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2. 发明申请

WO2022179650A1 VERFAHREN ZUR METALLISIERUNG EINES BAUELEMENTS SOWIE AUF DIESE WEISE HERGESTELLTE BAUELEMENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022179650A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：PCT/DE2021/000204
申请日：2021-12-15
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： DING, Kaining , YU, Jian , HAAS, Stefan
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Bauelementen oder Halbleiterbauelementen, insbesondere von SHJ-Solarzellen, welches folgende Verfahrensschritte umfasst: a) Bereitstellen einer Substratschicht eines Bauelements oder Halbeiterbauelements, insbesondere einer SHJ-Solarzelle, mit einer Vorder- und einer Rückseite, umfassend wenigstens eine kristalline Siliziumschicht als Halbleitermaterial, deren Vorder- und/oder Rückseite mit einer TCO-Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Material beschichtet ist. b) Selektives, lokales Ausbilden einer metallischen Saatschicht durch ein elektrochemisches Reduktionsverfahren, wobei die elektrochemische Reduktion in-situ, selektiv und lokal in den Bereichen der TCO-Schicht ausgeführt wird, die lokal mit einer Energiequelle bestrahlt werden, wodurch das Metall der TCO-Schicht reduziert wird und sich lokal die metallische Saatschicht ausbildet. c) Stromloses Aufbringen eines metallischen Materials für die elektrischen Kontakte auf der zuvor gemäß Schritt b) lokal ausgebildeten Saatschicht. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Bauelement/ Halbleiterbauelement; insbesondere eine SHJ-Solarzelle, umfassend wenigstens eine Silizium-Halbleitersubstratschicht, eine intrinsische amorphe Siliziumschicht, die auf der oberen und unteren Silizium-Halbleitersubstratschicht aufgebracht ist, eine amorphe p-dotierte Siliziumschicht auf der einen Seite der Oberfläche der intrinsischen amorphen Siliziumschicht und eine amorphe n-dotierte Siliziumschicht auf der anderen Seite der Oberfläche der intrinsischen amorphen Siliziumschicht, eine TCO-Schicht auf der Oberfläche der p-dotierten Schicht und der n-dotierten Schicht und Metallelektroden auf der Oberfläche der TCO-Schicht, wobei die Metallelektroden eine elektrisch leitfähige Saatschicht umfassen, die durch elektrochemische Reduktion auf der TCO-Schicht ausgebildet ist.

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