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    • 1. 发明申请
    • 電子デバイスおよびその製造方法
    • 电子设备及其制造方法
    • WO2004061983A1
    • 2004-07-22
    • PCT/JP2003/016837
    • 2003-12-25
    • 松下電器産業株式会社生嶋 君弥菰淵 寛仁馬場 彩子内田 幹也
    • 生嶋 君弥菰淵 寛仁馬場 彩子内田 幹也
    • H01L35/34
    • H01L37/00G01J5/045H01L37/02
    •  本発明では、空洞壁部材であるポリシリコン膜14にエッチング用ホール21を形成する。エッチング用ホール21からフッ酸を注入し、シリコン酸化膜13を溶解し、空洞22を形成する。空洞22内でセンサの検出部12が露出された状態になる。次に、スパッタにより、エッチング用ホール21内及び基板の上面上にAl膜16を堆積した後、エッチバックにより、Al膜16のうちポリシリコン膜14上に位置する部分を除去して、エッチング用ホールを封鎖しているAlからなる金属栓16aのみを残す。スパッタ工程は、5Pa以下の圧力下で行なわれるので空洞22内の圧力を低圧に保持することができる。
    • 一种电子器件及其制造方法,其特征在于,在形成于中空壁构件的多晶硅膜(14)上形成蚀刻孔(21),从蚀刻孔(21)填充氢氟酸溶解 氧化硅膜(13),以形成传感器的检测部(12)露出的中空部(22),在蚀刻孔(21)和基板的上表面堆叠A1膜(16) 通过溅射除去位于多晶硅膜(14)的上表面上的A1膜(16)的部分,通过蚀刻回去仅留下密封蚀刻孔的A1的金属塞(16a)。 由于在5Pa以下的压力下进行飞溅工序,所以能够将中空部22的压力保持在低压状态。