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1. 发明申请

WO2012126585A1 ELEKTRISCHE SCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：电路
公开(公告)号：WO2012126585A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/001112
申请日：2012-03-13
申请人： ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , BIANCUZZI, Giovanni , WISCHKE, Martin , WOIAS, Peter
发明人： BIANCUZZI, Giovanni , WISCHKE, Martin , WOIAS, Peter
IPC分类号： H03K17/22 , H03K19/003
CPC分类号： H03K19/00384 , H03K17/223
摘要： Eine elektrische Schaltung (1) mit einem Eingangsanschluss zum Verbinden mit einer Quellspannung (3) und einem Ausgangsanschluss (5) zum Verbinden mit einem bei Vorliegen einer ausreichenden Eingangsspannung (3) zu speisenden elektrischen Verbraucher (6), weist einen PMOS-Transistor (7) mit einem ersten Gate und einer ersten sowie einen NMOS-Transistor (9) mit einem zweiten Gate und einer zweiten Source-Drain-Strecke auf. Der Eingangsanschluss ist durch einen durch die erste Source-Drain-Strecke führenden Strompfad mit dem Ausgangsanschluss (5) verbunden. Das zweite Gate ist über mindestens ein erstes Spannungsteilerelement (10) mit dem Eingangsanschluss und über wenigstens ein zweites Spannungsteilerelement (11) mit einem Referenzpotentialanschluss (4) verbunden. Das erste Gate ist durch einen durch die zweite Source-Drain-Strecke führenden weiteren Strompfad mit dem Referenzpotentialanschluss (4) verbunden. Der Ausgangsanschluss (5) ist zum Erzeugen einer Schalthysterese über einen Rückkopplungszweig mit dem zweiten Gate verbunden.
摘要翻译：（1）具有用于连接到源极电压（3）以及用于连接到一个以足够的输入电压（3）的存在下，用于提供电负载的输出端（5）（6）包括PMOS晶体管的输入端子（7所述的电气电路），具有第一栅极和第一和具有第二栅极和在第二源极 - 漏极路径的NMOS晶体管（9）。的输入端通过通过电流路径的到输出端（5）在第一源 - 漏通路的领先连接。所述第二栅极通过至少一个第一分压器元件（10）到所述输入端子和至少一个第二分压器元件（11）与基准电位端子（4）连接。第一栅极由穿过另一个电流通路，以基准电位端子（4）的第二源极 - 漏极路径连接。输出端子（5）相连接，以便经由与所述第二栅极的反馈支路产生一个开关滞后。

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