专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2018010887A1 VERFAHREN ZUR MIKROLITHOGRAPHISCHEN HERSTELLUNG MIKROSTRUKTURIERTER BAUELEMENTE, SOWIE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：方法微光刻生产结构的单元和微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2018010887A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/EP2017/063001
申请日：2017-05-30
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , KORB, Thomas , DEGÜNTHER, Markus , ZIMMERMANN, Jörg , FENGLER, Stephanus
发明人： KORB, Thomas , DEGÜNTHER, Markus , ZIMMERMANN, Jörg , FENGLER, Stephanus
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70125 , G03F7/706 , G03F9/7046
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Bei einem Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente werden auf einer Maske befindliche Nutzstrukturen und auf der Maske befindliche Markerstrukturen mit einer Beleuchtungseinrichtung beleuchtet und mit einem Projektionsobjektiv auf einen mit einem Photoresist versehenen Wafer unter Erzeugung entsprechender Markerstrukturbilder und Nutzstrukturbilder abgebildet. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Ermitteln einer Mehrzahl von jeweils unterschiedlichen Zeitpunkten zugeordneten Versatzwerten, wobei jeder dieser Versatzwerte jeweils einen zu dem betreffenden Zeitpunkt durch das Projektionsobjektiv erzeugten Versatz zwischen einem Markerstrukturbild und einem Nutzstrukturbild charakterisiert, und Positionieren der Nutzstrukturbilder in aufeinanderfolgenden Lithographieschritten relativ zueinander auf Basis dieser Versatzwerte.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于微光刻生产微结构元件的和微光刻投射曝光系统的方法。在用于微光刻生产微结构元件的方法有用的结构和位于所述掩模位于标记结构用照明装置照射并且通过投影透镜上设置有光刻胶的晶片一个成像以形成在掩模上相应标记结构的图像和Nutzstrukturbilder。的发明＆AUML;道路有方法包括以下步骤：确定多个从时间偏移值的各自的不同的点，其中在该时间表征值是由投影透镜的标记结构图像和Nutzstrukturbild，和定位Nutzstrukturbilder在之间的偏移产生的每个各自的这些偏移分配基于这些偏移值相对于彼此的连续光刻步骤。

2. 发明申请

WO2021165078A1 VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER OPTISCHEN ANORDNUNG FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE UND OPTISCHE ANORDNUNG FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021165078A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/EP2021/052932
申请日：2021-02-08
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： DINGER, Udo , FENGLER, Stephanus , ZEMANN, Daniel , EHM, Dirk Heinrich , BECKER, Moritz , GRABER, Tina
IPC分类号： B08B7/00 , G03F7/20 , H05G2/00
摘要： Die Offenbarung bezieht sich auf ein Verfahren zum Betreiben einer optischen Anordnung (1 ) für die EUV-Lithographie, umfassend: Erzeugen von EUV- Strahlung (5) bei einer Betriebs-Wellenlänge (λB) im EUV-Wellenlängenbereich mittels einer EUV-Strahlungsquelle (2) der optischen Anordnung (1), sowie Erzeugen eines Plasmas (43) in einem Vakuumgehäuse (27) der optischen Anordnung (1), in dem mindestens ein optisches Element (12) angeordnet ist, durch eine Wechselwirkung der EUV-Strahlung (5) mit einem in dem Vakuumgehäuse (27) enthaltenen Restgas (40), Einstrahlen von Anregungs- Strahlung (31) in das Vakuumgehäuse (27) bei mindestens einer Anregungs- Wellenlänge (λA), die sich von der Betriebs-Wellenlänge (AB) unterscheidet, mittels einer Anregungs-Einrichtung (30), sowie gezieltes Anregen mindestens einer photoinduzierten Reaktion in dem Restgas (40) in dem Vakuumgehäuse (27) durch Ansteuern der Anregungs-Einrichtung (30). Die Offenbarung bezieht sich auch auf eine optische Anordnung (1) für die EUV-Lithographie.

3. 发明申请

WO2021160583A1 PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE MIT EINEM THERMISCHEN MANIPULATOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2021160583A1
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：PCT/EP2021/053029
申请日：2021-02-09
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： FENGLER, Stephanus , FINKEN, Reimar , LOERING, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20
摘要： Eine Projektionsbelichtungsanlage (10, 80) für die Mikrolithographie umfasst ein Projektionsobjektiv (26) zur Projektion von Strukturen einer Maske (12) in eine Substratebene (30) mittels einer Belichtungsstrahlung (18), wobei mindestens ein optisches Element (38, 40, 82) des Projektionsobjektivs (26) mit einem Manipulator (M4, M5) versehen ist, welcher zum gezielten Eintrag von thermischer Energie in das optische Element (38, 40, 82) konfiguriert ist, ohne dabei eines von weiteren optischen Elementen des Projektionsobjektivs wesentlich aufzuheizen. Die Projektionsbelichtungsanlage (10, 80) enthält weiterhin eine Steuerungseinrichtung (56), welche zur Steuerung der Belichtungsstrahlung (18) sowie zur derartigen Steuerung des Manipulators (M4, M5) konfiguriert ist, dass eine Wirkung auf eine optische Eigenschaft des Projektionsobjektivs, welche durch einen aufgrund einer Belichtungspause erfolgenden Rückgang eines thermischen Energieeintrags in das Projektionsobjektiv (26) erfolgt, zumindest teilweise durch den Energieeintrag mittels des Manipulators (M4, M5) ausgeglichen wird. Ferner betrifft die Erfindung ein entsprechendes Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage (10, 80) für die Mikrolithographie.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式