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1. 发明申请

WO2009120353A2 SEMICONDUCTOR BURIED GRATING FABRICATION METHOD 审中-公开
标题翻译：半导体埋入式光栅制作方法
公开(公告)号：WO2009120353A2
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/US2009/001889
申请日：2009-03-27
申请人： CORNING INCORPORATED , LI, Yabo , SONG, Kechang , VISOVSKY, Nicholas, J. , ZAH, Chung-en
发明人： LI, Yabo , SONG, Kechang , VISOVSKY, Nicholas, J. , ZAH, Chung-en
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0005 , G02B6/124 , G02B6/136 , H01S5/12
摘要： Methods for forming grating profiles in semiconductor laser structures comprise the steps of providing a semiconductor wafer comprising a wafer substrate, an etch stop layer disposed over the wafer substrate, a grating layer disposed over the etch stop layer, an etch mask layer disposed over the grating layer, and a photoresist layer disposed over the etch mask layer, forming a photoresist grating pattern, transferring the photoresist grating pattern into the grating layers via dry etching, and removing the photoresist layer, selectively wet etching the grating layer to form the grating profile in the grating layer. The placement of the grating layer between the etch mask and etch stop layers controls the selective wet etching step. The method also comprises removing the etch mask layer via selective wet etching without altering the grating profile, and regrowing an upper cladding layer to produce the semiconductor laser structure.
摘要翻译：用于在半导体激光器结构中形成光栅轮廓的方法包括以下步骤：提供包括晶片衬底的半导体晶片，设置在晶片衬底上的蚀刻停止层，设置在蚀刻停止层上的光栅层，设置在所述光栅层上的蚀刻掩模层和设置在所述蚀刻掩模层上方的光致抗蚀剂层，形成光刻胶光栅图案，通过干法蚀刻将所述光刻胶光栅图案转移到所述光栅层中，以及去除所述光致抗蚀剂层，光栅层以在光栅层中形成光栅轮廓。在蚀刻掩模和蚀刻停止层之间的光栅层的放置控制了选择性湿法蚀刻步骤。该方法还包括通过选择性湿法蚀刻去除蚀刻掩模层而不改变光栅轮廓，并再生长上包层以产生半导体激光器结构。

2. 发明申请

WO2009045394A1 QUANTUM WELL INTERMIXING 审中-公开
公开(公告)号：WO2009045394A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2008/011306
申请日：2008-09-30
申请人： CORNING INCORPORATED , LI, Yabo , SONG, Kechang , ZAH, Chung-En
发明人： LI, Yabo , SONG, Kechang , ZAH, Chung-En
IPC分类号： H01L21/18 , H01S5/34 , H01L21/324
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y20/00 , H01L21/02546 , H01L21/02664 , H01L29/205 , H01S5/3414
摘要： Embodiments of a method of quantum well intermixing (QWI) comprise providing a wafer (1) comprising upper and lower epitaxial layers (10, 13), which each include barrier layers, and a quantum well layer (11) disposed between the upper and lower epitaxial layers (10, 13), applying at least one sacrificial layer (21) over the upper epitaxial layer, and forming a QWI enhanced region and a QWI suppressed region by applying a QWI enhancing layer (31) over a portion of the sacrificial layer, wherein the portion under the QWI enhancing layer (31) is the QWI enhanced region, and the other portion is the QWI suppressed region. The method further comprises the steps of applying a QWI suppressing layer (41) over the QWI enhanced region and the QWI suppressed region, and annealing at a temperature sufficient to cause interdif fusion of atoms between the quantum well layer (11) and the barrier layers of the upper epitaxial layer and the lower epitaxial layer (10, 13).
摘要翻译：量子阱混合（QWI）的方法的实施例包括提供包括上和下外延层（10,13）的晶片（1），每个外延层各自包括阻挡层，以及设置在上和下之间的量子阱层（11）外延层（10,13），通过在牺牲层的一部分上施加QWI增强层（31），在上部外延层上施加至少一个牺牲层（21），并形成QWI增强区域和QWI抑制区域其中QWI增强层（31）下的部分是QWI增强区域，另一部分是QWI抑制区域。该方法还包括以下步骤：在QWI增强区域和QWI抑制区域上施加QWI抑制层（41），并且在足以导致量子阱层（11）和阻挡层（11）之间的原子间隙融合的温度下进行退火的上外延层和下外延层（10,13）。

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