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1. 发明申请

WO2010018961A2 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2010018961A2
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/KR2009/004451
申请日：2009-08-10
申请人： 주식회사 티지솔라 , 이유진 , 장인구 , 김동제 , 장석필 , 이영호 , 이병일 , 장택용
发明人： 이유진 , 장인구 , 김동제 , 장석필 , 이영호 , 이병일 , 장택용
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0392 , H01L31/046 , Y02E10/50
摘要： 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100); 기판(100) 상에 형성되는 하부전극(111a); 하부전극(111a) 상에 형성되며 다수개의 다결정 반도체층(211a, 212a, 213a)이 적층된 다결정 광전소자(210)와, 다결정 광전소자(210) 상에 형성되며 다수개의 비정질 반도체층(221, 222, 223)이 적층된 비정질 광전소자(220)를 포함하는 광전소자부(200a); 및 광전소자부(200a) 상에 형성되는 상부전극(400)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了一种太阳能电池及其制造方法。根据本发明的太阳能电池包括衬底100; 形成在基板100上的下部电极111a; 形成于下部电极（111A），多个多晶半导体层（211A，212A，213A）是形成多晶光电元件（210）的多个非晶半导体层的（221上的沉积的多晶光电元件210的，光电元件部分200a包括其中堆叠有多个非晶态光电元件220,222和223的非晶态光电元件220; 并且在光电元件部分200a上形成上电极400。

2. 发明申请

WO2010021477A2 태양전지모듈 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：WO2010021477A2
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/KR2009/004589
申请日：2009-08-17
申请人： 주식회사 티지솔라 , 이유진 , 김동제 , 장석필 , 이영호 , 이병일 , 장택용
发明人： 이유진 , 김동제 , 장석필 , 이영호 , 이병일 , 장택용
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/03921 , H01L31/0504 , H01L31/076 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 태양전지모듈 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 태양전지가 직렬로 연결된 태양전지모듈에 있어서, 행과 열 방향으로 배열되는 다수개의 태양전지; 및 다수개의 상기 태양전지를 전기적으로 직렬로 연결하는 전도성 리본을 포함하며, 상기 태양전지는 다결정 반도체층으로 구성된 제1 광전소자와 비정질 반도체층으로 구성된 제2 광전소자의 적층구조인 것을 특징으로 하는 태양전지모듈이다.
摘要翻译：公开了一种太阳能电池模块及其制造方法。在本发明中，太阳能电池串联连接的太阳能电池模块包括：排列成行和列的多个太阳能电池，以及将太阳能电池串联电连接的导电带。太阳能电池具有层叠第一光电器件和第二光伏器件的结构，其中第一光伏器件包括多晶半导体层，第二光电器件包括第一光电器件和非晶半导体层。

3. 发明申请

WO2010114278A3 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지 审中-公开
公开(公告)号：WO2010114278A3
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/KR2010/001926
申请日：2010-03-30
申请人： 주식회사 티지솔라 , 이영호 , 이병일 , 이유진 , 김동제
发明人： 이영호 , 이병일 , 이유진 , 김동제
IPC分类号： H01L31/042
摘要： 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지가 개시된다. 본 발명에 따른 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지는 전도성 재질의 기판(100); 기판(100) 상에 형성되되 기판(100) 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층(110); 및 버퍼층(110) 상에 형성되는 배리어층(120)을 포함하는 것을 특징으로 한다.

4. 发明申请

WO2009145531A3 열처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2009145531A3
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/KR2009/002737
申请日：2009-05-25
申请人： 주식회사 티지솔라 , 이병일 , 이유진 , 김동제
发明人： 이병일 , 이유진 , 김동제
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 폴리 실리콘 박막 태양전지의 제조를 위하여 비정질 실리콘을 결정화 하는 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 열처리 장치는 비정질 실리콘층을 제1 온도로 열처리하는 제1 퍼니스(100A); 제1 퍼니스(100A)에서 열처리된 실리콘층을 제2 온도로 열처리하는 제2 퍼니스(100B); 및 제1 퍼니스(100A) 및 제2 퍼니스(100B) 각각에 글래스 기판(10)을 로딩 및 언로딩하고 제1 퍼니스(100A)로부터 제2 퍼니스(100B)에 글래스 기판(10)을 전달하는 이송부(200)를 포함한다.

5. 发明申请

WO2010123292A2 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2010123292A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/KR2010/002523
申请日：2010-04-22
申请人： 주식회사 티지솔라 , 이병일 , 이유진 , 김동제
发明人： 이병일 , 이유진 , 김동제
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/50
摘要： 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지는 다수개의 단위셀 영역(a)을 포함하는 기판(100); 기판(100)의 단위셀 영역(a) 상에 형성되는 하부전극(110); 하부전극(110) 상에 형성되는 연결층(131); 연결층(131) 상에 형성되는 광전소자(200); 및 광전소자(200) 상에 형성되는 상부전극(300)을 포함하되, 상부전극(300)은 단위셀 영역(a)과 이웃하는 다른 단위셀 영역(a) 상에 형성된 하부전극(110) 상의 연결층(131)과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：提供一种太阳能电池及其制造方法。根据本发明的太阳能电池包括：具有多个单元电池区域（a）的基板（100）; 形成在所述基板（100）的所述单电池区域（a）中的一个上的下电极（110）; 形成在下电极（110）上的连接层（131）形成在所述连接层（131）上的光电元件（200）和形成在光电元件（200）上的上电极（300）。上电极（300）电连接到设置在与所述单电池区域（a）相邻的另一单电池区域（a）上形成的下电极（110）上的连接层（131）。

6. 发明申请

WO2010038972A3 소스가스 공급장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2010038972A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/KR2009/005584
申请日：2009-09-30
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 장석필 , 박경완 , 송종호
发明人： 이병일 , 장석필 , 박경완 , 송종호
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 증착챔버 내로 공급하는 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(200)는 소스물질을 가열하여 소스가스를 생성하는 소스가스 생성부(210); 및 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 유입되어 응축되는 소스가스 응축부(240)를 포함하되, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스의 응축량이 포화 응축량에 도달할 때까지 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 진행하여 소스가스 응축부(240)에 소스가스를 응축시키고, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스의 응축량이 포화 응축량에 도달한 이후는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 차단하고 소스가스 응축부(240)에 응축되어 있던 소스가스를 증착챔버(250)로 유입시키는 것을 특징으로 한다.

7. 发明申请

WO2010062144A3 에타크리닉 산을 포함하는 트란스글루타미나제 관련 질환 예방 또는 치료용 조성물 및 그를 이용하는 트란스글루타미나제 관련 질환 예방 또는 치료 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010062144A3
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/KR2009/007057
申请日：2009-11-27
申请人： 국립암센터 , 김수열 , 이창훈 , 이병일 , 정경채
发明人： 김수열 , 이창훈 , 이병일 , 정경채
IPC分类号： A61K31/192 , A61P35/00
摘要： 본 발명은 에타크리닉 산 및 그의 약제학적으로 허용가능한 염을 포함하는 트란스글루타미나제 억제제에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이상 발현의 경우 질병의 병리적 기전에 관여하는 트란스글루타미나제의 작용을 억제하기 위한 에타크리닉 산, 그의 약제학적으로 허용가능한 염을 포함하는 트란스글루타미나제 억제제와 이들의 신규한 용도에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 에타크리닉 산, 그의 약제학적으로 허용가능한 염의 활성성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 트란스글루타미나제 억제제 및 트란스글루타미나제의 억제방법을 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 에타크리닉 산, 그의 약제학적으로 허용가능한 염 또는 그를 포함하는 트란스글루타미나제 억제제 및 그를 이용한 트란스글루타미나제 억제 방법은 트란스글루타미나제가 이상 발현되는 질환을 가진 대상에게 안전한 방법으로 부작용없이 용이하게 적용되어 트란스글루타미나제를 억제하는 효과를 얻을 수 있다.

8. 发明申请

WO2012091424A3 광분해성 전자재료,이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2012091424A3
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/010178
申请日：2011-12-27
申请人： 코오롱인더스트리 주식회사 , 박세형 , 이병일 , 김병기
发明人： 박세형 , 이병일 , 김병기
IPC分类号： H01L51/54
摘要： 본 발명은 광분해성 전자재료, 이로부터 형성된 절연막 및 유기발광소자에 관한 것으로, 구체적으로는 알칼리 가용성 수지로서 폴리이미드 수지, 디아지드계 감광성 화합물 및 감도증진제를 포함하여 패턴공정에서 현상성이 우수하고 가시광선 파장 영역(400nm ~ 650nm)에서 90% 이상의 광투과율을 가져 고해상도 패턴이 요구되는 평판디스플레이 분야, 특히 유기발광소자의 유기 절연막 형성에 유용한 장점을 가진다.

9. 发明申请

WO2012150798A3 인라인 열처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2012150798A3
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/KR2012/003408
申请日：2012-05-02
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일
发明人： 이병일
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 복수의 가열로에 복수의 히터가 각각 설치되고, 복수의 히터는 각각 독립적으로 제어된다. 이로 인해, 각 가열로의 온도 및 상호 인접하는 가열로 사이의 온도 차는 기판의 이송방향을 따라 완만한 구배를 가지면서 선형적으로 변하므로, 기판이 열충격 또는 열응력에 의하여 손상될 우려가 없다. 또한, 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 기판이 들어 올려져서 이송되므로 기판과 기판을 이송시키기 위한 부품들 사이에 마찰이 없다. 이로 인해, 마찰에 의하여 파티클(Particle)이 발생되는 것이 방지되므로, 파티클에 의한 기판의 손상이 없다. 또한, 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 기판을 이송시키기 위한 부품들이 마찰에 의하여 마모되지 않으므로, 기판을 정확하게 이송시킬 수 있다. 이로 인해, 기판의 열처리 공정시 에러가 발생되지 않는다. 따라서, 본 발명의 의하면, 기판의 열처리 공정의 생산성 및 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.

10. 发明申请

WO2011105830A3 다결정 실리콘층 제조방법 및 이를 위한 금속 혼입층 형성장치 审中-公开
标题翻译：制造多晶硅层及其金属混合层形成装置的方法
公开(公告)号：WO2011105830A3
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001296
申请日：2011-02-24
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 장희섭 , 박경완
发明人： 이병일 , 장희섭 , 박경완
IPC分类号： H01L21/324 , H01L31/18
摘要： 다결정 실리콘층 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층(22) 제조 방법은 비정질 실리콘층(20)과 금속 혼입층(metal mixed layer; 30)을 컨택한 후에 비정질 실리콘층(20)을 결정화 열처리 하여 다결정 실리콘층(22)을 제조하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 금속 촉매의 양을 적게 도입하면서도 결정화 온도를 낮출 수 있는 다결정 실리콘층 제조 방법을 제공할 수 있게 된다.
摘要翻译：公开了一种制造多晶硅层的方法。多晶硅层根据本发明的一个实施方式（22）的生产方法，所述非晶硅层20和金属混合层（金属混合层; 30），以便然后接触并进行热处理来晶化所述非晶硅层20的多晶硅制作图层（22）。根据本发明，可以提供一种制造能够在引入少量金属催化剂的同时降低结晶温度的多晶硅层的方法。

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