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1. 发明申请

WO2013035325A1 窒化物半導体構造及びその作製方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2013035325A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/JP2012/005633
申请日：2012-09-05
申请人：日本電信電話株式会社 , 小林康之 , 熊倉一英 , 赤坂哲也 , 牧本俊樹
发明人：小林　康之 , 熊倉　一英 , 赤坂　哲也 , 牧本　俊樹
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L29/04 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L29/15 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要：　本発明の窒化物半導体構造は、ｈ－ＢＮ薄膜またはｔ－ＢＮ薄膜（１２）およびウルツ鉱型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＞０）薄膜（１４）をバッファ層として成長し、その上に単結晶ウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜（１３）を形成する。ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ等がｓｐ３結合を有するウルツ鉱型構造であるのに対して、ｈ－ＢＮ、ｔ－ＢＮはｓｐ２結合を有するグラファイト型構造であり、結晶構造が全く異なる。そのため、従来、グラファイト型ｈ－ＢＮ薄膜上にウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ薄膜を成長できるとは考えられなかった。これに対し、グラファイト型窒化ホウ素薄膜（１２）上にウルツ鉱型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＞０）薄膜（１４）をバッファ層として形成すると、その上にＧａＮ等のウルツ鉱型ＡｌＧａＩｎＢＮ（１３）窒化物半導体構造を成長可能である。
摘要翻译：该氮化物半导体结构生长作为缓冲层的h-BN薄膜或t-BN薄膜（12）和纤锌矿AlxGax-1N（x> 0）薄膜（14），形成单晶纤锌矿ALGaInBN薄膜（13）于此。而GaN，AlGaN，AlN等是具有sp 3键的纤锌矿结构，h-BN和t-BN是具有sp2键的石墨结构，晶体结构完全不同。因此，通常，不可能在石墨h-BN薄膜上生长纤锌矿AlGaInBN薄膜。相反，在石墨氮化硼薄膜（12）上形成作为缓冲层的纤锌矿Al x Ga 1-x N（x> 0）薄膜（14）可以生长GaN或其它类型的纤锌矿AlGaInBN（13）氮化物半导体结构，。

2. 发明申请

WO2005015618A1 窒化物半導体成長用基板审中-公开
标题翻译：氮化物半导体生长基板
公开(公告)号：WO2005015618A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/JP2004/011539
申请日：2004-08-11
申请人：日本電信電話株式会社 , 熊倉一英 , 廣木正伸 , 牧本俊樹
发明人：熊倉一英 , 廣木正伸 , 牧本俊樹
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , Y10T428/12569 , Y10T428/12625 , Y10T428/12875 , Y10T428/24
摘要：　高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ２Ｏ３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ２Ｏ３層（２）上に積層させる。
摘要翻译：用于氮化物半导体生长的衬底，可以获得高品质的氮化物半导体晶体层。用于在蓝宝石衬底（1）上生长氮化物半导体层的氮化物半导体生长用衬底的一种形式包括蓝宝石衬底（1）并且叠加在其上的单独设置的Al 2 O 3层（2），第一层AlON层（3）和第二层 AlN层（4）。对于第一层和第二层，AlON层（3）和AlN层（4）依次设置在Al 2 O 3层（2）上。

3. 发明申请

WO2004061971A1 ｐ型窒化物半導体構造及びバイポーラトランジスタ审中-公开
标题翻译： P型氮化物半导体结构和双极晶体管
公开(公告)号：WO2004061971A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2004/000014
申请日：2004-01-06
申请人：日本電信電話株式会社 , 牧本俊樹 , 熊倉一英 , 小林直樹
发明人：牧本俊樹 , 熊倉一英 , 小林直樹
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/7371
摘要：本発明は、加工ダメージのあるｐ型窒化物半導体上にＩｎを含むｐ型窒化物半導体を再成長することにより、加工ダメージが修復され、オーミック特性が大幅に改善されたｐ型窒化物半導体構造を提供すること、また、電流利得および立ち上がり電圧を大幅に改善することができるｐ型窒化物半導体バイポーラトランジスタを提供することである。エッチングによる加工を施したｐ型窒化物半導体（２）上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物半導体層（８）を設ける。また、ベース層がｐ型窒化物半導体であるバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層（１）をエッチングすることにより露出されたｐ型ＩｎＧａＮべース層（２）の表面に、再成長させたＩｎを含むｐ型ＩｎＧａＮベース層（８）を設ける。
摘要翻译：公开了一种具有欧姆特性的p型氮化物半导体结构，通过重新生长含有In的p型氮化物半导体，在接收到工艺引起的损伤的p型氮化物半导体上，并且由此补救了工艺引起的损伤，大大提高了欧姆特性。此外，还公开了具有大大改善的电流增益和极大改善的上升电压的p型氮化物半导体双极晶体管。在通过蚀刻加工的p型氮化物半导体（2）上形成含有In的p型氮化物半导体层（8）。在具有p型氮化物半导体的基极层的双极晶体管中，通过在通过蚀刻发射极层（1）暴露的p型InGaN基极层（2）上再生长而形成含有In的p型InGaN基极层（8））。

4. 发明申请

WO2006137401A1 ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006137401A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312334
申请日：2006-06-20
申请人：日本電信電話株式会社 , 嘉数誠 , 牧本俊樹 , 植田研二 , 山内喜晴
发明人：嘉数誠 , 牧本俊樹 , 植田研二 , 山内喜晴
IPC分类号： H01L21/338 , C23C16/27 , C30B29/04 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/812 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/324 , C23C16/274 , C23C16/278 , C30B25/105 , C30B29/04 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02013 , H01L21/02027 , H01L21/02376 , H01L21/02433 , H01L21/02527 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/0405 , H01L21/0415 , H01L29/045 , H01L29/1602 , H01L29/45 , H01L29/66037 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/66856 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/812 , H01L33/0054 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　従来のダイヤモンド半導体素子においては、結晶欠陥密度が高く、ダイヤモンド特有の高熱伝道率、高絶縁破壊電界強度、高周波特性など物理特性を、トランジスタ特性に反映させることは出来なかった。ダイヤモンド基板の面方位を［００１］方向からわずかにずらすことにより、ダイヤモンド特有の結晶欠陥を大幅に減らすことが出来る。単結晶ダイヤモンド薄膜やチャンネルの面方位をわずかに［００１］方向からずらすことによっても、同等の効果が得られる。従来の面方位によって作成したトランジスタに比べて格段に高い相互コンダクタンスｇｍを得ることが出来る。
摘要翻译：在传统的半导体元件中，由于高晶体缺陷密度，金刚石的具体物理特性，即高导热率，高绝缘击穿场强和高频特性，不能反映在晶体管特性上。通过从[001]方向稍微移动金刚石衬底的平面取向，可以显着降低特定的金刚石晶体缺陷。也可以通过从[001]方向稍微移动单晶金刚石薄膜和沟道的平面取向来获得等效效果。可以获得与用常规平面取向制造的晶体管相比显着高的互导（gm）。

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