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1. 发明申请

WO2009123172A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：WO2009123172A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056611
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、　透光性基板上に、多層構造の薄膜を有し、　前記薄膜の最上層は、クロムと、窒素、酸素および炭素のうち少なくとも一つとを含む材料からなるアモルファス構造であるフォトマスクブランク。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，用于制造施加ArF准分子激光的光掩模。光掩模坯料在半透明基材上具有非晶结构的薄多层膜。薄膜的最上层包括包含铬和以下至少一种的成分：氮，氧和碳。

2. 发明申请

WO2009123171A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电隔离层的方法
公开(公告)号：WO2009123171A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056610
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって；透光性基板上に遮光膜を有し；前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し；遮光膜全体の膜厚が７０ｎｍ以下であり；裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し；表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し；遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し；遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の４５％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：提供了一种用于制造施加了ArF准分子激光束的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料的特征在于在透光基板上具有遮光膜，其中遮光膜具有层叠结构，其中后表面防反射层，遮光层和前表面抗反射层依次从靠近透光基板的一侧，整个遮光膜的厚度为70nm以下，背面防反射层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度，前表面防反射层由膜并且具有第三蚀刻速率，遮光层由包含与后表面抗反射层或前表面抗反射层中所含的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率，第三蚀刻范围，遮光层的厚度为整个Li的厚度的45％以下屏蔽膜。

3. 发明申请

WO2009123166A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123166A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056603
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/50
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种在半透明基板上具有多层遮光膜的光掩模坯料，所述遮光膜的最表面层包含CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

4. 发明申请

WO2009123170A1 フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK和制造光电隔离层的方法
公开(公告)号：WO2009123170A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056608
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：　ＡｒＦエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、透光性基板上に遮光膜を有し、前記遮光膜は、透光性基板に近い側から裏面反射防止層、遮光層および表面反射防止層が順に積層された積層構造を有し、遮光膜全体の膜厚が６０ｎｍ以下であり、裏面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度を有し、表面反射防止層は、金属を含有する膜からなり、第３のエッチング速度を有し、遮光層は、裏面反射防止層または表面反射防止層に含まれる金属と同じ金属を含有する膜からなり、第１のエッチング速度および第３のエッチング速度よりも遅い第２のエッチング速度を有し、遮光層の膜厚は、遮光膜全体の膜厚の３０％以下であることを特徴とするフォトマスクブランク。
摘要翻译：提供了一种用于制造施加了ArF准分子激光束的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料的特征在于在透光基板上具有遮光膜，其中遮光膜具有层叠结构，其中后表面防反射层，遮光层和前表面抗反射层依次从靠近透光基板的一侧，整个遮光膜的厚度为60nm以下，后表面防反射层由含有金属的膜构成，具有第一蚀刻速度，前表面防反射层由膜并且具有第三蚀刻速率，遮光层由包含与后表面抗反射层或前表面抗反射层中所含的金属相同的金属的膜构成，并且具有比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率，第三蚀刻范围，遮光层的厚度为整个Li的厚度的30％以下屏蔽膜。

5. 发明申请

WO2009123167A1 フォトマスクブランクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：照相机空白及其制造方法
公开(公告)号：WO2009123167A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056604
申请日：2009-03-31
申请人： HOYA株式会社 , 岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　透光性基板上に複数の層からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、その最も表面にある層がＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＣまたはＣｒＯＣＮからなり、前記遮光膜の表面部の原子数密度が９～１４×１０２２ａｔｍｓ／ｃｍ３であるフォトマスクブランク
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料，其具有位于半透明基板顶部的多层遮光膜，所述遮光膜的最表面层包括CrO，CrON，CrN，CrOC或CrOCN，并且所述遮光膜的表面具有原子密度为9×1022atms / cm3至14×1022atms / cm3。

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