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1. 发明申请

WO2006095425A1 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：非线性半导体存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2006095425A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2005/004194
申请日：2005-03-10
申请人：富士通株式会社 , 佐藤良夫 , 有本由弘 , 佐脇一平 , 宮下勉 , 上田政則 , 松田隆志
发明人：佐藤良夫 , 有本由弘 , 佐脇一平 , 宮下勉 , 上田政則 , 松田隆志
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要：　基板１０上に形成された第１の電極２６と；第１の電極上に形成された単結晶の強誘電体層２８と；強誘電体層上に形成された第２の電極３０とを有するキャパシタ３２を有している。キャパシタ３２の強誘電体層２８の材料として、極めて安定な材料である単結晶の強誘電体が用いられているため、分極反転を繰り返し行っても殆ど劣化しない。このため、極めて寿命の長い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。また、キャパシタ３２の強誘電体層２８の材料として単結晶の強誘電体が用いられているため、極めて高い残留分極値Ｐｒを得ることができる。このため、キャパシタ３２を微細化した場合であっても、十分に大きい信号を得ることが可能である。このため、集積度の高い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
摘要翻译：公开了一种非易失性半导体存储器，其包括具有形成在基板（10）上的第一电极（26）的电容器（32），形成在第一电极上的单晶铁电体层（28）和形成在第一电极铁电层。由于使用非常稳定的单晶铁电材料作为电容器（32）的铁电体层（28）的材料，所以即使重复极化反转，电容器（32）几乎不劣化。因此，可以获得具有非常长的寿命的非易失性半导体存储器。此外，由于使用单晶铁电材料作为电容器（32）的铁电体层（28）的材料，因此可以获得极高的剩余极化（Pr）。因此，即使当电容器（32）小型化时也可以获得足够大的信号，从而能够获得高集成度的非易失性半导体存储器。

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