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1. 发明申请

WO2009110532A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009110532A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/054130
申请日：2009-03-05
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808
摘要：　半導体装置は、第１メモリセル９を有する第１磁気ランダムアクセスメモリと、第１メモリセル９と比較して高速で動作する第２メモリセル８を有し、第１磁気ランダムアクセスメモリと同一チップ内に設けられた第２磁気ランダムアクセスメモリとを具備する。第１メモリセル９は、電流誘起磁壁移動型のＭＲＡＭである。磁化自由層の磁壁の位置に基づいてデータを記憶する。書き込み電流が流れる層と、読出し電流が流れる層とは同一ではない。第２メモリセル８は、電流誘起磁界書き込み型のＭＲＡＭである。書き込み電流で誘起される磁界に基づいてデータを記憶する。
摘要翻译：一种半导体器件包括具有第一存储器单元（9）的第一磁性随机存取存储器和与第一存储器单元（9）相比以更高速度操作的第二存储单元（8）的第二磁性随机存取存储器在与第一磁性随机存取存储器相同的芯片中。第一存储单元（9）是电流诱导的畴壁位移型MRAM。基于无磁化层的畴壁的位置存储数据。写入电流流过的层与读取电流通过的层不同。第二存储单元（8）是写入电流感应磁场型的MRAM。基于由写入电流引起的磁场存储数据。

2. 发明申请

WO2009101827A1 磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性域运动装置和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009101827A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/050287
申请日：2009-01-13
申请人：日本電気株式会社 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 深見俊輔
发明人：石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 深見俊輔
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： G11C19/0841 , B82Y25/00 , G11B5/64 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C27/00 , G11C2211/5615 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/11 , Y10T428/1136 , Y10T428/1143
摘要：　磁壁移動素子は、強磁性体膜で形成され磁壁ＤＷを有する磁化記録層１０を備える。磁化記録層１０は、磁化方向が固定された一組の端部領域１１－１、１１－２と、その一組の端部領域１１－１、１１－２の間に挟まれ磁壁ＤＷが移動する中央領域１２と、を含む。端部領域１１－１、１１－２と中央領域１２との境界に、磁壁ＤＷがトラップされる第１トラップサイトＴＳ１が形成されている。更に、中央領域１２内に、磁壁ＤＷがトラップされる第２トラップサイトＴＳ２が少なくとも１つ形成されている。
摘要翻译：磁畴壁运动装置设置有具有由铁磁膜形成的畴壁（DW）的磁化记录层（10）。磁化记录层（10）包括一对其磁化方向固定的端部区域（11-1,11-2）以及设置在一对端部区域（11〜11）之间的中心区域（12） 1，11-2），其中畴壁（DW）移动。在端部区域（11-1,11-2）和中心区域（12）之间的边界处形成有畴壁（DW）被捕获的第一陷阱位置（TS1）。此外，在中心区域（12）内形成至少一个第二陷阱位点（TS2），在该区域壁（DW）被捕获。

3. 发明申请

WO2009054180A1 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009054180A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/064891
申请日：2008-08-21
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗効果素子は、磁化方向が固定された第１磁化固定層と、磁化方向が可変な第１磁化自由層と、第１磁化固定層と第１磁化自由層とに挟まれた第１非磁性層と、磁化方向が固定された第２磁化固定層と、磁化方向が可変な第２磁化自由層と、第２磁化固定層と第２磁化自由層とに挟まれた第２非磁性層と、を備える。第１磁化固定層と第１磁化自由層は、垂直磁気異方性を有する。一方、第２磁化固定層と第２磁化自由層は、面内磁気異方性を有する。第１磁化自由層と第２磁化自由層は、互いに磁気的に結合している。また、各層に平行な平面において、第２磁化自由層の重心は、第１磁化自由層の重心からずれている。
摘要翻译：磁阻效应元件设置有第一磁化固定层，其中磁化方向是固定的; 第一磁化自由层，其中磁化方向是可变的; 夹在第一磁化固定层和第一磁化自由层之间的第一非磁性层; 第二磁化固定层，其中磁化方向是固定的; 第二磁化自由层，其中磁化是可变的; 以及夹在第二磁化固定层和第二磁化自由层之间的第二非磁性层。第一磁化固定层和第一磁化自由层具有垂直的磁各向异性。第二磁化固定层和第二磁化自由层具有面内磁各向异性。第一磁化自由层和第二磁化自由层彼此磁耦合。在平行于每个层的平坦表面上，第二磁化自由层的重心从第一磁化自由层的重心偏移。

4. 发明申请

WO2009093387A1 磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器及其初始化方法
公开(公告)号：WO2009093387A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/JP2008/072379
申请日：2008-12-10
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 深見俊輔 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 石綿延行
发明人：鈴木哲広 , 深見俊輔 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　磁壁移動型のＭＲＡＭは、垂直磁気異方性を有する磁化記録層１０と、磁化記録層１０に電流を供給するための一組の端子５１、５２とを備える。磁化記録層１０は、一組の端子の一方に接続された第１磁化領域１１と、一組の端子の他方に接続された第２磁化領域１２と、第１磁化領域１１と第２磁化領域１２との間をつなぎ反転可能な磁化を有する磁化反転領域１３と、を有する。第１磁化領域１１と磁化反転領域１３との境界には、磁壁がトラップされる第１ピニングサイトＰＳ１が形成される。第２磁化領域１２と磁化反転領域１３との境界には、磁壁がトラップされる第２ピニングサイトＰＳ２が形成される。第１磁化領域１１中には、磁壁がトラップされる第３ピニングサイトＰＳ３が形成される。
摘要翻译：利用畴壁运动的MRAM包括具有垂直磁各向异性的磁化记录层（10）和用于向磁化记录层（10）提供电流的一组端子（51,52）。磁化记录层（10）包括连接到该组端子中的一个端子的第一磁化区域（11），连接到该组端子中的另一个端子的第二磁化区域（12）在第一磁化区域（11）和第二磁化区域（12）之间并具有可逆磁化强度。在第一磁化区域（11）和磁化反转区域（13）之间的边界处，形成有畴壁被捕获的第一钉扎部位（PS1）。在第二磁化区域（12）和磁化反转区域（13）之间的边界处，形成了畴壁被捕获的第二钉扎位置（PS2）。在第一磁化区域（11）内形成有第三钉扎部位（PS3），在该第三钉扎部位（畴3）被捕获。

5. 发明申请

WO2009019948A1 磁気記録装置及び磁化固定方法审中-公开
标题翻译：磁记录仪和磁化固定方法
公开(公告)号：WO2009019948A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/062299
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 深見俊輔 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 石綿延行
发明人：鈴木哲広 , 深見俊輔 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228
摘要：　磁気記録装置は、垂直磁気異方性を有する強磁性層である磁気記録層を備える。磁気記録層は、磁化反転領域と、磁化反転領域の第１境界に接続され磁化の向きが第１方向に固定された第１磁化固定領域と、磁化反転領域の第２境界に接続され磁化の向きが第１方向と逆の第２方向に固定された第２磁化固定領域と、を有する。磁気記録層が形成される面内において、磁気記録層の周縁に対する接線の傾きの符号を考える。このとき、第１磁化固定領域に関する上記符号のマジョリティは、第２磁化固定領域に関する上記符号のマジョリティの逆である。
摘要翻译：磁记录器具有作为显示垂直磁各向异性的铁磁层的磁记录层。磁记录层具有磁化反转区域，与磁化反转区域的第一边界连接并且具有固定在第一方向的磁化方向的第一磁化固定区域和与第一磁化固定区域的第二边界连接的第二磁化固定区域磁化反转区域，其磁化方向固定在与第一方向相反的第二方向上。在形成磁记录层的平面中，考虑与磁记录层的圆周边缘相切的倾斜的符号。关于第一磁化固定区域的符号的大部分与关于第二磁化固定区域的大部分符号相反。

6. 发明申请

WO2009019947A1 磁壁ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁壁随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009019947A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/062277
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 石綿延行
发明人：鈴木哲広 , 大嶋則和 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層（１０）と、磁気記録層（１０）上に設けられ情報を読み出すための磁気読出し層（５０）とを具備する。磁化記録層（１０）は、反転可能な磁化を有する磁化反転領域（１３）と、磁化反転領域（１３）の第１境界に接続され磁化の向きが第１方向に固定された第１磁化固定領域（１１ａ）と、磁化反転領域（１３）の第２境界に接続され磁化の向きが第２方向に固定された第２磁化固定領域（１１ｂ）とを備える。磁気読出し層（５０）は、磁化反転領域（１３）の磁化の方向に対応して磁化の方向が変化する磁気センス層（３３）と、磁気センス層（３３）上に設けられた非磁性バリア層（３２）と、非磁性バリア層（３２）上に設けられたピン層（３０）とを備える。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括用作具有垂直磁各向异性的铁磁层的磁化记录层（10）和设置在磁化记录层（10）上用于读取信息的磁读取层（50）。磁化记录层（10）包括具有可逆磁化的磁化反转区域（13），与磁化反转区域（13）的第一边界连接并具有固定在第一磁化区域（13）中的磁化取向的第一磁化固定区域（11a）方向和与磁化反转区域（13）的第二边界连接并具有沿第二方向固定的磁化取向的第二磁化固定区域（11b）。磁读取层（50）包括响应于磁化反转区域（13）的磁化方向而变化的磁化方向的磁感应层（33），设置在磁性读取层（50）上的非磁性阻挡层（32）磁感应层（33）和设置在非磁性阻挡层（32）上的引脚层（30）。

7. 发明申请

WO2009122990A1 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009122990A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056044
申请日：2009-03-26
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　本発明に係る磁気抵抗効果素子は、少なくとも一部分において垂直磁気異方性を有する強磁性体から構成された第１強磁性層と第２強磁性層群を備える。第１強磁性層は少なくとも第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と磁化自由領域を有する。第２強磁性層群は、少なくとも第２強磁性層と第１結合層を備える。第１磁化固定領域と第２磁化固定領域の磁化は少なくとも一部分において反平行方向に固定された成分を有する。第１磁化固定領域と第２強磁性層の磁化は少なくとも一部分において反平行方向に固定された成分を有する。このような構成により、容易にメモリ状態の初期化が可能な、電流誘起磁壁移動を利用した磁気ランダムアクセスメモリを提供することができる。
摘要翻译：磁阻效应元件配备有由具有至少部分垂直磁各向异性的铁磁材料制成的第一铁磁层和第二铁磁层组。第一铁磁层具有至少第一固定磁化面积，第二固定磁化面积和自由磁化面积。第二铁磁层组配备有至少第二铁磁层和第一耦合层。第一固定磁化区域和第二固定磁化区域的磁化涉及在反平行方向上至少部分地固定的部件。第一固定磁化区域和第二铁磁层的磁化涉及至少部分地在反向平行方向上固定的部件。使用这种配置，可以提供允许在利用电流驱动域壁运动的同时容易地初始化初始状态的磁性随机存取存储器。

8. 发明申请

WO2009110530A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009110530A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/054127
申请日：2009-03-05
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　半導体装置は、第１メモリセル９を有する第１磁気ランダムアクセスメモリと、第１メモリセル９と比較して高速で動作する第２メモリセル８を有し、前記第１磁気ランダムアクセスメモリと同一チップ内に設けられた第２磁気ランダムアクセスメモリとを具備する。第１メモリセル９は、スピン注入磁化反転型のＭＲＡＭである。磁化自由層の磁壁の位置に基づいてデータを記憶する。書き込み電流が流れる層と、読出し電流が流れる層とは同一ではない。第２メモリセル８は、電流誘起磁界書き込み型のＭＲＡＭである。書き込み電流で誘起される磁界に基づいてデータを記憶する。
摘要翻译：公开了一种装备有具有第一存储单元（9）的第一磁随机存取存储器的半导体器件和具有以比第一存储单元更高的速度工作的第二存储单元（8）的第二磁随机存取存储器（9），并且设置在与上述第一磁随机存取存储器相同的芯片内。第一存储单元（9）是自旋注入磁化反转型MRAM。基于无磁化层的磁性壁的位置存储数据。写入电流流动的层和读出电流流动的层不相同。第二存储单元（8）是电流感应磁场型MRAM。基于由写入电流引起的磁场存储数据。

9. 发明申请

WO2009060749A1 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009060749A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/069498
申请日：2008-10-28
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗効果素子が、第１磁化自由層と、第２磁化自由層と、第２磁化自由層に隣接して設けられる非磁性層と、非磁性層に隣接して第２磁化自由層とは反対側に設けられる第１磁化固定層とを具備する。第１磁化自由層は、強磁性体から構成され、且つ、膜厚方向の磁気異方性を有する。一方、第２磁化自由層及び第１磁化固定層は、強磁性体から構成され、面内方向の磁気異方性を有する。第１磁化自由層は、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とに接続された磁化自由領域とを有する。磁化自由領域と第２磁化自由層とは、磁気的に結合されている。加えて、磁化自由領域の重心と第２磁化自由層の重心とが面内方向である特定方向にずれて位置している。
摘要翻译：磁阻元件包括：第一自由磁化层; 第二自由磁化层; 布置成与第二自由磁化层相邻的非磁性层; 以及第一固定磁化层，其布置成与所述非磁性层相邻并且在与所述第二自由磁化层相反的一侧。第一自由磁化层由铁磁材料形成，并且在膜厚度方向上具有磁各向异性。另一方面，第二自由磁化层和第一固定磁化层由铁磁材料形成，并且在面内方向上具有磁各向异性。第一自由磁化层具有：第一固定磁化区; 第二固定磁化区; 以及连接到第一固定磁化区域和第二固定磁化区域的自由磁化区域。自由磁化区域磁耦合到第二自由磁化区域。此外，自由磁化区域的重心在第二自由磁化层的重心的特定的面内方向上偏移。

10. 发明申请

WO2009037910A1 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法、及び磁気抵抗効果素子审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器，其写入方法和磁阻效应元件
公开(公告)号：WO2009037910A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/062296
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08
摘要：磁気ランダムアクセスメモリは、第１強磁性層１０と、第１強磁性層１０に隣接して設けられる絶縁層２０と、絶縁層２０に隣接して第１強磁性層１０とは反対側に設けられる第１磁化固定層３０とを具備する。第１強磁性層１０は、磁化自由領域１２と第１磁化固定領域１１ａと第２磁化固定領域１１ｂとを備える。磁化自由領域１２は反転可能な磁化を有し第２強磁性層２０とオーバーラップする。第１磁化固定領域１１ａは第１固定磁化を有し磁化自由領域の一部に接続される。第２磁化固定領域１１ｂは第２固定磁化を有し磁化自由領域１２の一部に接続される。第１強磁性層１０は膜面垂直方向への磁気異方性を有する。第１固定磁化と第２固定磁化は、膜面垂直方向で、互いに反平行に固定される。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括第一铁磁层（10），与第一铁磁层（10）相邻设置的绝缘层（20），邻近绝缘层（20）设置的第一固定磁化层（30）到第一铁磁层（10）。第一铁磁层（10）包括自由磁化区（12），第一固定磁化区（11a）和第二固定磁化区（11b）。自由磁化区域（12）具有可逆磁化强度并且与第二铁磁层（20）重叠。第一固定磁化区域（11a）具有第一固定磁化强度并且连接到自由磁化区域的一部分。第二固定磁化区域（11b）具有第二固定磁化强度并连接到自由磁化区域（12）的一部分。第一铁磁层（10）在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性。第一固定磁化和第二固定磁化在垂直于膜表面的方向上彼此反平行固定。

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