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1. 发明申请

WO2014006540A1 BARRIER COATED NANO STRUCTURES 审中-公开
标题翻译： BARRIER涂层纳米结构
公开(公告)号：WO2014006540A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/IB2013/055214
申请日：2013-06-25
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： WIMBERGER-FRIEDL, Reinhold , DE WITZ, Christianne Rossette Maria , VAN DEN HEUVEL, Cornelius Antonius
IPC分类号： B82Y15/00 , G01N21/55 , G01N21/64 , G01N21/65
CPC分类号： C12Q1/6869 , B82Y15/00 , C23C16/45555 , G01N21/648
摘要： The present invention relates to a device comprising a nano-structure and a corresponding method of manufacturing, wherein said nano- structure is made of electrically conductive material and wherein said nano- structure is covered by a barrier coating comprising Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, Sc, Y, Ge, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sr, Al, B, Ba, Bi, and/or Mg oxide in a thickness of at least about 1 nm, wherein said barrier coating is deposited by atomic layer deposition (ALD). The present invention also relates to a method of detecting a target compound in such a device, the use of such a device for surface specifically creating an evanescent field, measuring the dielectric properties of a medium, detecting the presence or the concentration of a target compound, determining the primary structure of a target compound, determining a deviation of the target compound from a control value, amplifying a target compound, or monitoring the amplification of a target compound.
摘要翻译：本发明涉及包括纳米结构和相应的制造方法的器件，其中所述纳米结构由导电材料制成，并且其中所述纳米结构被包含Ti，Zr，Hf，Nb的阻挡涂层覆盖，Ta，Mo，Sc，Y，Ge，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Sr，Al，B，Ba，Bi和/ 厚度为至少约1nm的Mg氧化物，其中所述阻挡涂层通过原子层沉积（ALD）沉积。本发明还涉及在这种装置中检测目标化合物的方法，使用这种用于表面的器件特别产生ev逝场，测量介质的介电性质，检测目标化合物的存在或浓度确定目标化合物的一级结构，确定目标化合物与对照值的偏差，放大目标化合物或监测目标化合物的扩增。

2. 发明申请

WO2014080310A2 CAPACITIVE MICRO-MACHINED TRANSDUCER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：电容式微加工传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2014080310A2
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/IB2013/059932
申请日：2013-11-06
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： KLOOTWIJK, Johan Hendrik , MULDER, Marcel , DE WILD, Nico Maris Adriaan , KARAKAYA, Koray , VAN DEN HEUVEL, Cornelius Antonius
IPC分类号： B60B1/02
CPC分类号： G10K11/18 , B06B1/0292 , C23C16/45525 , C23C16/56
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a capacitive micro- machined transducer (100), in particular a CMUT, the method comprising depositing a first electrode layer (10) on a substrate (1), depositing a first dielectric film (20) on the first electrode layer (10), depositing a sacrificial layer (30) on the first dielectric film (20), the sacrificial layer (30) being removable for forming a cavity (35) of the transducer, depositing a second dielectric film (40) on the sacrificial layer (30), depositing a second electrode layer (50) on the second dielectric film (40), and patterning at least one of the deposited layers and films (10, 20, 30, 40, 50), wherein the depositing steps are performed by Atomic Layer Deposition. The present invention further relates to a capacitive micro-machined transducer (100), in particular a CMUT, manufactured by such method.
摘要翻译：本发明涉及一种制造电容微机械加工换能器（100），尤其是CMUT的方法，该方法包括：在基板（1）上沉积第一电极层（10）在第一电极层（10）上沉积第一介电膜（20），在第一介电膜（20）上沉积牺牲层（30），牺牲层（30）可移除以形成在牺牲层（30）上沉积第二电介质膜（40），在第二电介质膜（40）上沉积第二电极层（50），以及图案化沉积的层和膜（10,20）中的至少一个，30,40,50），其中沉积步骤通过原子层沉积来执行。本发明还涉及一种通过这种方法制造的电容式微机械加工换能器（100），特别是CMUT。

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