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1. 发明申请

WO2005015618A1 窒化物半導体成長用基板审中-公开
标题翻译：氮化物半导体生长基板
公开(公告)号：WO2005015618A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/JP2004/011539
申请日：2004-08-11
申请人：日本電信電話株式会社 , 熊倉一英 , 廣木正伸 , 牧本俊樹
发明人：熊倉一英 , 廣木正伸 , 牧本俊樹
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , Y10T428/12569 , Y10T428/12625 , Y10T428/12875 , Y10T428/24
摘要：　高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ２Ｏ３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ２Ｏ３層（２）上に積層させる。
摘要翻译：用于氮化物半导体生长的衬底，可以获得高品质的氮化物半导体晶体层。用于在蓝宝石衬底（1）上生长氮化物半导体层的氮化物半导体生长用衬底的一种形式包括蓝宝石衬底（1）并且叠加在其上的单独设置的Al 2 O 3层（2），第一层AlON层（3）和第二层 AlN层（4）。对于第一层和第二层，AlON层（3）和AlN层（4）依次设置在Al 2 O 3层（2）上。

2. 发明申请

WO2004061971A1 ｐ型窒化物半導体構造及びバイポーラトランジスタ审中-公开
标题翻译： P型氮化物半导体结构和双极晶体管
公开(公告)号：WO2004061971A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2004/000014
申请日：2004-01-06
申请人：日本電信電話株式会社 , 牧本俊樹 , 熊倉一英 , 小林直樹
发明人：牧本俊樹 , 熊倉一英 , 小林直樹
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/7371
摘要：本発明は、加工ダメージのあるｐ型窒化物半導体上にＩｎを含むｐ型窒化物半導体を再成長することにより、加工ダメージが修復され、オーミック特性が大幅に改善されたｐ型窒化物半導体構造を提供すること、また、電流利得および立ち上がり電圧を大幅に改善することができるｐ型窒化物半導体バイポーラトランジスタを提供することである。エッチングによる加工を施したｐ型窒化物半導体（２）上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物半導体層（８）を設ける。また、ベース層がｐ型窒化物半導体であるバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層（１）をエッチングすることにより露出されたｐ型ＩｎＧａＮべース層（２）の表面に、再成長させたＩｎを含むｐ型ＩｎＧａＮベース層（８）を設ける。
摘要翻译：公开了一种具有欧姆特性的p型氮化物半导体结构，通过重新生长含有In的p型氮化物半导体，在接收到工艺引起的损伤的p型氮化物半导体上，并且由此补救了工艺引起的损伤，大大提高了欧姆特性。此外，还公开了具有大大改善的电流增益和极大改善的上升电压的p型氮化物半导体双极晶体管。在通过蚀刻加工的p型氮化物半导体（2）上形成含有In的p型氮化物半导体层（8）。在具有p型氮化物半导体的基极层的双极晶体管中，通过在通过蚀刻发射极层（1）暴露的p型InGaN基极层（2）上再生长而形成含有In的p型InGaN基极层（8））。

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