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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DECKELS FÜR OPTISCHE MEMS VERPACKUNGEN
    • 一种用于生产COVER FOR光学MEMS封装
    • WO2014049141A1
    • 2014-04-03
    • PCT/EP2013/070246
    • 2013-09-27
    • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
    • LANGA, SergiuDRABE, ChristianSANDNER, Thilo
    • B81C1/00
    • H01L21/3065B81C1/00317G02B26/0833
    • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen Herstellungsverfahren. In einem ersten Schritt wird ein Halbleitersubstrat mit einer Gitterebene bereitgestellt, die nicht symmetrisch und mit einem Winkel α versetzt zu zumindest einem ersten Hauptoberflächenbereich oder einem zweiten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats verläuft, wobei der erste Hauptoberflächenbereich und der zweite Hauptoberflächenbereich parallel zueinander verlaufen. In einem zweiten Schritt wird ausgehend von dem ersten Hauptoberflächenbereich in das Halbleitersubstrat anisotrop geätzt, um eine Ätzstruktur zu erhalten, die in einer Ebene, die senkrecht zu dem ersten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats verläuft, zwei unterschiedliche Ätzwinkel bezüglich des ersten Hauptoberflächenbereichs aufweist. In einem dritten Schritt wird eine Abdeckungsschicht auf den ersten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats angeordnet, so dass die Abdeckungsschicht zumindest bereichsweise an der Ätzstruktur anliegt. In einem vierten Schritt wird das Material des Halbleitersubstrats ausgehend von dem zweiten Hauptoberflächenbereich im Bereich der verformten Abdeckungsschicht abschnittsweise entfernt, so dass die Abdeckungsschicht in zumindest einem Fensterbereich freiliegt.
    • 本发明的实施例提供了制造工艺。 在第一步骤中,在半导体基板上设置有一个晶格面不偏移α对称地和成角度地至少延伸的第一主表面部分或在半导体衬底的第二主表面区域,其中所述第一主表面区域和相互平行的第二主表面的区域。 在第二步骤中从第一主表面区域在半导体衬底蚀刻各向异性以获得蚀刻的结构,在垂直于所述第一主表面区域的平面内所述半导体衬底,其具有相对于所述第一主表面区域中的两个不同的蚀刻角度。 在第三步骤中,覆盖层设置在所述半导体衬底的第一主表面区,使得当施加至少部分地在蚀刻结构的覆盖层。 在第四步骤中,半导体衬底的材料中部分正在进行远离在变形覆盖层的范围内的第二主表面面积,从而使覆盖层中的至少一个窗口区露出。
    • 2. 发明申请
    • MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT
    • 微机械部件
    • WO2012095185A1
    • 2012-07-19
    • PCT/EP2011/050483
    • 2011-01-14
    • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.CONRAD, HolgerSCHENK, HaraldSCHIRRMANN, ChristianSANDNER, ThiloZIMMMER, FabianSCHMIDT, Jan-Uwe
    • CONRAD, HolgerSCHENK, HaraldSCHIRRMANN, ChristianSANDNER, ThiloZIMMMER, FabianSCHMIDT, Jan-Uwe
    • H02N1/00G02B26/08
    • G02B26/0825G02B26/0841H01G5/16H02N1/006H02N1/08H04N1/08
    • Die Kraft auf die Elektroden eines elektrostatischen Feldes wird genutzt, damit laterale Zug- oder Druckkräfte entstehen, die ein verformbares Element (1201) verformen bzw. eine auslenkbare Struktur tief auslenken können. Dazu umfasst ein mikromechanisches Bauelement neben einer Elektrode (301) und einem verformbaren Element (1201) eine isolierende Abstandshalterschicht, über die die Elektrode (301) an dem verformbaren Element fixiert ist, wobei die isolierende Abstandshalterschicht (303) entlang einer lateralen Richtung in mehrere voneinander beabstandete Segmente strukturiert ist, so dass durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen der Elektrode (301) und dem verformbaren Element (1201) laterale Zug- oder Druckkräfte entstehen, die das verformbare Element (1201) entlang der lateralen Richtung verkrümmen. Aufgrund dieser Struktur wird das Problem überwunden, das normalerweise mit elektrostatischen Antrieben einhergeht, nämlich das Problem des Pull-in-Effektes. Erfindungsgemäß kann die Auslenkung des verformbaren Elements also viel größer sein als die Abstände der beiden Elektroden, d. h. der vorerwähnten Elektrode und des verformbaren Elements. Eine Verwendung als Sensor ist ebenfalls möglich.
    • 上形成静电场的电极上的力被使用,所以其变形的可变形构件(1201)和侧向张力或压缩力可以偏转可偏转结构深。 用于此目的另外包括微机械部件的电极(301)和可变形的元件(1201),通过该电极(301)被固定到所述可变形元件中的绝缘隔离物层,其中,在多个相互绝缘间隔层(303)沿横向方向 间隔开的区段被构造成使得侧向张力或压缩力被电极(301)和所述可变形构件(1201),经纱沿横向方向的可变形构件(1201)之间施加电压所产生。 由于这种结构,该问题被克服,这是通常与静电致动器相关联,所述拉入效果的,即该问题。 根据本发明,所述可变形元件的偏转可因此比两个电极,D的距离大得多。 小时。 上述电极和所述可变形构件。 可以用作传感器也是可能的。