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热词
    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR REGELUNG EINES LASERS
    • 方法和装置控制激光
    • WO2003017441A1
    • 2003-02-27
    • PCT/DE2001/003468
    • 2001-09-05
    • INFINEON TECHNOLOGIES AGAURACHER, FranzSCHOLZ, Robert
    • AURACHER, FranzSCHOLZ, Robert
    • H01S5/0683
    • H01S5/06832H01S5/0427H01S5/0617
    • Der Arbeitspunkt eines durch ein Datensignal modulierbaren Lasers soll geregelt werden. Der Arbeitspunkt des Lasers (1) wird dadurch geregelt, daß ein Gleichstrom, der den Laser (1) durchfließt, gesteuert wird, wobei der Gleichstrom mit optischen Eigenschaften des Lasers korreliert. Zur Regelung wird der Gleichstrom (IBIAS) oberhalb eines veränderlichen Schwellstromes (Ith) gesteuert, so daß die möglichen Arbeitspunkte des Lasers (1) für einen Gleichstrom größer als der Schwellstrom wählbar sind. Zur Regelung des Arbeitspunktes wird ein aus der Differenz des Gleichstromes und des Schwellstromes definierter Differenzstrom (Idiff) oder eine zum Differenzstrom (Idiff) korrelierende Größe auf einen konstanten oder lediglich von der Temperatur abhängigen Wert geregelt.
    • 要控制由数据信号的激光可调制的工作点。 激光器(1)的工作点被调节在一个直流电,流过激光器(1)控制,其特征在于,所述直流电流与激光的光学性质相关。 用于调节上述可变的阈值电流(Ith时)被控制的直流电流(I BIAS),使得激光(1)的可能的工作点是更大的用于直流作为所选择的阈值。 为了控制工作点由直流电流和阈值电流差电流(IDIFF)或以差动电流(I DIFF)的差来定义被调节到一定的大小相关联或纯粹依赖于温度值。
    • 3. 发明申请
    • REFERENZELEKTRODENANORDNUNG FÜR EINEN POTENTIOMETRISCHEN SENSOR UND POTENTIOMETRISCHER SENSOR MIT REFERENZELEKTRODENANORDNUNG
    • 参考电极排列,电位传感器和电位传感器参考电极装置
    • WO2007023031A1
    • 2007-03-01
    • PCT/EP2006/064217
    • 2006-07-13
    • ENDRESS+HAUSER CONDUCTA GESELLSCHAFT FÜR MESS- UND REGELTECHNIK MBH+CO. KGSCHOLZ, KatrinFRANZHELD, ReinerSCHOLZ, Robert
    • SCHOLZ, KatrinFRANZHELD, ReinerSCHOLZ, Robert
    • G01N27/403
    • G01N27/4035G01N27/401
    • Eine Referenzelektrodenanordnung, umfasst einen Behälter (54), der mit einem Referenzelektrolyten befüllt ist; einen elektrischen Leiter (55) der mit dem Referenzelektrolyten in dem Behälter in elektrischem Kontakt ist, um ein Referenzpotential abzuleiten; und einen Stromschlüssel (56) in einer Wand des Behälters, wobei die Referenzelektrodenanordnung einen zweiten Behälter (58) aufweist, der Stromschlüssel (56) in einem von dem zweiten Behälter umgebenen Volumen angeordnet ist, und der zweite Behälter eine erste Öffnung (59) und eine zweite Öffnung (60) aufweist, die jeweils mit einem Volumen außerhalb des ersten und des zweiten Behälters kommunizieren, wobei ferner zumindest die erste Öffnung (59) mit einem Volumen kommuniziert welches die Referenzelektrodenanordnung umgibt. Eine Einstabmesskette, umfasst eine pH-Messzelle sowie eine erfindungsgemäße Referenzelektrodenanordnung, wobei ein Messzellenglasrohr (51) zumindest abschnittsweise von dem ersten Behälter (54) der Referenzelektrodenanordnung umgeben ist, und die pH-Membran (52) außerhalb des zweiten Behälters (58) angeordnet ist.
    • 参比电极组件,包括填充有一个参比电解质的容器(54); 其被连接到参比电解质容器中的电导体(55)电接触,以导出的参考电势; 和在所述容器的壁,其中所述参考电极组件的第二容器(58),电源开关键(56)布置在由所述第二容器容积包围的区域中的电源键(56),并具有第一开口(59)的第二容器和 具有第二开口(60),每一个与所述第一和第二容器外部的空间连通,进一步地,其中,至少所述第一开口(59)与围绕参考电极组件的体积连通。 是一个复合电极,其特征在于所述第二容器的外部的pH测量单元和根据本发明,其中,测量单元玻璃管(51)至少在从所述参考电极组件的第一容器(54)的部分被包围的参考电极组件,并且pH膜(52)(58),其设置 ,
    • 7. 发明申请
    • HALBLEITERSENSOR MIT FRONTSEITIGER KONTAKTIERUNG
    • 使其正面接触半导体传感器
    • WO2004059311A1
    • 2004-07-15
    • PCT/EP2003/013839
    • 2003-12-06
    • ENDRESS + HAUSER CONDUCTA GMBH+CO. KGPECHSTEIN, TorstenSCHOLZ, Robert
    • PECHSTEIN, TorstenSCHOLZ, Robert
    • G01N27/414
    • G01N27/414H01L2924/0002H01L2924/00
    • Eine ionensensitive Sensoranordnung umfasst einen Halbleiterchip 1 mit einer ersten Oberfläche, welche einen mediensensitiven Bereich (4) und mindestens eine erste elektrische Kontaktfläche (2, 3) aufweist, und einen Träger (6), mit einer zweiten Oberfläche, welche der ersten Oberfläche des Halbleiterchips (1) zugewandt ist, eine Öffnung (7) aufweist, welche mit dem sensitiven Bereich (4) fluchtet, und mindestens eine zweite elektrische Kontaktfläche (8, 9), welche mit der mindestens einen ersten elektrischen Kontaktfläche (2,3) überlappt bzw. fluchtet, wobei zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip ein (vorzugsweise elastischer) anisotroper Leiter (5) angeordnet ist, der eine leitende Verbindung zwischen der mindestens einen ersten und der mindestens einen zweiten Kontaktfläche herstellt, und welcher eine durchgehende Öffnung aufweist, die mit der Öffnung (7) in der zweiten Oberfläche fluchtet, so dass der sensitive Bereich (4) des Halbleiterchips (1) durch die Öffnung mit einem Analyten beaufschlagbar ist, wobei der (vorzugsweise elastische) anisotrope Leiter (5) den Bereich ausserhalb der Öffnung (7) gegen Kontamination mit dem Analyten abdichtet.
    • 离子敏感的传感器装置包括具有其具有媒体敏感区(4)和至少一个第一电接触表面的第一表面的半导体芯片1(2,3)和一支承件(6),具有第二表面,其中所述半导体芯片的所述第一表面 (1)面向,具有开口(7),是平齐其敏感区域(4),和至少一个第二电接触表面(8,9),其与所述至少一个第一电接触表面重叠(2.3)或 。对齐,其特征在于,一个(优选弹性的)各向异性导电体(5)被布置在载体和半导体芯片,该至少一个第一和产生至少一个第二接触表面之间的导电连接,并且之间具有通过开口与连通 在第二表面中开口(7)对齐,使得敏感区域(4)的半导体芯片(1)由Öffnun的 克可根据与分析物,其中所述(优选弹性的)各向异性导电体(5)密封所述开口(7)防止污染与分析物之外的区域采取行动。