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1. 发明申请

WO2008007750A1 カーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造用ガス审中-公开
标题翻译：生产碳纳米管结构和碳纳米管结构生产工艺
公开(公告)号：WO2008007750A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/JP2007/063928
申请日：2007-07-12
申请人：財団法人大阪産業振興機構 , 公立大学法人大阪府立大学 , 大陽日酸株式会社 , チャクラバルティシュプリオ , 中山喜萬 , 潘路軍 , 長坂岳志 , 坂井徹
发明人：チャクラバルティシュプリオ , 中山喜萬 , 潘路軍 , 長坂岳志 , 坂井徹
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/34
摘要：　本発明に係る、連続的に長さを制御可能なカーボンナノ構造物の製造方法においては、キャリアガスと原料ガスを反応室（４）に供給して触媒体（６）によりカーボンナノ構造物（２）を製造するとき、キャリアガスや原料ガス中に、上記原料ガスに対して還元性を有する水素などの還元性ガスを含有させ、さらには酸化性を有する水などの酸化性ガスを含有させ、その濃度を適度に制御することにより、良質のカーボンナノ構造物を高効率に製造することができる。これにより、例えば全長（７ｍｍ）というこれまでに例の無いカーボンナノチューブの製造を可能とする。これにより、カーボンナノ構造物の連続的成長メカニズムを最適化でき、高品質のカーボンナノ構造物を製造することのできるカーボンナノ構造物の製造方法、及びカーボンナノ構造物の製造に用いるカーボンナノ構造物製造用ガスを提供する。
摘要翻译：一种可以连续调节纳米结构长度的碳纳米结构生产方法。该方法包括通过催化剂（6）的作用将载气和原料气体供给到反应室（4）以产生碳纳米结构（2），其中还原气体例如氢，其具有将原料气体减少的能力被并入到载气或原料气体中，并且具有氧化原料气体的能力的氧化气体（例如水）被进一步并入其中，同时充分调节了原料气体的浓度减少气体和氧化气体。因此，可以高效率地制造质量好的碳纳米结构体。该方法能够生产迄今尚未获得的总长度例如为7毫米的碳纳米管。因此，可以优化碳纳米结构的连续生长的机理，并且可以生产高质量的碳纳米结构。还提供了用于生产碳纳米结构的用于碳纳米结构生产的气体。

2. 发明申请

WO2004085309A1 カーボンナノ構造物の高効率合成方法、装置及びカーボンナノ構造物审中-公开
标题翻译：碳纳米结构，装置和碳纳米结构的高效合成方法
公开(公告)号：WO2004085309A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003988
申请日：2004-03-23
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 大阪府 , 大陽東洋酸素株式会社 , 日新電機株式会社 , 大塚化学株式会社 , 大研化学工業株式会社 , 末金皇 , 野坂俊紀 , 中山喜萬 , 潘路軍 , 長坂岳志 , 坂井徹 , 土屋宏之 , 後藤俊樹 , 李旭
发明人：末金皇 , 野坂俊紀 , 中山喜萬 , 潘路軍 , 長坂岳志 , 坂井徹 , 土屋宏之 , 後藤俊樹 , 李旭
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/30
摘要：　原料ガス流量の初期揺らぎ時間や立上り時間を無くして、カーボンナノ構造物の初期成長を促進できる高効率合成方法及び装置を開発する。　本発明に係るカーボンナノ構造物の高効率合成方法は、原料ガスと触媒を反応条件下で接触させてカーボンナノ構造物を製造する方法において、原料ガスと触媒の接触の開始を瞬時に行うカーボンナノ構造物の高効率合成方法である。温度や原料ガス濃度などの反応条件を触媒成長条件に設定して、この反応条件下で原料ガスＧと触媒６の接触の開始を瞬時に行うから、カーボンナノ構造物の初期成長を積極的に行わせ、の高さ成長や太さ成長を高効率にでき、高密度成長、短時間の高速度成長をも可能にする。前記触媒は触媒基板、触媒構造体、触媒粉体、触媒ペレットなどの任意形状の触媒を包含している。特に、原料ガスＧの供給・遮断を電磁三方弁２４により断続制御する方式が好適である。
摘要翻译：通过消除原始气体流量的初始波动时间和上升时间，能够加速碳纳米结构的初始生长的高效合成方法和装置。特别是高效率地合成碳纳米结构体的方法，其特征在于，在反应条件下使原料气体与催化剂接触，得到碳纳米结构体，其中原料气与催化剂的接触开始进行瞬间。设定温度和原料气体浓度等反应条件以满足催化剂生长的条件，在反应条件下，原料气体（G）与催化剂（6）的接触开始立即进行。因此，积极地进行碳纳米结构的初始生长，并且可以高效率地实现其高度生长和厚度生长。此外，可以实现高密度生长和短时高速生长。催化剂包括催化剂板，催化剂结构，催化剂粉末和催化剂颗粒等任意构型。特别优选采用其中通过电磁三通阀（24）间歇地控制原料气体（G）的供给和切割的系统。

3. 发明申请

WO2004105940A1 カーボンナノコイル製造用触媒、その製造方法、カーボンナノコイル製造方法及びカーボンナノコイル审中-公开
标题翻译：用于制备碳纳米管的催化剂，其制备方法，制备碳纳米管和碳纳米微粒的方法
公开(公告)号：WO2004105940A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2004/007797
申请日：2004-05-28
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 大阪府 , 大陽東洋酸素株式会社 , 大塚化学株式会社 , 日新電機株式会社 , 大研化学工業株式会社 , 中山喜萬 , 潘路軍 , 野坂俊紀 , 末金皇 , 岡崎信治 , 長坂岳志 , 後藤俊樹 , 土屋宏之 , 大川隆 , 塩野啓祐
发明人：中山喜萬 , 潘路軍 , 野坂俊紀 , 末金皇 , 岡崎信治 , 長坂岳志 , 後藤俊樹 , 土屋宏之 , 大川隆 , 塩野啓祐
IPC分类号： B01J27/22
CPC分类号： B82Y30/00 , B01J23/835 , B01J27/22 , B01J29/146 , B82Y40/00 , C01B32/18 , C01B32/90 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/13 , C01P2006/16 , D01F9/127
摘要：　カーボンナノコイルの先端に付着した触媒核の構造を決定することによって真のカーボンナノコイル製造用触媒を特定して高効率にカーボンナノコイルを製造する方法を実現する。　本発明に係るカーボンナノコイル製造用触媒は、少なくとも（遷移金属元素、Ｉｎ、Ｃ）又は（遷移金属元素、Ｓｎ、Ｃ）の元素を含有した炭化物触媒であり、特に遷移金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉが好適である。また、この炭化物触媒以外に（Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｎ）、（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ）の金属触媒も有効である。この中でも、Ｆｅ 3 ＩｎＣ 0.5 、Ｆｅ 3 ＩｎＣ 0.5 Ｓｎｗ、Ｆｅ 3 ＳｎＣなどの触媒が更に好適である。これらの触媒を多孔性担体に担持させた触媒は線径、コイル径を制御することができる。
摘要翻译：一种制备碳纳米油的催化剂，其包括包含（过渡金属元素，In，C）或（过渡金属元素，Sn，C）的元素的碳化物催化剂，或包含含有（Fe，Al， Sn）或（Fe，Cr，Sn）。碳化物催化剂的过渡金属元素优选为Fe，Co或Ni。更优选的催化剂包括Fe3InC0.5，Fe3InC0.5Snw和Fe3SnC。包含多孔载体和载于其上的上述催化剂的催化剂能够控制所得碳纳米线的线和线圈的直径。上述催化剂能够高效地制备碳纳米线，并且通过将连接在碳纳米线顶点上的催化剂核作为制备碳纳米线的真正催化剂并确定催化剂核的结构已经发现。

4. 发明申请

WO2004067169A1 カーボンナノコイル製造用触媒及びその製造方法並びにカーボンナノコイル製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产碳纳米管的催化剂及其制备方法以及生产碳纳米管的方法
公开(公告)号：WO2004067169A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2004/000722
申请日：2004-01-27
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 大阪府 , 大研化学工業株式会社 , 大塚化学株式会社 , 大陽東洋酸素株式会社 , 日新電機株式会社 , 中山喜萬 , 潘路軍 , 野坂俊紀 , 末金皇 , 李旭 , 大川隆 , 細川昌治 , 後藤俊樹 , 長坂岳志 , 土屋宏之
发明人：中山喜萬 , 潘路軍 , 野坂俊紀 , 末金皇 , 李旭 , 大川隆 , 細川昌治 , 後藤俊樹 , 長坂岳志 , 土屋宏之
IPC分类号： B01J23/825
CPC分类号： B01J23/825 , B01J23/835 , B01J35/0013 , B01J35/006 , B01J37/0238 , B01J37/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18
摘要：　均一な形状のカーボンナノコイルを選択的に製造できるカーボンナノコイル製造用触媒を開発し、この触媒の量産方法を提供する。　本発明に係るカーボンナノコイル製造用触媒は、直径が１０００ｎｍ以下のカーボンナノコイル１を化学的気相成長法により製造するインジウム・スズ・鉄系触媒であり、このインジウム・スズ・鉄系触媒が触媒微粒子２４から構成されることを特徴としている。触媒微粒子２４の直径は１ｎｍ～１００μｍの範囲に調製される。基板１８に触媒薄膜２０を形成した後、基板１８をアニールして触媒薄膜２０を微粒子化する。また、他の方法として基板１８を加熱しながら基板１８に触媒薄膜を形成し、同時にその微粒子化を行うこともできる。溶液法として、インジウム化合物とスズ化合物と鉄化合物を溶媒に分散させてコロイド粒子を形成し、この固形物を分離後、焼成して触媒微粒子を形成する。
摘要翻译：一种生产碳纳米线的催化剂，其特征在于，通过化学气相沉积法制造直径为1000nm以下的碳纳米线（1）的铟 - 锡 - 铁基催化剂和铟 - 锡 - 铁基催化剂包含细的催化剂颗粒（24），优选具有在1nm至100μm范围内的直径; 一种制备催化剂的方法，包括在基材（18）上形成薄的催化剂膜（20），然后对基材（18）进行退火，从而将薄的催化剂膜（20）转化为细颗粒，或包括形成薄的催化剂膜在基板（18）上同时加热基板（18），同时影响薄催化剂膜的形成和转化成细颗粒; 以及用于制备催化剂的溶液方法，其包括将铟化合物，锡化合物和铁化合物分散在溶剂中以形成胶体颗粒，分离固体颗粒并烧制颗粒，形成细小的催化剂颗粒。催化剂允许生产具有良好选择性的均匀形状的碳纳米薄膜，并且该方法允许大规模制备催化剂。

5. 发明申请

WO2006120789A1 触媒によるカーボンナノチューブの製造方法、電界放出電子源の製造方法、電界放出電子源及び電界放出型ディスプレイ审中-公开
标题翻译：通过催化剂制造碳纳米管的方法，制造电场发射电子源的方法，电场发射电子源和电场发射显示
公开(公告)号：WO2006120789A1
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/JP2006/303723
申请日：2006-02-28
申请人：公立大学法人大阪府立大学 , 潘路軍 , 中山喜萬
发明人：潘路軍 , 中山喜萬
IPC分类号： C01B31/02 , H01J1/304 , H01J9/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要：　電界放出電子源ないしＦＥＤの製造に好適な電界放出用カーボンナノチューブの成長条件を正確に制御することのできるカーボンナノチューブの製造方法、電界放出電子源の製造方法、電界放出電子源及び電界放出型ディスプレイの提供を目的とする。　本発明に係るＣｏ／Ｔｉ触媒又はＦｅ／Ａｌ触媒によるカーボンナノチューブの製造方法においては、触媒膜の膜厚を調整する条件、触媒膜自体の膜厚を調整する条件、原料ガスが触媒膜に接触する前の段階で原料ガスが予熱される有無の条件、反応室の炉壁温度条件、原料ガスの触媒接触時間や原料ガスの流量を調整する条件を、カーボンナノチューブの成長を制御する制御条件群として使用して、カーボンナノチューブをガラス軟化点以下の低温で成長させ、その成長を高精度に制御することが可能となり高性能ＦＥＤ等の生産に寄与する。
摘要翻译：本发明提供一种制造碳纳米管的方法，其可以精确地控制用于制造电场发射电子源或FED的电场发射用碳纳米管的生长条件，制造电场发射电子源的方法电场发射电子源和电场发射显示。在Co / Ti催化剂或Fe / Al催化剂的存在下制造碳纳米管的方法中，调节催化剂膜厚度的条件，催化剂膜本身的厚度调节条件，原料气体是否在原料气体与催化剂膜接触之前的阶段被预热，反应室壁温度条件和调节原料催化剂接触时间的条件气体和原料气体的流量用作控制碳纳米管生长的条件的一组条件，以在低于玻璃软化点的低温下生长碳纳米管。在这种情况下，可以高精度地控制生长，这有助于生产高性能FED等。

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