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1. 发明申请

WO2008084278A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件及形成半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008084278A1
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/IB2007/000582
申请日：2007-01-10
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , EVGUENIY, Stefanov N , DERAM, Ivana , REYNES, Jean-Michel
发明人： EVGUENIY, Stefanov N , DERAM, Ivana , REYNES, Jean-Michel
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/66719 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/42372 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/8083
摘要： A method of forming a semiconductor device having an active area (2) and a termination area (3) surrounding the active area comprises providing a semiconductor substrate (4), providing a semiconductor layer (6) of a first conductivity type over the semiconductor substrate and forming a mask layer (52) over the semiconductor layer. The mask layer (52) outlines at least two portions (54, 56) of a surface of the semiconductor layer: a first outlined portion (54) outlining a floating region (8) in the active area (2) and a second outlined portion (56) outlining a termination region (12) in the termination area (3). Dopants of a second conductivity type are provided to the first (54) and second (56) outlined portions so as to provide a floating region (8) of the second conductivity type buried in the semiconductor layer (6) in the active area (2) and a first termination region (12) of the second conductivity type buried in the semiconductor layer (6) in the termination area (3) of the semiconductor device.
摘要翻译：形成具有有源区域（2）和围绕有源区域的端接区域（3）的半导体器件的方法包括提供半导体衬底（4），在半导体衬底上提供第一导电类型的半导体层（6）以及在所述半导体层上形成掩模层（52）。掩模层（52）概述半导体层的表面的至少两个部分（54,56）：概述有源区域（2）中的浮动区域（8）的第一轮廓部分（54）和第二轮廓部分（56）概述了终止区域（3）中的终止区域（12）。第二导电类型的掺杂剂被提供给第一（54）和第二（56）轮廓部分，以便提供掩埋在有源区域（2）中的半导体层（6）中的第二导电类型的浮动区域（8））和埋在半导体器件的端接区域（3）中的半导体层（6）中的第二导电类型的第一端接区域（12）。

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