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    • 6. 发明申请
    • パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物
    • 形成图案的方法,形成上层膜的组合物和形成下层膜的组合物
    • WO2008015969A1
    • 2008-02-07
    • PCT/JP2007/064756
    • 2007-07-27
    • JSR株式会社杉田 光松村 信司清水 大輔甲斐 敏之下川 努
    • 杉田 光松村 信司清水 大輔甲斐 敏之下川 努
    • G03F7/26G03F7/075G03F7/11G03F7/38
    • G03F7/11G03F7/0045G03F7/0757G03F7/265
    •  電子線(以下、EBと略称する)、X線、極紫外線(以下、EUVと略称する)による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、(1)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、(2)マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、(3)前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、(4)前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、(5)前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。
    • 适合于用电子束(以下简写为EB),X射线或极紫外(以下简称为EUV)形成精细图案的图案形成方法。 该方法按以下顺序包括以下步骤:(1)在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜,该下层膜产生酸,并固化; (2)通过掩模对下层膜照射辐射的步骤,以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; (3)在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜,其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; (4)在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和(5)除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。