专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011103048A3 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING PROCESS TOOL CORRECTABLES USING AN OPTIMZED SAMPLING SCHEME WITH SMART INTERPOLATION 审中-公开
标题翻译：使用优化采样方案与智能插值提供过程工具可修正性的方法和系统
公开(公告)号：WO2011103048A3
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/US2011024689
申请日：2011-02-14
申请人： KLA TENCOR CORP , IZIKSON PAVEL , KANDEL DANIEL , ROBINSON JOHN
发明人： IZIKSON PAVEL , KANDEL DANIEL , ROBINSON JOHN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention may include performing a first measurement on a wafer of a first lot of wafers via an omniscient sampling process, calculating a first set of process tool correctables utilizing one or more results of the measurement performed via an omniscient sampling process, randomly selecting a set of field sampling locations of the wafer of a first lot of wafers, calculating a second set of process tool correctables by applying an interpolation process to the randomly selected set of field sampling locations, wherein the interpolation process utilizes values from the first set of process tool correctables for the randomly selected set of field sampling locations in order to calculate correctables for fields of the wafer of the first lot not included in the set of randomly selected fields, and determining a sub-sampling scheme by comparing the first set of process tool correctables to the second set of correctables.
摘要翻译：本发明可以包括通过无所不在的采样处理在第一批晶片的晶片上进行第一测量，利用通过全方位采样过程执行的一个或多个测量结果来计算第一组处理工具校正值，随机选择第一批晶片的晶片的一组场采样位置，通过对随机选择的一组场采样位置应用内插处理来计算第二组处理工具可校正值，其中所述内插处理利用来自第一组处理的值用于随机选择的一组场采样位置的工具可校正，以便计算不包括在随机选择的场的集合中的第一批的晶片的场的可校正性，以及通过比较第一组处理工具来确定子采样方案可纠正到第二组可纠正的。

2. 发明申请

WO2009143200A3 SUBSTRATE MATRIX TO DECOUPLE TOOL AND PROCESS EFFECTS 审中-公开
标题翻译：基板矩阵对工具和过程效应
公开(公告)号：WO2009143200A3
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/US2009044594
申请日：2009-05-20
申请人： KLA TENCOR CORP , IZIKSON PAVEL , ADEL MICHAEL E , KANDEL DANIEL
发明人： IZIKSON PAVEL , ADEL MICHAEL E , KANDEL DANIEL
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70641 , G05B19/41845 , G05B2219/32187 , G05B2219/36307 , H01L22/20 , Y02P90/16 , Y02P90/22
摘要： A method of characterizing a process by selecting the process to characterize, selecting a parameter of the process to characterize, determining values of the parameter to use in a test matrix, specifying an eccentricity for the test matrix, selecting test structures to be created in cells on a substrate, processing the substrate through the process using in each cell the value of the parameter as determined by the eccentric test matrix, measuring a property of the test structures in the cells, and developing a correlation between the parameter and the property.
摘要翻译：一种通过选择表征过程来表征过程的方法，选择过程的参数来表征，确定在测试矩阵中使用的参数的值，指定测试矩阵的偏心度，选择要在单元格中创建的测试结构在基板上，通过在每个单元中使用由偏心测试矩阵确定的参数值来处理基板，测量单元中的测试结构的性质，以及发展参数与特性之间的相关性。

3. 发明申请

WO2012015967A3 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING PROCESS TOOL CORRECTABLES 审中-公开
标题翻译：用于提供处理工具可纠正的方法和系统
公开(公告)号：WO2012015967A3
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/US2011045603
申请日：2011-07-27
申请人： KLA TENCOR CORP , COHEN GUY , KLEIN DANA , IZIKSON PAVEL
发明人： COHEN GUY , KLEIN DANA , IZIKSON PAVEL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32182 , Y02P90/22
摘要： The present invention may include performing a first measurement process on a wafer of a lot of wafers, wherein the first measurement process includes measuring one or more characteristics of a plurality of targets distributed across one or more fields of the wafer, determining a set of process tool correctables for a residual larger than a selected threshold level utilizing a loss function, wherein the loss function is configured to fit a model for one or more process tools, as a function of field position, to one or more of the measured characteristics of the plurality of targets, wherein the set of process tool correctables includes one or more parameters of the model that act to minimize the difference between a norm of the residual and the selected threshold, and utilizing the determined process tool correctables to monitor or adjust one or more processes of the process tools.
摘要翻译：本发明可以包括在许多晶片的晶片上执行第一测量过程，其中第一测量过程包括测量分布在晶片的一个或多个场上的多个目标的一个或多个特性，确定一组过程用于利用损失函数对于大于所选阈值水平的残差的工具可校正，其中，所述损失函数被配置为将一个或多个处理工具的模型作为场位置的函数拟合至所述测量特征中的一个或多个测量特征多个目标，其中所述一组处理工具可校正包括所述模型的一个或多个参数，所述一个或多个参数用于最小化所述残差的标准与所选阈值之间的差异，并且利用所确定的处理工具可校正来监视或调整一个或多个流程工具的流程。

4. 发明申请

WO2012044702A2 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING TOOL INDUCED SHIFT USING A SUB-SAMPLING SCHEME 审中-公开
标题翻译：使用子采样方案提供工具感应移位的方法和系统
公开(公告)号：WO2012044702A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011053743
申请日：2011-09-28
申请人： KLA TENCOR CORP , IZIKSON PAVEL , COHEN GUY
发明人： IZIKSON PAVEL , COHEN GUY
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70616
摘要： The present invention may include measuring tool induced shift (TIS) on at least one wafer of a lot of wafers via an omniscient sampling process, randomly generating a plurality of sub-sampling schemes, each of the set of randomly generated sub-sampling schemes having the same number of sampled fields, measuring TIS at each location of each of the randomly generated sub-sampling schemes, approximating a set of TIS values for each of the randomly generated sub-sampling schemes utilizing the TIS measurements from each of the randomly generated sub-sampling schemes, wherein each set of TIS values for each of the randomly generated sub-sampling schemes is calculated utilizing an interpolation process configured to approximate a TIS value for each location not included in a randomly generated sub-sampling scheme, and determining a selected sub-sampling scheme by comparing each of the calculated sets of TIS values to the measured TIS of the omniscient sampling process.
摘要翻译：本发明可以包括通过无所不在的采样过程在许多晶片的至少一个晶片上测量工具诱发偏移（TIS），随机产生多个子采样方案，所述随机生成的子采样方案中的每一个具有相同数量的采样场，测量每个随机生成的子采样方案的每个位置处的TIS，利用来自随机生成的子单元中的每一个的TIS测量来近似每个随机生成的子采样方案的一组TIS值采样方案，其中使用内插过程来计算随机生成的子采样方案中的每一个的每组TIS值，所述内插处理被配置为对未包括在随机生成的子采样方案中的每个位置近似TIS值，并且确定所选择的通过将每个计算出的TIS值集合与全向采样过程的测量TIS进行比较，进行子采样方案。

5. 发明申请

WO2007109103A3 METHOD AND SYSTEM FOR OPTIMIZING ALIGNMENT PERFORMANCE IN A FLEET OF EXPOSURE TOOLS 审中-公开
标题翻译：在接触工具中优化对准性能的方法和系统
公开(公告)号：WO2007109103A3
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/US2007006569
申请日：2007-03-15
申请人： KLA TENCOR TECH CORP , ADEL MICHAEL E , ROBINSON JOHN , IZIKSON PAVEL , EICHELBERGER BRAD , WIDMANN AMIR , KATO ATSUHIKO
发明人： ADEL MICHAEL E , ROBINSON JOHN , IZIKSON PAVEL , EICHELBERGER BRAD , WIDMANN AMIR , KATO ATSUHIKO
IPC分类号： H01J37/153
CPC分类号： G03F7/70458 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F9/7046
摘要： A method for optimizing alignment performance in a fleet of exposure systems involves characterizing each exposure system in a fle of exposure systems to generate a set of distinctive distortion profiles (301) associated with each exposure system The set of distinct distortion profiles are stored in a database (303) A wafer having reference pattern formed thereon is provided for further pattern fabpcation (305) and an exposure system is selected from the fleet to fabricate a next layer on the wafer (307) Linear and higher ord parameters of the selected exposure system are adjusted using the distinctive distortion profiles to model the distortion of the referen pattern (309) Once the exposure system is adjusted, it is used to form a lithographic pattern on the wafer (311).
摘要翻译：用于优化曝光系统队列中的对准性能的方法涉及表征一系列曝光系统中的每个曝光系统，以产生与每个曝光系统相关联的一组不同的失真曲线（301）。将一组不同的失真曲线存储在数据库中（303）提供具有形成在其上的参考图案的晶片用于进一步的图案制作（305），并且从车队中选择曝光系统以制造晶片上的下一层（307）所选曝光系统的线性和更高的ord参数使用独特的失真曲线来调整参考图案的失真（309）。一旦曝光系统被调整，就用于在晶片（311）上形成平版印刷图案。

6. 发明申请

WO2007109103A9 METHOD AND SYSTEM FOR OPTIMIZING ALIGNMENT PERFORMANCE IN A FLEET OF EXPOSURE TOOLS 审中-公开
标题翻译：优化曝光工具的对准性能的方法和系统
公开(公告)号：WO2007109103A9
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/US2007006569
申请日：2007-03-15
申请人： KLA TENCOR TECH CORP , ADEL MICHAEL E , ROBINSON JOHN , IZIKSON PAVEL , EICHELBERGER BRAD , WIDMANN AMIR , KATO ATSUHIKO
发明人： ADEL MICHAEL E , ROBINSON JOHN , IZIKSON PAVEL , EICHELBERGER BRAD , WIDMANN AMIR , KATO ATSUHIKO
IPC分类号： G01J1/00
CPC分类号： G03F7/70458 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F9/7046
摘要： A method for optimizing alignment performance in a fleet of exposure systems involves characterizing each exposure system in a fleet of exposure systems to generate a set of distinctive distortion profiles associated with each exposure system. The set of distinctive distortion profiles are stored in a database. A wafer having reference pattern formed thereon is provided for further pattern fabrication and an exposure system is selected from the fleet to fabricate a next layer on the wafer. Linear and higher order parameters of the selected exposure system are adjusted using the distinctive distortion profiles to model the distortion of the reference pattern. Once the exposure system is adjusted, it is used to form a lithographic pattern on the wafer.
摘要翻译：一种用于优化曝光系统的队列中的对准性能的方法涉及表征曝光系统中的每个曝光系统，以产生与每个曝光系统相关联的一组不同的畸变分布。这组独特的失真配置文件存储在数据库中。提供其上形成有参考图案的晶片用于进一步的图案制造，并且从该团队中选择曝光系统以制造晶片上的下一层。所选曝光系统的线性和高阶参数使用独特的失真轮廓进行调整，以模拟参考图案的失真。一旦曝光系统被调整，它就被用来在晶圆上形成光刻图案。

7. 发明申请

WO2009029851A3 APPARATUS AND METHODS FOR PREDICTING A SEMICONDUCTOR PARAMETER ACROSS AN AREA OF A WAFER 审中-公开
标题翻译：用于在整个晶片区域内预测半导体参数的装置和方法
公开(公告)号：WO2009029851A3
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/US2008074872
申请日：2008-08-29
申请人： KLA TENCOR TECH CORP , IZIKSON PAVEL
发明人： IZIKSON PAVEL
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G05B13/027 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , H01L22/12
摘要： Apparatus and methods are provided for predicting a plurality of unknown parameter values (e.g. overlay error or critical dimension) using a plurality of known parameter values. In one embodiment, the method involves training a neural network to predict the plurality of parameter values (114, 700, 800, 900). In other embodiments, the prediction process does not depend on an optical property of a photolithography tool. Such predictions may be used to determine wafer lot disposition (114).
摘要翻译：提供了使用多个已知参数值来预测多个未知参数值（例如，重叠误差或临界尺寸）的设备和方法。在一个实施例中，该方法涉及训练神经网络以预测多个参数值（114,700,800,900）。在其他实施例中，预测过程不依赖于光刻工具的光学性质。这样的预测可以用于确定晶圆批次配置（114）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式