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1. 发明申请

WO2015137611A1 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2015137611A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/KR2014/012594
申请日：2014-12-19
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 신동화 , 김슬기 , 김광수 , 방홍주
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45551 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되는 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 뻗은 배기부재들; 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 배기부재들에 의해 구획된 반응공간들을 갖는 부채꼴 모양의 반응셀들; 상기 반응셀에 설치되어 기판상으로 처리가스를 공급하는 샤워헤드 유닛을 포함하되; 상기 배기부재는 측면에 형성되는 제1사이드 배기홀들을 포함하고, 상기 반응셀은 부채꼴의 호(弧)부분에 형성되는 제2사이드 배기홀들을 포함하여, 상기 반응공간의 중심으로부터 사방으로 배기흐름이 형성될 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室，具有开口的下部室和封闭下部室的开口顶部的上部室; 支撑部件，其安装在下室内，多个共面基板被放置在其上; 排气构件，其设置在上部腔室的与支撑构件相对的底部并且从上腔室的中心径向延伸; 扇形反应池设置在上室的底部并具有由排气构件隔开的反应空间; 以及用于向基板供应处理气体的淋浴头单元，淋浴头单元安装在反应室中，其中排气构件包括在其侧面形成的第一侧排气孔，并且反应室包括形成在第二侧排气孔中的第二侧排气孔风扇的弧形部形成为能够从反应空间的中心向各个方向形成废气流。

2. 发明申请

WO2015072661A1 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 그리고 박막 증착 방법 审中-公开
标题翻译：反应诱导单元，基板处理装置和薄膜沉积方法
公开(公告)号：WO2015072661A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/KR2014/008908
申请日：2014-09-24
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 방홍주 , 신동화 , 김민석 , 고재국 , 김광수 , 김슬기 , 백성규 , 라종훈 , 최장원
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/45551 , H01L21/67103 , H01L21/68764
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되; 상기 반응 유도 유닛은 적어도 3개 이상이 적층된 플레이트들에 의해 다층 복합 구조의 유로를 가질 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室; 衬底基座，其安装在处理室中并连接到旋转轴以旋转并且具有放置在其同一平面上的多个基板; 放置在所述基板基座的底表面上的加热器构件; 以及用于从对应于放置在基板基座上的多个基板的位置喷射气体到基板的处理表面的反应诱导单元，其中反应诱导单元具有具有至少三个或更多个的多层复合结构的流体通道堆叠板。

3. 发明申请

WO2015041392A1 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：加热器和基板加工设备
公开(公告)号：WO2015041392A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/KR2014/002385
申请日：2014-03-21
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 방홍주 , 김상연 , 신동화 , 김민석 , 양진영
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면 전체에 가스를 분사하는 분사부재를 포함하되; 상기 히터 부재는 내부 공간을 갖고, 상기 내부 공간에 상기 기판 서셉터를 가열하기 위한 열선들이 상기 기판 서셉터의 회전축을 중심으로 동심원상에 수평 및 수직으로 복수열로 배치된다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括：处理室; 安装在处理室中的与旋转轴连接旋转的基板基座，多个基板设置在同一平面上; 位于所述基板基座的下表面上的加热器构件; 以及喷涂构件，用于在与设置在基板基座上的多个基板中的每一个对应的位置处将气体喷射到基板的整个处理表面上，其中，加热器构件具有用于加热基板基座的热丝基于基板基座的旋转轴以同心圆的多个垂直和水平线布置。

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