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1. 发明申请

WO03036790A3 VARIABLE GAIN AMPLIFIER WITH AUTOBIASING SUPPLY REGULATION 审中-公开
标题翻译：具有自动调节供电调节的可变增益放大器
公开(公告)号：WO03036790A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/US0231859
申请日：2002-10-04
申请人： MOTOROLA INC
发明人： CONNELL LAWRENCE E , HOLLENBECK NEAL W
IPC分类号： H03F3/195 , H03F1/30 , H03F1/32 , H03F3/189 , H03G1/00 , H03G3/10 , H03F3/04
CPC分类号： H03F1/3205 , H03F1/301 , H03F3/19 , H03F2200/72 , H03G1/0023
摘要： A high-gain wide-band RF amplifier (120) with automatic bias supply regulation. Amplifier (120) includes a pair of field effect transistors (FETs) (102, 104) with common source connection (106) biased by FET (108) connected between common source connection (106) and amplifier signal input RFIN. Bias voltage "VB1" is applied to the gate of device (108) and automatic gain control voltage "VAGC" is applied to the gates of FET pair (102, 104). Automatic bias supply circuit (122) is an active load including resistors (124, 126), capacitor (128) and amplifier (130). Capacitor (128) is connected between the negative input (132) and output (134) of amplifier (130). Load reference voltage (VO) is provided to the positive input. Resistor (124) is connected between output (134) of amplifier (130) and the amplifier output (136) at the drain of FET (104). Resistor (126) is connected between output (136) at the drain of FET (104) and the negative input (132) to amplifier (130) providing amplifier load signal feedback.
摘要翻译：具有自动偏置电源调节功能的高增益宽带RF放大器（120）。放大器（120）包括具有连接在公共源极连接（106）和放大器信号输入RFIN之间的FET（108）偏置的公共源极连接（106）的一对场效应晶体管（FET）（102,104）。偏置电压“VB1”被施加到器件（108）的栅极，自动增益控制电压“VAGC”被施加到FET对（102,104）的栅极。自动偏置电源电路（122）是包括电阻器（124,126），电容器（128）和放大器（130）的有源负载。电容器（128）连接在放大器（130）的负输入端（132）和输出端（134）之间。负输入参考电压（VO）提供给正输入端。电阻（124）连接在放大器（130）的输出（134）和FET（104）的漏极处的放大器输出（136）之间。电阻（126）连接在FET（104）漏极的输出（136）和提供放大器负载信号反馈的放大器（130）的负输入（132）之间。

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