste mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD- Schicht (3), und eine zweite mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD- Schicht (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Dünnschichtverkapselung und ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Dünnschichtverkapselung beschrieben.
摘要翻译：公开了一种用于光电器件的薄膜封装（1）。所述薄膜封装（1）具有的层序列（2），在其下面的层包括：第一通过原子层沉积ALD层沉积（3），和一个第二通过原子层沉积ALD层沉积（4）。此外，用于制造该薄膜封装的方法和光电子器件将具有这样的薄膜封装进行说明。

4. 发明申请

WO2013000797A1 VERKAPSELUNGSSTRUKTUR FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM VERKAPSELN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES 审中-公开
标题翻译：封装，光电组件和方法封装的光电子器件
公开(公告)号：WO2013000797A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/EP2012/061892
申请日：2012-06-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAISL, Richard , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , FISCHER, Doreen , KRUMMACHER, Benjamin , LANG, Erwin , SCHLENKER, Tilmann , SCHMID, Christian
发明人： BAISL, Richard , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , FISCHER, Doreen , KRUMMACHER, Benjamin , LANG, Erwin , SCHLENKER, Tilmann , SCHMID, Christian
IPC分类号： H01L51/52 , H05B33/04
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5256
摘要： Eine Verkapselungsstruktur (300) für ein optoelektronisches Bauelement (400) weist auf: eine Dünnschichtverkapselung (301) zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht (302) und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht (303) zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.
摘要翻译：用于光电装置（400）的包装结构（300）包括：用于光电子器件的化学杂质的保护薄膜封装（301），形成在薄膜封装粘合剂层（302）和形成在粘合剂层覆盖层（303）上的凹部，以保护上的电极薄膜封装和/或免受机械损伤的光电子器件。

5. 发明申请

WO2011012461A1 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE ELEKTRISCHER KONTAKT 审中-公开
标题翻译：电子元件和电接触
公开(公告)号：WO2011012461A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/060250
申请日：2010-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , REUSCH, Thilo , LANG, Erwin
发明人： BECKER, Dirk , DOBBERTIN, Thomas , REUSCH, Thilo , LANG, Erwin
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5203 , H01L2251/558
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (100), das ein Substrat (1), wenigstens eine auf dem Substrat (1) angeordnete, erste Elektrode (3) und auf der dem Substrat (1) zugewandten Seite der Elektrode (3) eine Aufwachsschicht (7), aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht (7) angeordnete Elektrode (3) eine Metallschicht (9) mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30nm aufweist und die Aufwachsschicht (7) eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen elektrischen Kontakt.
摘要翻译：本发明涉及一种包括一个基片（1），基板上的至少一个（1）排列的第一电极（3）的电子部件（100）和所述衬底（1）的面向电极侧（3）是一种生长层（7），所述（7），其布置电极在生长层上操作（3）的金属层（9），其厚度小于或等于30nm，并且所述生长层（7）具有一个厚度，该厚度小于或等于10nm ，本发明还涉及一种电接触。

6. 发明申请

WO2012163569A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012163569A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/055602
申请日：2012-03-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BECKER, Dirk , LANG, Erwin , SETZ, Daniel Steffen
发明人： BECKER, Dirk , LANG, Erwin , SETZ, Daniel Steffen
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/52 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/107 , H01L51/448 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (500) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (500) kann aufweisen mindestens eine Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); mindestens einen Kleber (504) auf der Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); und eine Abdeckung (506) auf dem mindestens einen Kleber (504); wobei der mindestens eine Kleber (504) nur in einem Teilbereich (508) oberhalb eines Substrats (502) und/oder oberhalb der Schicht (100, 200, 300) ausgehärtet ist.
摘要翻译：在各种实施例中，光电器件（500）被提供。光电子器件（500）可以包括光电子器件（500）中的至少一个层（100，200，300）; 至少光电部件（500）的层（100，200，300）上的粘合剂（504）; 和盖（506），其上至少一个粘合剂（504）; 其中，所述至少一个粘接剂（504）是只在衬底（502）和/或高于固化层（100，200，300）上方的部分区域（508）。

7. 发明申请

WO2012034765A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法生产电子部件和电子元件的
公开(公告)号：WO2012034765A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/062969
申请日：2011-07-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BECKER, Dirk , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
发明人： BECKER, Dirk , LANG, Erwin , REUSCH, Thilo
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/56 , C23C14/024 , C23C14/14 , H01L51/0021 , H01L51/5203 , H01L51/5215 , H01L51/5234
摘要： Ein Verfahren (100) zum Herstellen eines elektronischen Bauelements (240) kann aufweisen ein Aufbringen (102) einer Elektroden-Aufwachsschicht (226) auf oder über einer Schichtenstruktur mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens; und ein Aufbringen (104) einer Elektrode (232) auf der Elektroden-Aufwachsschicht (226).
摘要翻译：一种用于制造电子设备（240）可以包括施加方法（100）（102）上或通过一个方法Atomlagendeposition-的层结构上方的电极生长层（226）; 以及沉积（104）中的电极生长层（226）上的电极（232）。

8. 发明申请

WO2022248496A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRISCHEN BAUTEILS, TRÄGER UND ELEKTRISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2022248496A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/EP2022/064100
申请日：2022-05-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WOMBACHER, Ralf , BECKER, Dirk
IPC分类号： H05K3/40 , H05K1/18 , H05K3/46 , H05K3/34 , H05K3/28 , H05K3/00 , H05K3/24 , H05K1/02 , H05K3/30
摘要： In einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Trägers umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Grundkörpers 2 mit einer Metallschicht 31 an einer Vorderseite des Grundkörpers, - Aufbringen einer dielektrische Schicht 4 auf einer von der Vorderseite abgewandten Seite der Metallschicht, - Einbringen von mindestens einer Öffnung in die dielektrische Schicht 4 mittels einer Laserstrahlung, wobei in der Öffnung die Metallschicht 31 freigelegt wird und die Öffnung mit einer maximalen Breite parallel zur Vorderseite zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 100 μm ausgebildet wird.

9. 发明申请

WO2018065537A1 SENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018065537A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：PCT/EP2017/075395
申请日：2017-10-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BECKER, Dirk , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/58
CPC分类号： H01L31/02002 , H01L25/167 , H01L31/16 , H01L33/0025 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： Die Erfindung betrifft einen Sensor. Der Sensor weist eine Leiterplatte und wenigstens einen auf der Leiterplatte angeordneten Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip weist einen Vorderseitenkontakt auf. Auch ist der Halbleiterchip ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip. Der Sensor weist des Weitereneine auf der Leiterplatte angeordnete Einbettungsschicht auf, welche seitlich an den wenigstens einen Halbleiterchip angrenzt. Der Sensorweist fernereine Kontaktschicht auf, welche mit dem Vorderseitenkontakt des wenigstens einen Halbleiterchips verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiterenein Verfahren zum Herstellen von Sensoren.
摘要翻译：传感器技术领域本发明涉及一种传感器。传感器具有印刷电路板和布置在印刷电路板上的至少一个半导体芯片。半导体芯片具有前侧接触。半导体芯片也是辐射检测半导体芯片。传感器还具有设置在印刷电路板上的嵌入层，该嵌入层横向邻接至少一个半导体芯片。该传感器还包括连接至至少一个半导体芯片的正面触点的接触层。本发明还涉及一种制造传感器的方法

10. 发明申请

WO2018065534A1 HERSTELLUNG VON SENSOREN 审中-公开
标题翻译：传感器的制造
公开(公告)号：WO2018065534A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：PCT/EP2017/075386
申请日：2017-10-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BECKER, Dirk , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L25/16 , H01L31/167 , H01L31/0203
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L25/167 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/167 , H01L31/1876 , H01L33/62 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Sensoren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Trägerplatte und ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Trägerplatte. Die auf der Trägerplatte angeordneten Halbleiterchips umfassen wenigstens strahlungsdetektierende Halbleiterchips. Weiter vorgesehen ist ein Bereitstellen von strahlungsdurchlässigen optischen Elementen auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte. In diesem Schritt werden mehrere strahlungsdurchlässige optische Elemente gemeinsam auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte bereitgestellt. Ferner erfolgt ein Vereinzeln der mit den Halbleiterchips und den strahlungsdurchlässigen optischen Elementen versehenen Trägerplatte, so dass separate Sensoren gebildet werden, welche jeweils einen Abschnitt der Trägerplatte, wenigstens einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip und wenigstens ein strahlungsdurchlässiges optisches Element aufweisen.
摘要翻译：制造传感器的方法技术领域本发明涉及一种制造传感器的方法。该方法包括提供背板并将半导体芯片放置在背板上。布置在载体板上的半导体芯片至少包括辐射检测半导体芯片。还提供了在设置有半导体芯片的承载板上提供辐射透射光学元件。在该步骤中，在设置有半导体芯片的背板上共同提供多个辐射透射性光学元件。提供拉尔光学元件Tr的BEAR;此外，半导体芯片和strahlungsdurchl＆AUML的分离发生承载板，使得单独的传感器形成，每一个都具有Tr的AUML的一部分;支承板，所述至少一个辐射检测的半导体芯片以及至少一个strahlungsdurchl BEAR具有流光学元件。

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