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    • 9. 发明申请
    • 位相シフトマスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法
    • 相移装置及其生产方法及其半导体器件的生产方法
    • WO2004006017A1
    • 2004-01-15
    • PCT/JP2003/008377
    • 2003-07-01
    • ソニー株式会社菅原 稔
    • 菅原 稔
    • G03F1/16
    • B82Y10/00B82Y40/00G03F1/24G03F1/26G03F1/30
    •  極短紫外光を反射する場合であっても、適切な屈折率と吸収係数の組み合わせを得ることで、現実に構成することのできる極短紫外光の位相シフトマスクである。短紫外光を反射する反射多層膜基板(11)と、その反射多層膜基板(11)上に形成された第1領域(12a)および第2領域(12b)とを具備してなる位相シフトマスク(10)を構成するのにあたって、先ず、極短紫外光に対する任意の複素屈折率と膜の任意の膜厚とについて、当該複素屈折率および当該膜厚から得られる極短紫外光の反射光の位相および反射率を特定する。そして、その特定結果を基にして、第1領域(12a)での極短紫外光の反射光と第2領域(12b)での極短紫外光の反射光とで所定の位相差が生じるように、第1領域(12a)の形成膜および第2領域(12b)の形成膜における各膜厚および各複素屈折率を設定する。
    • 即使反射出超短紫外线,也能够通过适当地组合折射率和吸收系数来实现超短紫外线的相移掩模。 通过指定相位和反射率来形成包括反射多层膜基板(11)的相移掩模(10)和形成在基板(11)上的第一区域(12a)和第二区域(12b) 从用于超短紫外线的任意复合折射率和任意膜厚度获得的超短紫外线的反射光。 基于指定的结果,设定第一区域(12a)中形成的膜和第二区域(12b)中的成膜的各自的膜厚度和复合折射率,以产生指定的相位差 第一区域(12a)中的超短紫外线和第二区域(12b)中的超短紫外线的反射光。
    • 10. 发明申请
    • 露光用マスクの製造方法、露光用マスク、および半導体装置の製造方法
    • 曝光掩模的生产方法,曝光掩模和半导体器件的生产方法
    • WO2003071590A1
    • 2003-08-28
    • PCT/JP2003/002071
    • 2003-02-25
    • ソニー株式会社菅原 稔
    • 菅原 稔
    • H01L21/027
    • G03F1/22B82Y10/00B82Y40/00G03F1/24
    • When producing an exposure mask (10) comprising a mask blank (12) for reflecting a ultra-short ultraviolet ray, an absorption film (14) that covers one surface thereof with a specified pattern, and a buffer film (13) interposed between them, a swing effect and a bulk effect to be produced at an object to which the specified pattern is transferred are specified based on the physical property values of a material forming the absorption film (14) and the buffer film (13) and optical conditions at exposure, and, in consideration of specified swing effect and bulk effect, the forming film thickness of the absorption film (14) is determined so as to minimized variations in pattern line width and/or possibility of pattern position deviation. Accordingly, a proper measure can be taken for minimizing and fining a transferred image even in the case of a reflection-type exposure mask compatible with a ultra-short ultraviolet ray by minimizing a variation in line width after exposure onto a wafer and deviation in pattern position.
    • 当制造包括用于反射超短紫外线的掩模坯料(12)的曝光掩模(10)时,以特定图案覆盖其一个表面的吸收膜(14)和介于它们之间的缓冲膜(13) 基于形成吸收膜(14)和缓冲膜(13)的材料的物理特性值和光学条件来规定在指定图案转印的物体处产生的摆动效果和体积效应 曝光,考虑到规定的摆动效果和体积效应,决定吸收膜(14)的成膜厚度,以最小化图案线宽度的变化和/或图案位置偏差的可能性。 因此,即使在与超短紫外线相容的反射型曝光掩模的情况下,通过最小化在曝光到晶片上之后的线宽的变化和图案的偏差,也可以采取适当的措施来最小化和转印转印图像 位置。