专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009044681A1 シリコンのエッチング方法审中-公开
标题翻译：用于硅的方法
公开(公告)号：WO2009044681A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067502
申请日：2008-09-26
申请人：積水化学工業株式会社 , 石井徹哉 , 中嶋節男 , 大塚智弘 , 功刀俊介 , 佐藤崇
发明人：石井徹哉 , 中嶋節男 , 大塚智弘 , 功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】シリコンのエッチングレートを向上させる。【解決手段】フッ素系原料のＣＦ４とＡｒの混合ガスに露点が１０°C～４０°Cになる量の水を添加して、大気圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスをオゾナイザー１３からのオゾン含有ガスと混合し、反応ガスを得る。反応ガスは、１ｖｏｌ％以上のオゾンと、ＣＯＦ２等の非ラジカルのフッ素系中間物質と、０．４ｖｏｌ％以上のＨＦ等のフッ素系反応物質を含み、フッ素原子数（Ｆ）と水素原子数（Ｈ）の比が（Ｆ）／（Ｈ）＞１．８である。この反応ガスを、温度１０°C～５０°Cのシリコン膜９１（被処理物）に吹付ける。
摘要翻译： [问题]提高硅的蚀刻速率。用于解决问题的方法将由CF4组成的混合气体作为氟材料的露点和Ar至10℃至40℃所需的水加入到混合气体中，并将混合物等离子化为大气压力。将等离子体化气体与来自臭氧发生器（13）的含臭氧气体混合以制备反应气体。反应气体含有不低于1体积％的臭氧，非自由基氟类中间体如COF 2和不少于0.4体积％的非自由基氟类反应物如HF。氟原子数（F）与氢原子数（H）之比为（F）/（H）> 1.8。将该反应气体喷涂在温度为10℃〜50℃的硅膜（91）（目标材料）上。

2. 发明申请

WO2010035522A1 シリコン含有膜のエッチング方法および装置审中-公开
标题翻译：用于蚀刻含硅膜的方法和装置
公开(公告)号：WO2010035522A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/JP2009/054089
申请日：2009-03-04
申请人：積水化学工業株式会社 , 功刀俊介 , 佐藤崇
发明人：功刀俊介 , 佐藤崇
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：【課題】下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン又は酸化シリコンのシリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。【解決手段】フッ素系反応成分と酸化性反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。流速調節手段６０によって、処理ガスの被処理物９０上での流速をエッチングの進行に応じて変化させる。好ましくは、処理ガスの流量を調節し、ガス流速を変化させる。より好ましくは、流速調節用ガスを処理ガス供給系１０に混合し、又は混合を停止し、処理ガスの流量を調節する。
摘要翻译：公开了一种用于在不抑制残留物的情况下以高速率蚀刻诸如硅膜或氧化硅膜的含硅膜的方法和设备，同时抑制基膜的蚀刻。通过使含有氟类反应成分和氧化反应成分的处理气体与待处理物体（90）接触，对基膜（92）上的含硅膜（93）进行蚀刻。根据蚀刻的进行，通过流量调节装置（60）改变被处理物体（90）上的处理气体的流量。优选地，通过调节工艺气体流量来改变气体流量。更优选地，通过将流量调节气体混合到工艺气体供应系统（10）中或通过停止混合来调节工艺气体流量。

3. 发明申请

WO2007077765A1 ステージ装置及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：阶段装置和等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2007077765A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/JP2006/325627
申请日：2006-12-22
申请人：シャープ株式会社 , 積水化学工業株式会社 , 若崎環樹 , 佐藤崇 , 田中恵一 , 中嶋節男 , 真弓聡 , 中野良憲
发明人：若崎環樹 , 佐藤崇 , 田中恵一 , 中嶋節男 , 真弓聡 , 中野良憲
IPC分类号： H05H1/24 , B65G49/06 , C23C16/458 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , B65G49/064 , B65G49/065 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , B65G2249/045 , H01J37/32431 , H01J2237/20 , H01L21/68778
摘要：　ステージの載置面に被処理基板が載置された状態において、リフトピンの上端と載置面との間に段差が生じないステージ装置を提供し、また、該ステージ装置を電極ステージとして利用して、処理ムラの発生を抑制し得るプラズマ処理装置を提供する。電極ステージ（２）の中央部には、ピン移動方向に弾性を持つバネ式リフトピン（２０）が配されている。バネ式リフトピン（２０）は、収納位置において、ピン上端（２０ａ）が電極ステージ（２）の載置面（１１）よりも上方に突出しており、載置面（１１）に被処理基板（４）が載置されて吸着されることで、被処理基板（４）より受ける荷重にて載置面（１１）と同じ高さにまで押し下げられる。
摘要翻译：提供了一种舞台装置，其中在提升销的上端和待处理衬底放置在放置平面上的阶段的放置平面之间不产生台阶。还提供了一种等离子体处理装置，其可以通过使用这种舞台装置作为电极台来抑制工艺不均匀的产生。在电极台（2）的中心部分设置弹簧式提升销（20），其具有沿销移位方向的弹性。弹簧式提升销（20）的销钉上端（20a）比存放位置处的电极台（2）的放置面（11）高。当待处理的基板（4）被放置并吸附在放置平面（11）上时，提升销的上端被压入与载置平面（11）相当的水平，基板（4）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式