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1. 发明申请

WO2009044681A1 シリコンのエッチング方法审中-公开
标题翻译：用于硅的方法
公开(公告)号：WO2009044681A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067502
申请日：2008-09-26
申请人：積水化学工業株式会社 , 石井徹哉 , 中嶋節男 , 大塚智弘 , 功刀俊介 , 佐藤崇
发明人：石井徹哉 , 中嶋節男 , 大塚智弘 , 功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】シリコンのエッチングレートを向上させる。【解決手段】フッ素系原料のＣＦ４とＡｒの混合ガスに露点が１０°C～４０°Cになる量の水を添加して、大気圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスをオゾナイザー１３からのオゾン含有ガスと混合し、反応ガスを得る。反応ガスは、１ｖｏｌ％以上のオゾンと、ＣＯＦ２等の非ラジカルのフッ素系中間物質と、０．４ｖｏｌ％以上のＨＦ等のフッ素系反応物質を含み、フッ素原子数（Ｆ）と水素原子数（Ｈ）の比が（Ｆ）／（Ｈ）＞１．８である。この反応ガスを、温度１０°C～５０°Cのシリコン膜９１（被処理物）に吹付ける。
摘要翻译： [问题]提高硅的蚀刻速率。用于解决问题的方法将由CF4组成的混合气体作为氟材料的露点和Ar至10℃至40℃所需的水加入到混合气体中，并将混合物等离子化为大气压力。将等离子体化气体与来自臭氧发生器（13）的含臭氧气体混合以制备反应气体。反应气体含有不低于1体积％的臭氧，非自由基氟类中间体如COF 2和不少于0.4体积％的非自由基氟类反应物如HF。氟原子数（F）与氢原子数（H）之比为（F）/（H）> 1.8。将该反应气体喷涂在温度为10℃〜50℃的硅膜（91）（目标材料）上。

2. 发明申请

WO2010035522A1 シリコン含有膜のエッチング方法および装置审中-公开
标题翻译：用于蚀刻含硅膜的方法和装置
公开(公告)号：WO2010035522A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/JP2009/054089
申请日：2009-03-04
申请人：積水化学工業株式会社 , 功刀俊介 , 佐藤崇
发明人：功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：【課題】下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン又は酸化シリコンのシリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。【解決手段】フッ素系反応成分と酸化性反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。流速調節手段６０によって、処理ガスの被処理物９０上での流速をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、処理ガスの流量を調節し、ガス流速を変化させる。より好ましくは、流速調節用ガスを処理ガス供給系１０に混合し、又は混合を停止し、処理ガスの流量を調節する。
摘要翻译：公开了一种用于在不抑制残留物的情况下以高速率蚀刻诸如硅膜或氧化硅膜的含硅膜的方法和设备，同时抑制基膜的蚀刻。通过使含有氟类反应成分和氧化反应成分的处理气体与待处理物体（90）接触，对基膜（92）上的含硅膜（93）进行蚀刻。根据蚀刻的进行，通过流量调节装置（60）改变被处理物体（90）上的处理气体的流量。优选地，通过调节工艺气体流量来改变气体流量。更优选地，通过将流量调节气体混合到工艺气体供应系统（10）中或通过停止混合来调节工艺气体流量。

3. 发明申请

WO2008123142A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2008123142A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/JP2008/055278
申请日：2008-03-21
申请人：積水化学工業株式会社 , 竹内裕人 , 中森勇一 , 功刀俊介
发明人：竹内裕人 , 中森勇一 , 功刀俊介
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/2406 , H05H2001/2412
摘要：【課題】プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止する。【解決手段】プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。誘電部材６０には電極間の放電空間１ｐに連なる噴出導孔６２を形成し、接地電極４０には噴出導孔６２に連なる噴出口４１を形成する。誘電部材６０における噴出導孔６２の内面を、接地電極４０における噴出口４１の内面より突出させる。誘電部材６０には、接地電極４０との当接面６３から面一に延長された段差面６４を設ける。
摘要翻译：为了消除在等离子体处理装置的接地电极上的喷射口的内表面上的异常放电。解决问题的手段电介质部件（60）配置在与等离子体处理装置的接地电极（40）的面对电场施加电极（30）的放电面（42）上。在电介质构件60上形成有与电极之间的放电空间（1p）连续的喷射导向孔（62），并且在接地电极（40）上形成有与喷射导向孔（62）。介电部件（60）上的喷射导向孔（62）的内表面从接地电极（40）上的喷射口（41）的内表面突出。在电介质部件（60）上，台阶面（64）从与接地电极（40）抵接的邻接面（63）延伸为同一面。

4. 发明申请

WO2009113402A1 シリコン含有膜のエッチング方法および装置审中-公开
标题翻译：用于蚀刻含硅膜的方法和装置
公开(公告)号：WO2009113402A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/053581
申请日：2009-02-26
申请人：積水化学工業株式会社 , 功刀俊介
发明人：功刀俊介
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：【課題】処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。【解決手段】フッ素系反応成分と、Ｈ２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、シリコン含有膜９３をエッチングする。処理ガス中のＨ２Ｏ又はＯＨ基含有化合物の含有率をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、シリコン含有膜のエッチングすべき部分の大半をエッチングする第１エッチング工程では上記含有率を高くし、残りのシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング工程では上記含有率を低くする。
摘要翻译：公开了一种用于实现其中处理时间短的含硅膜的无残留蚀刻并防止下面的膜的蚀刻的方法和装置。包括氟基反应组分和H 2 O的化合物或包含OH基团的化合物与待处理材料（90）接触，并且蚀刻含硅膜（93）。在蚀刻进行时，H 2 O或包含OH基的化合物在处理气体中的比例发生变化。优选地，在第一蚀刻工艺中，包含OH基团的水或化合物的比例较高，其中要蚀刻的含硅膜的大部分被蚀刻，并且在第二蚀刻工艺中较低，其中剩余的含硅膜被蚀刻。

5. 发明申请

WO2006006526A1 基材外周処理方法及び装置审中-公开
标题翻译：用于处理基材外周的方法和装置
公开(公告)号：WO2006006526A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/012662
申请日：2005-07-08
申请人：積水化学工業株式会社 , 野上光秀 , 長谷川平 , 功刀俊介
发明人：野上光秀 , 長谷川平 , 功刀俊介
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/304 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/02087 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68785
摘要：　基材の外周部の不要膜の除去処理において、基材の中央部にダメージが及ばないようにする。　ステージ１０の内部に吸熱手段として冷媒室４１を設け、それに水等の冷媒を充填する。このステージ１０の支持面１０ａにウェハ９０を接触支持させる。このウェハ９０の外周部を加熱器２０で加熱しながら、この加熱された部位に反応性ガス吹出し口３０ｂから不要膜除去のための反応性ガスを供給する。一方、ウェハ９０の外周部より内側の部分は、上記吸熱手段にて吸熱する。
摘要翻译：一种用于处理基材的外周的方法和装置，其能够避免在用于从基材的外周部分除去不需要的膜的处理中对基材的中心部分的损坏。作为吸热装置的制冷剂室（41）形成在台（10）中，并且诸如水的制冷剂被填充。晶片（90）被支撑在载物台（10）的支撑表面（10a）上。当晶片（90）的外围部分被加热器（20）加热时，用于去除不需要的膜的反应气体从反应气体出口（30b）供应到晶片的加热部分。另一方面，在外周部分的内侧的晶片（90）的部分中的热被吸热装置吸收。

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