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1. 发明申请

WO2009049943A1 ENTFERNUNG VON POLAREN ORGANISCHEN VERBINDUNGEN UND FREMDMETALLEN AUS ORGANOSILANEN 审中-公开
标题翻译：去除极性有机化合物和外国元素形态的有机硅烷
公开(公告)号：WO2009049943A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/EP2008/060826
申请日：2008-08-19
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MACK, Helmut , MONKIEWICZ, Jaroslaw
发明人： MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MACK, Helmut , MONKIEWICZ, Jaroslaw
IPC分类号： B01D15/08
CPC分类号： B01D15/08
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend Organosilane sowie mindestens eine polare organische Verbindung und/oder mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und anschließendem Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt der organischen polaren Verbindung und/oder des Fremdmetalls und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist sowie eine entsprechende Zusammensetzung in der der Gehalt an polaren organischen Verbindungen und/oder Fremdmetallen auf Spuren vermindert ist, als auch die Verwendung von organischen Harzen, Aktivkohlen, Silikaten und/oder Zeolithen zur Reduzierung der genannten Verbindungen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于处理含有有机硅烷的组合物以及至少一种极性有机化合物和/或至少一种外来金属和/或外来含金属的化合物，其中所述组合物与至少一种吸附剂接触，然后回收该组合物中含有有机极性化合物和/或外来金属和/或外来金属被减少和相应的组合物，其中极性有机化合物和/或外来金属的含量降低到迹线，以及使用有机树脂的含量的化合物，活性炭，硅酸盐和/或沸石所提到的化合物的还原。

2. 发明申请

WO2009049944A1 ENTFERNUNG VON FREMDMETALLEN AUS ANORGANISCHEN SILANEN 审中-公开
标题翻译：异物取出METALS无机硅烷
公开(公告)号：WO2009049944A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/EP2008/060863
申请日：2008-08-20
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , MONKIEWICZ, Jaroslaw , HÖNE, Hans Jürgen , SONNENSCHEIN, Raymund
发明人： RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , MONKIEWICZ, Jaroslaw , HÖNE, Hans Jürgen , SONNENSCHEIN, Raymund
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/046 , B01D53/02 , B01D2253/108 , C01B33/10784
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend anorganische Silane und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit mindestens einem Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt an Fremdmetall und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist sowie eine entsprechende Zusammensetzung mit einem reduzierten Fremdmetallgehalt, als auch die Verwendung von organischen Harzen, Aktivkohlen, Silikaten und/oder Zeolithen zur Reduzierung von Fremdmetallen und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in Zusammensetzungen anorganischer Silane.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于处理含有无机硅烷和至少一种外来金属和/或外来含金属的化合物的组合物，其中所述组合物与至少一种吸附剂接触，并回收组合物，其中外来金属的内容和/或含有化合物的外来金属被还原，并具有降低的外来金属含量的相应组合物，以及外国的金属和/或外来含金属的化合物的无机硅烷的组合物中的还原中使用的有机树脂，活性炭，硅酸盐和/或沸石。

3. 发明申请

WO2011006697A1 VERFAHREN UND VERWENDUNG VON AMINOFUNKTIONELLEN HARZEN ZUR DISMUTIERUNG VON HALOGENSILANEN UND ZUR ENTFERNUNG VON FREMDMETALLEN 审中-公开
标题翻译：方法和胺官能树脂对卤代硅烷的歧化和用于去除外国METALS USE
公开(公告)号：WO2011006697A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/056771
申请日：2010-05-18
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MONKIEWICZ, Jaroslaw , SCHORK, Reinhold
发明人： MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MONKIEWICZ, Jaroslaw , SCHORK, Reinhold
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/107 , C01B33/10773 , C01B33/10784 , C01P2006/80
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dismutierung mindestens eines Halogensilans und Verminderung des Gehaltes von Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung des mindestens einen Halogensilans und des erhaltenen mindestens einen Silans, indem mindestens ein Halogensilan der allgemeinen Formel (I), H n SiCl m , wobei n und m ganzzahlig sind und n = 1, 2 oder 3 und m=1, 2 oder 3 und n + m=4 sind, mit einem partikulären, organischen, aminofunktionellen Harz in Kontakt gebracht wird und mindestens ein Silan der allgemeinen Formel (II), H a SiCl b , wobei a und b ganzzahlig sind und a = 0, 2, 3 oder 4 und b = 0, 1, 2 oder 4 mit a + b= 4 sind, in einem Schritt gewonnen wird, in dem der Gehalt an Fremdmetall und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen gegenüber dem Halogensilan der Formel (I) vermindert ist. Gegenstand der Erfindung ist ferner die Verwendung dieses Harzes zur Dismutierung von Halogensilanen und als Adsorber von Fremdmetallen oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in einem Verfahren zur Herstellung von Monosilan.
摘要翻译：本发明涉及一种用于至少一个卤代硅烷的歧化，并减少外来金属和/或至少一种卤代硅烷的外国含金属化合物，和所获取的至少一个硅烷含量，通过如下通式的至少一种卤代硅烷（I），HnSiClm，其中n和 m是整数且n = 1，2或3，且m = 1，2或3并且n + m = 4，被带入与颗粒接触，有机氨基官能树脂和通式（II）的至少一种硅烷， HaSiClb，其中a和b是整数并且a = 0，2，3或4且b = 0，1，2或4且a + b = 4，在一个步骤，其中外来金属的含量和/获得或化合物的式（I）的卤代硅烷外国含金属的降低。本发明还提供了一种用于卤代硅烷的歧化和外国的金属或包含在用于生产甲硅烷的方法化合物外来金属的吸附剂利用该树脂。

4. 发明申请

WO2011006695A1 ENTFERNUNG VON FREMDMETALLEN AUS ANORGANISCHEN SILANEN 审中-公开
标题翻译：异物取出METALS无机硅烷
公开(公告)号：WO2011006695A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/056714
申请日：2010-05-17
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MONKIEWICZ, Jaroslaw
发明人： MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , MONKIEWICZ, Jaroslaw
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10784 , C01P2006/80
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Zusammensetzung, enthaltend mindestens ein anorganisches Silan und mindestens ein Fremdmetall und/oder eine Fremdmetall enthaltende Verbindung, wobei die Zusammensetzung mit einem organischen, aminofunktionellen, polymeren Adsorptionsmittel in Kontakt gebracht wird und Gewinnen der Zusammensetzung, in der der Gehalt an Fremdmetall und/oder der Fremdmetall enthaltenden Verbindung vermindert ist sowie die Verwendung des Adsorptionsmittels zur Reduzierung von Fremdmetallen und/oder Fremdmetall enthaltenden Verbindungen in Zusammensetzungen anorganischer Silane.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于处理含有至少一种无机硅烷和至少一种外来金属和/或外来含金属的化合物的组合物，其中所述组合物接触与有机氨基官能，聚合物吸附剂并回收组合物，其中外来含金属和/或外来金属化合物的含量减少和外国的金属和/或外来含金属的化合物的无机硅烷的组合物中的还原中使用的吸附剂的。

5. 发明申请

WO2005080629A2 SILICON COMPOUNDS FOR PRODUCING SiO2-CONTAINING INSULATING LAYERS ON CHIPS 审中-公开
标题翻译：用于生产含二氧化硅的绝缘层的硅化合物
公开(公告)号：WO2005080629A2
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/EP2004/053669
申请日：2004-12-22
申请人： DEGUSSA AG , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , KLEIN, Harald , MONKIEWICZ, Jaroslaw , SAVVOPOULOS, Iordanis
发明人： MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , KLEIN, Harald , MONKIEWICZ, Jaroslaw , SAVVOPOULOS, Iordanis
IPC分类号： C23C16/40
CPC分类号： C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/31612

6. 发明申请

WO2014173574A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON OCTACHLORTRISILAN 审中-公开
标题翻译：方法和制造装置中八氯三硅烷
公开(公告)号：WO2014173574A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/054127
申请日：2014-03-04
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , MOUSSALLEM, Imad
发明人： LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , MOUSSALLEM, Imad
IPC分类号： C01B33/03 , C01B33/107 , B01J19/08
CPC分类号： C01B33/107 , B01J19/087 , B01J19/088 , B01J2219/0875 , B01J2219/0883 , B01J2219/0898 , C01B33/03 , C01B33/10773
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur gezielten Herstellung von Octachlortrisilan aus monomeren Chlorsilanen, indem die Chlorsilane einem thermischen Plasma ausgesetzt werden.
摘要翻译：本发明通过使氯硅烷的热等离子体涉及用于目标生产单体氯硅烷的八氯三硅烷的方法和装置。

7. 发明申请

WO2014173569A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON POLYSILANEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备用于生产聚硅烷
公开(公告)号：WO2014173569A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/053943
申请日：2014-02-28
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard
发明人： LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard
IPC分类号： B01J12/00 , C01B33/04 , C07F7/02
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/00038 , B01J2219/0805 , B01J2219/0847 , B01J2219/0849 , B01J2219/0883 , C01B33/04 , C07F7/0801 , C07F7/0805 , Y02P20/582
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Polysilanen durch Umsetzung von Monosilan in Gegenwart von Wasserstoff in einem Plasma sowie eine Anlage zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及一种通过在氢气等离子体中的存在，以及用于执行该方法的植物甲硅烷反应制备聚硅烷的方法。

8. 发明申请

WO2014095220A1 VERFAHREN ZUR AUFBEREITUNG FEINTEILIGER FESTSTOFFE BEI DER HERSTELLUNG VON CHLORSILANEN 审中-公开
标题翻译： FOR加工方法中的氯硅烷的制造细碎固体
公开(公告)号：WO2014095220A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/074376
申请日：2013-11-21
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MARINAS PÉREZ, Janaina , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , KROPFGANS, Frank
发明人： MARINAS PÉREZ, Janaina , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , KROPFGANS, Frank
IPC分类号： C01B33/00 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/00 , C01B33/107 , C01B33/10742 , C08K11/005
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Aufbereitung feinteiliger Feststoffe bei der Herstellung von Chlorsilanen, das dadurch gekennzeichnetist, dass die feinteiligen Feststoffe zu Körpern erhöhter Dichte hydraulisch gepresst werden.Außerdem ist Gegenstand der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltene Pressling, der durch einen Füllfaktor der hydraulisch zu pressenden feinteiligen Feststoffe von 3,9 bis 4,5 gekennzeichnet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在氯硅烷的制备中制备细碎固体，其特征在于，所述细碎固体被werden.Außerdem液压压制以由本发明的方法获得，所述要由液压填充因数中的一个的成形体的高密度化的主题体的方法按压细碎固体，其特征在于从3.9至4.5。

9. 发明申请

WO2013007426A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG HÖHERER SILANE MIT VERBESSERTER AUSBEUTE 审中-公开
标题翻译：用于生产效率提高高次硅烷
公开(公告)号：WO2013007426A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/059027
申请日：2012-05-15
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard
发明人： LANG, Jürgen Erwin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J19/12 , C01B33/107 , C01G17/04
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan oder Ge2CI6, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass in einem Gas, das SiCI 4 oder GeCI 4 enthält, a) ein nichtthermisches Plasma mittels einer Wechselspannung der Frequenz f erzeugt wird, und wobei in das Plasma zumindest ein elektromagnetischer Impuls mit der Repetierrate g eingekoppelt wird, dessen Spannungskomponente eine Flankensteilheit in der ansteigenden Flanke von 10 V ns -1 bis 1 kV ns -1 , und eine Pulsbreite b von 500 ns bis 100 μs aufweist, wobei eine flüssige Phase erhalten wird, und b) aus der flüssigen Phase reines Hexachlordisilan oder Ge 2 Cl 6 gewonnen wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备六氯乙硅烷或Ge2CI6的，其特征在于：包括，一气体的SiCl 4或GeCl 4的在一个过程中，a）非热等离子体是由交变电压的频率的装置生成的F，并且其中至少一个电磁到等离子体脉冲被耦合以重复频率克，具有在10 V NS-1到1千伏NS-1的上升边缘的边缘陡度，以及脉冲宽度b 500-100微秒，电压成分纳秒其中获得和b的液相）从液相纯或六氯二硅烷Ge2Cl6回收。

10. 发明申请

WO2012139807A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHLORSILANEN MITTELS HOCHSIEDENDER CHLORSILANE ODER CHLORSILANHALTIGER GEMISCHE 审中-公开
标题翻译：用于生产氯硅烷意味着高沸点氯硅烷或氯硅烷混合工
公开(公告)号：WO2012139807A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2012/053368
申请日：2012-02-28
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , SCHORK, Reinhold
发明人： MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig , SCHORK, Reinhold
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10742 , C01B33/10715
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen der allgemeinen Formel H 4-n SiCl n mit n = 1, 2, 3, und/oder 4, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass in einem Reaktor Silizium in einer Siliziumschüttung mit Cl 2 oder HCl, und zumindest einer Silizium enthaltenden Verbindung umgesetzt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备通式H4-nSiCln的氯硅烷，其中n = 1，2，3和/或4，其特征在于，在硅本体与Cl 2或HCl的反应器中硅的方法，以及至少一个含硅化合物反应。

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