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1. 发明申请

WO2017129810A1 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
标题翻译：光伏电池及制造光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2017129810A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051884
申请日：2017-01-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BOGUMILOWICZ, Yann , DUPRE, Cécilia
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/18 , H01L31/0475
CPC分类号： H01L31/1852 , H01L31/0475 , H01L31/0687 , Y02E10/544
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque et un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comportant: un substrat (1) en silicium; un réseau de murs (8) en matériau diélectrique déposé sur le substrat (1), le réseau de murs (8) en matériau diélectrique définissant des alvéoles (6) de section carrée ou hexagonale, une couche tampon (B) dans chaque alvéole (6); au moins une jonction pn (J1, J2) dans chaque alvéole (6), la jonction pn (J1, J2) étant déposée sur la couche tampon (B), la jonction pn (J1, J2) comportant un matériau semi-conducteur présentant un paramètre de maille différent de celui du silicium, la couche tampon (B) présentant un paramètre de maille identique à celui de la jonction pn (J1, J2) déposée sur cette couche tampon (B); une grille métallique (11) alignée avec au moins une partie des murs (8).
摘要翻译：本发明涉及一种光伏电池和一种解码光伏电池的方法。制造光伏电池，所述光伏电池包括：硅衬底（1）已经移除了由电子材料制成的网络（8）。在基板（1）时，R E桶壁（8）垫é廖二é正方形Dé部的ALVé极（6）的电动Dé结束;在每种ALVDéE或六边形，缓冲层（B） ole（6）; 在至少一个pn结（J1，J2）每个ALVé醇（6）时，pn结（J1，J2）é作为缓冲层（B）时，pn结（J1，J2在德语的POSéê ）具有与硅的网格参数不同的网格参数的半导体材料，所述缓冲层（B）具有相同网格尺寸的参数; 沉积在该缓冲层（B）上的pn结（J1，J2）的结点; 与至少一部分壁（8）对齐的金属栅格（11）。

2. 发明申请

WO2017009218A1 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
标题翻译：光伏电池和制造光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2017009218A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066246
申请日：2016-07-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： DUPRE, Cécilia , BOGUMILOWICZ, Yann
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/054 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L21/02381 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L31/0352 , H01L31/0543 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque et un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comportant : • - un substrat (1) en silicium formant une jonction p-n; • - une couche dite « barrière » (4) en matériau diélectrique transparent, la couche barrière (4) étant déposée sur le substrat (1), la couche barrière (4) étant traversée par plusieurs cavités (5); • - une couche en matériau lll-V (20, 20a, 20b) formant une jonction p-n étant déposée dans chaque cavité (5); • - une couche dite « intercalaire » (9) en matériau diélectrique transparent, la couche intercalaire (9) étant déposée sur la couche barrière (4); • - une couche de microlentilles (10) déposée sur la couche intercalaire (9), la couche de microlentilles (10) comportant plusieurs microlentilles (11), chaque microlentille (11) présentant
摘要翻译：本发明涉及一种光伏电池和一种用于制造光伏电池的方法，包括：形成p-n结的硅衬底（1）; 由透明介电材料制成的所谓“屏障”层（4），所述阻挡层（4）沉积在所述基板（1）上，所述阻挡层（4）具有穿过其的多个凹槽（5）形成在每个凹部（5）中沉积p-n结的III-V材料层（20,20a，20b）; 由透明介电材料制成的所谓“中间”层（9），中间层（9）沉积在阻挡层（4）上; 沉积在中间层（9）上的微透镜层（10），包括多个微透镜（11）的微透镜层（10），每个微透镜（11）具有位于每个凹部（5）中的焦点。

3. 发明申请

WO2013060949A1 PROCÉDÉ DE LISSAGE D'UNE SURFACE PAR TRAITEMENT THERMIQUE 审中-公开
标题翻译：通过热处理来吸收表面的方法
公开(公告)号：WO2013060949A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/FR2012/000436
申请日：2012-10-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： JOUANNEAU, Thomas , BOGUMILOWICZ, Yann
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/18 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/26506 , H01L21/3245 , H01L21/3247 , H01L21/76254
摘要： Le procédé de lissage d'une surface rugueuse (4) d'un premier substrat (3) en un alliage semi-conducteur à base d'au moins deux éléments choisis parmi Ga, As, Al, In, P et N est mis en œuvre en plaçant un second substrat (6) en regard du premier substrat (3) de manière que la surface rugueuse (4) soit disposée en regard d'une surface du second substrat (6). Les premier (3) et second (6) substrats sont séparés d'une distance d au moins égale à 10 μηι, la portion en regard des deux substrats (3, 6) définissant un espace de confinement (5). Le premier substrat (3) est ensuite chauffé dé manière à désorber partiellement un des éléments dudit alliage et atteindre la pression de vapeur saturante de cet élément dans l'espace de confinement (5) et à atteindre une mobilité des atomes de surface suffisante pour réduire la rugosité de la surface rugueuse (4).
摘要翻译：基于选自Ga，As，Al，In，P和N中的至少两种元素，由半导体合金制成的第一基板（3）的粗糙表面（4）的平滑处理通过将第二基板）朝向第一基板（3），使得粗糙表面（4）面对第二基板（6）的表面放置。第一（3）和第二（6）衬底被分开至少10μm的距离，两个衬底（3,6）的面对部分限定了约束空间（5）。然后加热第一衬底（3）以部分地解吸所述合金中的一个元件并达到限制空间（5）中该元件的饱和蒸汽压，并获得足够的表面原子迁移率减少粗糙表面的粗糙度（4）。

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