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    • 2. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    • 光电模组及其制造方法
    • WO2015028512A1
    • 2015-03-05
    • PCT/EP2014/068177
    • 2014-08-27
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
    • EICHENBERG, BorisZITZLSPERGER, MichaelZIEREIS, Christian
    • H01L25/075F21K99/00F21S8/10H01L33/50H01L33/56H01L33/58
    • H01L25/0753F21K9/64F21S41/141F21S41/192F21S41/43F21S41/47H01L33/507H01L33/56H01L33/58H01L2224/48091H01L2224/48227H01L2224/73265H01L2924/00014
    • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Modul umfassend: -ein Trägersubstrat (110), -wenigstens einen auf dem Trägersubstrat (110) angeordneten Halbleiterchip (121-125) zur Emission einer Lichtstrahlung, -eineoberhalb des Halbleiterchips (121-125) angeordnete Konversionsschicht (130) zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip (121-125) emittierten Lichtstrahlung, wobei die Konversionsschicht (130) ein dem Halbleiterchip abgewandte obere Leuchtfläche aufweist, -ein auf dem Trägersubstrat (110) angeordnetes und einen Aufnahmeraum (154) für den Halbleiterchip (121-125) und die Konversionsschicht (130) bildendes Rahmenelement (150), und -ein auf dem Rahmenelement (150) angeordnetes und den Aufnahmeraum (154) begrenzendes Blendenelement (160) mit wenigstens einer Blendenöffnung (161-165), die eine Bereich der oberen Leuchtfläche der Konversionsschicht (130) freigibt, wobei ein Randbereich (136) der oberen Leuchtfläche der Konversionsschicht (30) von einem an der Blendenöffnung (161-65) angrenzenden nicht transparenten Randbereich (171) des Blendenelements (160) wenigstens teilweise überlappt wird,. so dass ein Blendenrand (166), der von wenigstens einem Teil des Umfangs der Blendenöffnung (161 -165) definiert ist, eine Hell-Dunkel-Grenze für die von der Leuchtfläche der Konversionsschicht (130) emittierte Lichtstrahlung ausbildet.
    • 本发明涉及一种光电模块包括: - 支撑衬底(110),-wenigstens一个布置在支撑基底上(110)的半导体芯片(121-125),用于光辐射的发射,-eineoberhalb半导体芯片(121-125)的配置转换层(130) 发射用于将至少所述半导体芯片的(121-125)的光辐射的一部分,其中,所述转换层(130)具有面向从半导体芯片上的发光表面,-a在支撑基底上(110)被布置和容纳空间(154)的距离(用于半导体芯片 121-125)并在形成框架构件(150),以及 - (框架构件150)上的转换层(130)被布置,并且容纳空间(154)限制孔元件(160),其具有至少一个孔(161-165),区域 光转换层的上表面(130)的版本,其中,由一个光转换层(30)的上表面的边缘部分(136) 在孔径(161-65)不在屏幕构件(160)的相邻的透明边缘区域(171)至少部分重叠。 使得隔膜边缘(166),这是由形成发射的光辐射转换层(130)的发光表面的光 - 暗界限的开口(161 -165)的周边的至少一部分限定。