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1. 发明申请

WO2005003858A2 PHOTOACID GENERATORS 审中-公开
标题翻译：光电发生器
公开(公告)号：WO2005003858A2
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/EP2004/006073
申请日：2004-06-04
申请人： CLARIANT INTERNATIONAL LTD
发明人： HOULIHAN, Francis, M. , TOUKHY, Medhat, A. , MULLEN, Salem, K.
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要： A composition useful for forming a photoresist layer at i-line (365 nm) comprising (a) a film forming resin; (b) a compound represented by the following formula (I) wherein R 1 is a C 1-20 alkyl group, C 6-20 aryl group, or C 6-20 aralkyl group, the C 1-20 alkyl group, C 6-20 aryl group, or C 6-20 aralkyl group being unsubstituted or substituted by one or more groups selected from halogen, C 1-20 alkyl, C 1-8 perfluoroalkyl, C 1-20 alkoxy, cyano, hydroxyl, or nitro; R 2 and R 3 are each independently selected from hydrogen, C 1-8 alkyl, C 1-8 perfluoroalkyl, C 1-8 alkoxy, nitro, halogen, carboxyl, hydroxyl, and sulfate; each of m and n are independently 0 or a positive integer; and X - is a non-nucleophilic anion of an acid; (c) optionally, additives to adjust the optical, mechanical and film forming properties; (d) optionally, a base or radiation sensitive base; and (e) a solvent.
摘要翻译：一种可用于在i线（365nm）处形成光致抗蚀剂层的组合物，其包含（a）成膜树脂; （b）由下式（I）表示的化合物，其中R1是C1-20烷基，C6-20芳基或C6-20芳烷基，C1-20烷基，C6-20芳基或 C6-20芳烷基是未取代的或被一个或多个选自卤素，C 1-20烷基，C 1-8全氟烷基，C 1-20烷氧基，氰基，羟基或硝基的基团取代; R2和R3各自独立地选自氢，C1-8烷基，C1-8全氟烷基，C1-8烷氧基，硝基，卤素，羧基，羟基和硫酸根; m和n各自独立地为0或正整数; 而X - 是酸的非亲核阴离子; （c）任选的调节光学，机械和成膜性质的添加剂; （d）任选地，碱或辐射敏感基质; 和（e）溶剂。

2. 发明申请

WO2004074928A2 PHOTORESIST COMPOSITION FOR DEEP ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于深层超紫外光刻的光电组合物
公开(公告)号：WO2004074928A2
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/EP2004/001194
申请日：2004-02-10
申请人： CLARIANT INTERNATIONAL LTD
发明人： DAMMEL, Ralph, R. , SAKAMURI, Raj , HOULIHAN, Francis, M.
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0046
摘要： The present invention relates to a photoresist composition comprising a photoacid generator and at least one polymer comprising at least one unit as described by structure (1). The invention also relates to a process for imaging the photoresist composition of the present invention, and to a process of making the polymer in the presence of an organic base.
摘要翻译：本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，其包含光致酸产生剂和至少一种包含结构（1）所述的至少一个单元的聚合物。本发明还涉及用于使本发明的光致抗蚀剂组合物成像的方法以及在有机碱存在下制备聚合物的方法。

3. 发明申请

WO2004101490A2 PHOTOACTIVE COMPOUNDS 审中-公开
标题翻译：光化合物
公开(公告)号：WO2004101490A2
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/EP2004/004866
申请日：2004-05-07
申请人： CLARIANT INTERNATIONAL LTD
发明人： RAHMAN, M., Dalil , HOULIHAN, Francis, M.
IPC分类号： C07C149/46
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C381/12 , G03F7/0392
摘要： The present invention relates to a novel photoactive compounds that can be used in formulating photoresist compositions.
摘要翻译：本发明涉及可用于配制光致抗蚀剂组合物的新型光活性化合物。

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