专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012102584A9 표적 바이러스 검출용 센서 및 이를 이용한 표적 바이러스 스크리닝 및 돌연변이 위치 분석 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2012102584A9
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/KR2012/000655
申请日：2012-01-30
申请人： 서울대학교 산학협력단 , 이정훈 , 차미선 , 오흥범 , 박주성 , 최준규 , 박진혁
发明人： 이정훈 , 차미선 , 오흥범 , 박주성 , 최준규 , 박진혁
IPC分类号： C12Q1/68 , C12N15/33 , G06F19/10
摘要： 본원 발명은 표적 바이러스 검출 및 돌연변이 위치를 분석할 수 있는 센서 및 검출 방법에 대한 것이다. 보다 구체적으로 표적 바이러스의 돌연변이 예상 위치가 5'의 최종 말단, 내부 또는 3'의 최종 말단에 위치한 프루브를 포함한, 나노계면트랜스듀서로 구성된 표적 바이러스 검출용 센서 및 이를 이용하여, 정전 용량의 변화를 이용하여, 표적 바이러스의 유무를 스크리닝 하는 방법 및 돌연변이의 위치를 분석하는 방법에 대한 것이다. 본원 발명은 바이러스 검출 및 바이러스의 유전자형을 동시에 검출할 수 있다.

2. 发明申请

WO2012039520A1 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법 审中-公开
标题翻译：传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2012039520A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/KR2010/006466
申请日：2010-09-20
申请人： 서울대학교산학협력단 , 이정훈 , 신재하 , 박진혁 , 최준규
发明人： 이정훈 , 신재하 , 박진혁 , 최준규
IPC分类号： G01N33/68
CPC分类号： G01L1/04 , G01L9/12 , G01N27/4145 , G01N33/54373 , Y10T29/435
摘要： 본 발명은 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 하나 이상의 홀이 형성된 다공 부재(perforated structure) 형상의 변형 발생부를 경계로 하여 제1 액체 및 제2 액체를 제공하고, 상기 액체들 간의 작용에 의해 외부 압력의 영향을 제거한 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：换能器及其制造方法技术领域本发明涉及一种换能器及其制造方法，更具体地，涉及一种换能器及其制造方法，其中供给第一液体和第二液体，使得在其间的边界处形成包括其中具有一个或多个孔的穿孔结构的变形产生部件，并且通过液体之间的作用来消除外部压力的影响。

3. 发明申请

WO2011138985A1 용량 소자 센서 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：电容元件传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2011138985A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/KR2010/002883
申请日：2010-05-06
申请人： 서울대학교산학협력단 , 이정훈 , 최준규 , 이수진 , 이성준
发明人： 이정훈 , 최준규 , 이수진 , 이성준
IPC分类号： G01N27/327 , G01N27/22 , G01N27/403 , G01N27/42 , G01N33/48
CPC分类号： G01N27/3276
摘要： 본 발명은 용량 소자 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로는 전극에 부착되는 생체 분자의 전하량의 영향으로 전체 캐패시턴스가 변화되고, 이를 측정하는 센서에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种电容元件传感器及其制造方法。更具体地，本发明涉及由连接到电极的生物分子的电荷引起的总电容的变化以及用于测量变化的传感器。

4. 发明申请

WO2010032982A2 음／전 변환 소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：声音/电转换元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2010032982A2
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/KR2009/005321
申请日：2009-09-18
申请人： 주식회사 씨에스티 , 최준규 , 이정훈 , 김기담 , 정갑렬
发明人： 최준규 , 이정훈 , 김기담 , 정갑렬
IPC分类号： H03H3/08
CPC分类号： H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
摘要： 본 발명은 음/전 변환 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 , , , , 등을 탄력적으로 응용 구현하고, 이를 통해, 음/전 변환 소자 및 신호처리 칩의 원-스텝 제조 프로세스화, 커버 플레이트 및 진동판의 점착에 따른 문제점발생 차단, 기생용량의 발생량 감소, 백 챔버의 규모 극대화 등을 효과적으로 현실화시킴으로써, 생산업체 측에서, 음/전 변환 소자 및 신호처리 칩의 이원화된 제조환경에 따른 피해, 커버 플레이트 및 진동판의 점착에 따른 피해, 기생용량의 발생량 증가에 따른 피해, 백 챔버의 규모 축소에 따른 피해 등을 손쉽게 회피할 수 있도록 가이드 할 수 있다.
摘要翻译：
本发明的声音/电转换元件，并涉及制造方法，在本发明中的℃的方法，和;聚合物是容易产生/在低的温度下除去所述牺牲层是所述盖板形成一系列的基矩阵＆lt;从能够在低温下进行的电镀程序改变盖板形成过程的措施＆gt;＆lt;用于改变盖板形成过程的措施盖板和基板，加入设置在绝缘层为绝缘提升＆GT的动作的接触界面;，＆LT ;;作用＆gt; LT，和加入安装粘合剂阻断凹坑（凹坑）后腔深RIE（深反应离子蚀刻），各向异性蚀刻等。通过应用程序实现一个灵活的，并且它或类似声/电转换元件和信号处理芯片，一步法制造过程屏幕，盖板和振动板产生的块的粘附的问题，降低了寄生电容的量，后室的尺寸最大化等，可以减少由于双重制造环境造成的对声电/电转换装置和信号处理芯片的制造环境的损害，由于盖板和隔膜的粘附而造成的损坏，它可以引导您避免因减小腔体尺寸而造成的损坏。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式