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    • 3. 发明申请
    • DISPOSITIF DE CONNEXION POUR CIRCUIT INTÉGRÉ
    • 用于集成电路的连接装置
    • WO2010010162A1
    • 2010-01-28
    • PCT/EP2009/059522
    • 2009-07-23
    • EM Microelectronic-Marin SATHÉODULOZ, YvesJAEGGI, HugoPLAVEC, Lubomir
    • THÉODULOZ, YvesJAEGGI, HugoPLAVEC, Lubomir
    • H03K19/00
    • H03K19/00315H03K19/0027H03K19/018521
    • Le dispositif de connexion (1 ) d'un circuit intégré permet de connecter un composant externe. Le circuit intégré est alimenté par une tension d'alimentation (V DD ) et une partie du circuit fonctionnant à l'aide d'au moins une tension régulée interne (V REG ). Le dispositif de connexion comprend deux transistors actifs (N1, P1 ) de conductivité différente montés en série entre la tension d'alimentation (V DD ) et la masse (V SS ). Les drains de ces deux transistors actifs (N1, P1 ) sont reliés ensemble de sorte à former une plage de contact externe (2). Les grilles de ces transistors actifs sont commandées par des signaux de tension ayant une même amplitude (V esd ). Le dispositif de connexion comprend en outre des moyens de commutation (3) permettant de modifier les signaux de commande (V esd ) appliqués sur les grilles des transistors actifs, sans dépasser la plus grande des tensions entre la tension d'alimentation (V DD ) ou la tension régulée interne (V REG ). Ceci permet d'adapter le domaine de tension dudit circuit intégré à un composant externe connecté à la plage de contact externe (2).
    • 本发明涉及一种用于连接外部组件的集成电路的连接装置(1)。 集成电路由电源电压(VDD)供电,电路的一部分使用至少一个内部调节电压(VREG)运行。 连接装置包括具有不同导电性的两个有源晶体管(N1,P1)并串联安装在电源电压(VDD)和地(VSS)之间。 两个有源晶体管(N1,P1)的漏极连接在一起以形成外部接触焊盘(2)。 有源晶体管的栅极由具有相同幅度(Vesd)的电压信号控制。 连接装置还包括用于修改施加到有源晶体管的栅极的控制信号(Vesd)而不超过电源电压(VDD)或内部稳定电压(VREG)的最高电压的开关装置(3)。 因此,可以将所述集成电路的电压域适配到连接到外部接触焊盘(2)的外部部件。