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1. 发明申请

WO2009020035A1 感放射線性組成物及び化合物审中-公开
标题翻译：辐射敏感组合物和化合物
公开(公告)号：WO2009020035A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/063738
申请日：2008-07-31
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C39/17 , C07C69/96 , G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： C07C39/17 , C07C69/96 , G03F7/0392
摘要：　本発明は、次の感放射線性組成物を提供する。（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物。（Ｒは水素等、Ｒ１はメチレン基等、Ｙはアルキル基等、ｑは０または１である。）
摘要翻译：公开了一种辐射敏感性组合物，其含有（a）下述通式（1）表示的化合物和（b）辐射敏感的产生酸的辐射敏感性酸产生剂。（1）（式中，R表示氢等，R 1表示亚甲基等，Y表示烷基等，q表示0或1.）

2. 发明申请

WO2009025335A1 感放射線性組成物及び化合物审中-公开
标题翻译：辐射敏感组合物和化合物
公开(公告)号：WO2009025335A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/064948
申请日：2008-08-21
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C69/96 , C07C39/17 , C07C69/734 , G03F7/039
CPC分类号： C07C39/17 , C07C69/00 , C07C2603/74 , C07C2603/92 , G03F7/0392
摘要：　下記一般式（１）で表される化合物を提供する。（前記一般式（１）において、Ｒは水素原子等、Ｙはアルキル基等、ｑは０または１、ｎは０以上の整数である。）
摘要翻译：公开了由以下通式（1）表示的化合物。（通式（1）中，R表示氢原子等，Y表示烷基等; q表示0或1，n表示不小于0的整数）。

3. 发明申请

WO2009019793A1 パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂审中-公开
标题翻译：形成图案及其使用方法辐射敏感性树脂组合物和具有辐射敏感性酸产生组的树脂
公开(公告)号：WO2009019793A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2007/065665
申请日：2007-08-09
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 松村信司 , 甲斐敏之
发明人：清水大輔 , 松村信司 , 甲斐敏之
IPC分类号： G03F7/039 , C08F12/04 , C08F20/38 , C08F20/58 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F2/46 , C08F12/30 , C08F218/08 , C08F220/22 , C08F220/58 , C08L2312/06 , C09D5/32 , G03F7/0392
摘要：　本発明の目的は、電子線、Ｘ線、極紫外線による微細パターン形成に好適なパターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂を提供することである。本パターン形成方法は、感放射線性樹脂組成物の樹脂成分として含有されており、感放射線性酸発生基を含み、且つ酸の作用により水酸基又はカルボキシル基を発生する基を含まない感放射線性酸発生基含有樹脂から、活性光線又は放射線の照射によって酸を発生させ、該感放射線性酸発生基含有樹脂の現像液に対する溶解性を増大させることにより、レジストパターンを形成するものである。また、本感放射線性樹脂組成物は、樹脂成分として、酸発生基含有樹脂のみを含有するものである。
摘要翻译：适用于通过电子束，X射线或极紫外线形成精细图案的图案形成方法; 并且其中使用具有辐射敏感性酸产生基团的辐射敏感性树脂组合物和树脂。在这种图案形成方法中，通过用光化射线或径向射线照射，在辐射敏感性树脂组合物中含有作为树脂成分的具有辐射敏感性的酸产生基团的树脂产生酸，其中含有辐射敏感性酸产生基团，并且不含有通过酸作用产生羟基或羧基的基团，使得具有辐射敏感性酸产生基团的树脂在显影剂中的溶解度增加，从而形成抗蚀剂图案。该辐射敏感性树脂组合物是仅含有产生酸基的树脂作为树脂成分的树脂组合物。

4. 发明申请

WO2008029673A1 感放射線性組成物及びそれに用いられる低分子量化合物の製造方法审中-公开
标题翻译：辐射敏感性组合物及其制备低分子化合物的方法
公开(公告)号：WO2008029673A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/066644
申请日：2007-08-28
申请人： JSR株式会社 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之
发明人：松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/0045
摘要：　（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸解離性基、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生基を、一分子中にそれぞれ一以上有する、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）が５００～４０００である低分子量化合物と、（Ｂ）溶剤と、を含有する感放射線性組成物である。
摘要翻译：一种辐射敏感性组合物，其包含：（A）每分子具有一个或多个酸解离基团的低分子化合物，其通过酸的作用分解以增强在碱性显影溶液中的溶解度和一种或多种辐射 - 通过凝胶渗透色谱法（GPC）测定的聚苯乙烯换算的数均分子量（Mn）为500-4,000，通过光化射线或辐射照射产生酸的敏感性产酸基团; 和（B）溶剂。

5. 发明申请

WO2007094436A1 酸解離性基含有化合物及び感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：含酸分子的化合物和辐射敏感性组合物
公开(公告)号：WO2007094436A1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/JP2007/052784
申请日：2007-02-15
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 松村信司 , 丸山研
发明人：清水大輔 , 甲斐敏之 , 松村信司 , 丸山研
IPC分类号： C07C43/23 , C07C69/734 , C07C69/96 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C43/23 , C07C69/734 , C07C69/96 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要：　電子線または極紫外線に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、感度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ、安定して形成することが可能なレジスト膜を得ることができるものであり、（ａ）２～５個の水酸基を有し、２～５個の芳香環を有するとともに、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が２９０～６００である前駆体化合物の前記水酸基の少なくとも一つを酸解離性基に置換した、レジスト膜の形成に用いられる酸解離性基含有化合物と、（ｂ）放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、を含有する感放射線性組成物。
摘要翻译：本发明提供一种可形成对电子束或极紫外光有效敏感的抗蚀剂膜的辐射敏感性组合物，其粗糙度，耐蚀刻性和灵敏度优异，可以以高精度和稳定的方式形成精细图案。辐射敏感性组合物包含（a）用于抗蚀剂膜形成的酸解离基团的化合物，其通过用酸解离基团取代含有2-5个羟基的前体化合物中的至少一个羟基基团和2至5个芳环，并且通过使用聚苯乙烯标准品的凝胶渗透色谱法（GPC）测量的重均分子量为290至600，和（b）辐射照射时产生酸的辐射敏感酸产生剂。

6. 发明申请

WO2009022540A1 化合物及び感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：化合物和辐射敏感组合物
公开(公告)号：WO2009022540A1
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/JP2008/063653
申请日：2008-07-30
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C69/736 , C07C69/96 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/736 , C07C43/23 , C07C2603/92 , G03F7/0392
摘要：　下記一般式（１）で表される化合物。
摘要翻译：公开了由以下通式（1）表示的化合物。

7. 发明申请

WO2008066011A1 ポジ型感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法审中-公开
标题翻译：积极的辐射敏感性树脂组合物和图案形成方法
公开(公告)号：WO2008066011A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/072794
申请日：2007-11-27
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 松村信司 , 甲斐敏之
发明人：清水大輔 , 松村信司 , 甲斐敏之
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：　ナノエッジラフネス、エッチング耐性、感度、および解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。感放射線性酸発生剤（Ａ）と、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）とを含み、感放射線性酸発生剤（Ａ）は、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とを含む混合酸発生剤であり、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とは同一のカチオンを有し、上記酸発生剤（Ａ１）は、常圧における沸点が１５０°C以上のカルボン酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（１）で表され、上記酸発生剤（Ａ２）は、カルボン酸以外の酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（２）で表され、上記樹脂（Ｂ）は、下記繰り返し単位（ｉ）、下記繰り返し単位（ｉｉ）および下記繰り返し単位（ｉｉｉ）を含む。 M + RCOO - (1) M + X - (2) Ｍ＋は１価のオニウムカチオンであり、Ｒは１価の有機基であり、Ｘ－は１価のアニオンである。
摘要翻译：公开了纳米边缘粗糙度，耐蚀刻性，灵敏度和分辨率优异的正型辐射敏感性树脂组合物，能够稳定地形成高精度的精细图案。具体公开了含有辐射敏感性酸产生剂（A）和含有酸分解性基团的树脂（B）的正性辐射敏感性树脂组合物。辐射敏感性酸产生剂（A）是含酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）的混合酸发生剂，酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）具有相同的阳离子。酸产生剂（A1）由下式（1）表示，并且当辐射照射时产生沸点在常压下不低于150℃的羧酸。酸产生剂（A2）由下述式（2）表示，当用辐射照射时，产生除羧酸以外的酸。树脂（B）含有下面的重复单元（i），下面的重复单元（ii）和下面的重复单元（iii）。（2）在上述式中，M + 表示单价鎓阳离子; R表示一价有机基团; 而X - 表示一价阴离子。

8. 发明申请

WO2008015969A1 パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：形成图案的方法，形成上层膜的组合物和形成下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2008015969A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064756
申请日：2007-07-27
申请人： JSR株式会社 , 杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：杉田光 , 松村信司 , 清水大輔 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/265
摘要：　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。
摘要翻译：适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。

9. 发明申请

WO2009016984A1 化合物及びその製造方法审中-公开
标题翻译：化合物及其制造方法
公开(公告)号：WO2009016984A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063069
申请日：2008-07-18
申请人： JSR株式会社 , 丸山研 , 清水大輔 , 西村幸生 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：丸山研 , 清水大輔 , 西村幸生 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C35/22 , C07C29/20 , C07C37/20 , C07C39/12 , C08G61/00 , G03F7/039
CPC分类号： C07C37/20 , C07C35/44 , C07C39/17 , C07C2603/92 , C08L61/12 , G03F7/0397
摘要：　高精度にかつ安定して微細パターンを形成可能なレジスト膜を形成できることに加え、塗布性に優れた感放射線性組成物の材料である化合物であり、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物を縮合反応させ、水素添加して得られる化合物。
摘要翻译：公开了作为能够形成能够以高精度稳定地形成精细图案的抗蚀剂膜的具有优异涂布性的辐射敏感性组合物的化合物。具体公开的是通过使下述通式（1）表示的化合物和下述通式（2）表示的化合物进行缩合反应而进行氢化而得到的化合物。

10. 发明申请

WO2008084786A1 化合物及び感放射線性組成物审中-公开
标题翻译：化合物和辐射敏感组合物
公开(公告)号：WO2008084786A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/JP2008/050083
申请日：2008-01-08
申请人： JSR株式会社 , 清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
发明人：清水大輔 , 丸山研 , 甲斐敏之 , 下川努
IPC分类号： C07C43/23 , C07C39/17 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C07C39/17 , C07C43/23 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122
摘要：　電子線等に有効に感応し、低ラフネス等に優れ、微細パターンを高精度かつ安定して形成可能なレジスト膜を成膜できる感放射線性組成物の材料である化合物であり、下記一般式（１）で表される化合物。
摘要翻译：公开了以下通式（1）表示的化合物，其为能够形成对电子束等有效敏感的抗蚀剂膜的放射线敏感性组合物的原料，并且具有优异的低粗糙度等同时能够以高精度稳定地形成精细图案。

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