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1. 发明申请

WO2004017119A1 トーションバーを備えるマイクロ揺動素子审中-公开
标题翻译：带摇杆的微型摇臂装置
公开(公告)号：WO2004017119A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2002/008281
申请日：2002-08-14
申请人：富士通株式会社 , ミイシヤオユウ , 壺井修 , 上田知史 , 佐脇一平
发明人：ミイシヤオユウ , 壺井修 , 上田知史 , 佐脇一平
IPC分类号： G02B26/10
CPC分类号： G02B26/0841 , B81B3/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/033 , B81B2201/042 , B81B2203/0109 , B81B2203/0154 , B81B2203/058
摘要： A micro rocking device comprises a frame (113) and a rocking member (111) connected to the frame (113) through connecting parts (112). Each connecting part (112) has two torsion bars (112a) each having holes (112b). Therefore, the torsion bars (112a) have relatively high rigidity with respect to the frame (113) and relative low rigidity with respect to the rocking member (111).
摘要翻译：微摇摆装置包括通过连接部分（112）连接到框架（113）的框架（113）和摆动构件（111）。每个连接部分（112）具有两个具有孔（112b）的扭杆（112a）。因此，扭杆（112a）相对于框架（113）具有相对较高的刚性并且相对于摆动构件（111）具有相对低的刚度。

2. 发明申请

WO2004103892A1 マイクロ構造体の製造方法およびマイクロ構造体审中-公开
标题翻译：制备微结构和微结构的方法
公开(公告)号：WO2004103892A1
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：PCT/JP2003/005404
申请日：2003-04-25
申请人：富士通株式会社 , ミイシヤオユウ , 高馬悟覚 , 壷井修 , 岩城匡郁 , 奥田久雄 , 曽根田弘光 , 上田知史 , 佐脇一平
发明人：ミイシヤオユウ , 高馬悟覚 , 壷井修 , 岩城匡郁 , 奥田久雄 , 曽根田弘光 , 上田知史 , 佐脇一平
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00547 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , G01P15/0802 , G02B26/0841
摘要：薄肉部（Ｔ１～Ｔ３）を有するマイクロ構造体を製造するための方法は、第１導体層（１１）、および、薄肉部（Ｔ１～Ｔ３）の厚さに相当する厚さを有する第２導体層（１２）、よりなる積層構造を含む材料基板に対し、第１導体層（１１）の側から第１エッチング処理を行うことにより、第２導体層（１２）において、当該第２導体層（１２）の面内方向に離隔する一対の側面を有して第１導体層（１１）に接するプレ薄肉部（Ｔ１'～Ｔ３'）を形成するための工程と、第１導体層（１１）の側からの第２エッチング処理により、第１導体層（１１）においてプレ薄肉部（Ｔ１'～Ｔ３'）に接する箇所を除去して薄肉部を形成するための工程と、を含む。
摘要翻译：一种用于制造具有薄部分（T1-T3）的微结构的方法，包括用于在第二导体层（12）中形成在第一导体层（11）上的预薄部分（T1'-T3'）的步骤，同时通过蚀刻具有第一导体层（11）和第二导体层（12）的多层结构的材料基板，具有在第二导体层（12）的面内方向上间隔开的一对侧面，对应于从第一导体层（11）侧开始的薄部分（T1-T3）的步骤，以及通过去除邻接在预薄部分上的第一导体层（11）的部分来形成薄部分的步骤（T1'-T3'），通过在第一导体层（11）侧开始进行第二蚀刻。

3. 发明申请

WO2004034126A1 トーションバーを備えるマイクロ可動素子审中-公开
标题翻译：微型移动元件包含扭力杆
公开(公告)号：WO2004034126A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2002/010560
申请日：2002-10-10
申请人：富士通株式会社 , 富士通メディアデバイス株式会社 , 壷井修 , 水野義博 , 上田知史 , 佐脇一平 , 奥田久雄 , 山岸文雄 , 曽根田弘光
发明人：壷井修 , 水野義博 , 上田知史 , 佐脇一平 , 奥田久雄 , 山岸文雄 , 曽根田弘光
IPC分类号： G02B26/08
CPC分类号： G02B26/0841 , G02B26/085 , H02N1/008
摘要：マイクロ可動素子（Ｘ１）は、コア導体層（１１０ｂ）を含む複数の導体層（１１０ａ～１１０ｃ）および導体層（１１０ａ～１１０ｃ）間に介在する絶縁層（１１０ｄ，１１０ｅ）よりなる積層構造を有する材料基板において一体的に成形されている、可動部（１１１）と、フレーム（１１２）と、これらを連結する連結部（１１３）とを備える。可動部（１１１）は、コア導体層（１１０ｂ）に由来する第１構造体を含む。フレーム（１１２）は、コア導体層（１１０ｂ）に由来する第２構造体を含む。連結部（１１３）は、コア導体層（１１０ｂ）に由来して第１構造体および第２構造体に対して連続的に接続し且つ相互に電気的に分離されている複数のトーションバー（１１３ａ，１１３ｂ）を含む。
摘要翻译：微型移动元件（X1）包括移动部分（111），框架（112），其一体地模制在具有包括导体层（110a-110c）的材料基板上，该导体层包括芯导体层（110b）和绝缘层介于导体层（110a-110c）之间的层（110d，110e）和耦合部分（113）。移动部分（111）包括从芯导体层（110b）衍生的第一结构。框架（112）包括衍生自芯导体层（110b）的第二结构。耦合部分（113）包括衍生自芯体导体层（110b）的扭杆（113a，113b），连续地连接到第一和第二结构，并彼此电分离。

4. 发明申请

WO2006095425A1 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：非线性半导体存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2006095425A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2005/004194
申请日：2005-03-10
申请人：富士通株式会社 , 佐藤良夫 , 有本由弘 , 佐脇一平 , 宮下勉 , 上田政則 , 松田隆志
发明人：佐藤良夫 , 有本由弘 , 佐脇一平 , 宮下勉 , 上田政則 , 松田隆志
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要：　基板１０上に形成された第１の電極２６と；第１の電極上に形成された単結晶の強誘電体層２８と；強誘電体層上に形成された第２の電極３０とを有するキャパシタ３２を有している。キャパシタ３２の強誘電体層２８の材料として、極めて安定な材料である単結晶の強誘電体が用いられているため、分極反転を繰り返し行っても殆ど劣化しない。このため、極めて寿命の長い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。また、キャパシタ３２の強誘電体層２８の材料として単結晶の強誘電体が用いられているため、極めて高い残留分極値Ｐｒを得ることができる。このため、キャパシタ３２を微細化した場合であっても、十分に大きい信号を得ることが可能である。このため、集積度の高い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
摘要翻译：公开了一种非易失性半导体存储器，其包括具有形成在基板（10）上的第一电极（26）的电容器（32），形成在第一电极上的单晶铁电体层（28）和形成在第一电极铁电层。由于使用非常稳定的单晶铁电材料作为电容器（32）的铁电体层（28）的材料，所以即使重复极化反转，电容器（32）几乎不劣化。因此，可以获得具有非常长的寿命的非易失性半导体存储器。此外，由于使用单晶铁电材料作为电容器（32）的铁电体层（28）的材料，因此可以获得极高的剩余极化（Pr）。因此，即使当电容器（32）小型化时也可以获得足够大的信号，从而能够获得高集成度的非易失性半导体存储器。

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