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1. 发明申请

WO2006022405A1 ハロゲン化銀カラー写真感光材料及び画像形成方法审中-公开
标题翻译：银色彩色摄影感光材料和图像形成方法
公开(公告)号：WO2006022405A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015604
申请日：2005-08-23
申请人：富士写真フイルム株式会社 , 出口泰章 , 竹内潔 , 桜沢守 , 山田真人 , 佐藤武彦
发明人：出口泰章 , 竹内潔 , 桜沢守 , 山田真人 , 佐藤武彦
IPC分类号： G03C7/38 , G03C7/388 , G03C7/413 , G03C7/407 , G03C7/36 , G03C5/08 , G03C1/31 , G03C7/392
CPC分类号： G03C7/3885 , G03C7/3022 , G03C7/32 , G03C7/36 , G03C7/3825 , G03C7/39208 , G03C2007/3025 , G03C2200/27
摘要：　支持体上にイエロー、マゼンタ又はシアンの各色素形成カプラーを含有する感光性ハロゲン化銀乳剤層を各々少なくとも１層ずつおよび非感光性親水性コロイド層を少なくとも一層有してなり、該色素形成カプラーの少なくとも１種が、酢酸エチルへの溶解度が１×１０ -8 ～５×１０ -3 ｍｏｌ／Ｌのアゾメチン色素を形成する色素形成カプラーであるハロゲン化銀カラー写真感光材料、並びに該感光材料を用いる画像形成方法。
摘要翻译：一种卤化银彩色照相感光材料，其包含支持体，并且叠加在其上的至少一个感光卤化银乳剂层中的至少一种，所述光敏卤化银乳剂层分别含有形成黄色，品红色和青色染料的成色剂以及至少一种非感光亲水胶体层，其中在至少一种染料形成成色剂是能够形成偶氮甲碱染料的染料形成成色剂，其在乙酸乙酯中的溶解度在1×10 -8至5×10 -3的范围内， / SUP> mol / L。此外，提供了使用上述感光材料的成像方法。

2. 发明申请

WO2008023776A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008023776A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/JP2007/066397
申请日：2007-08-23
申请人：日本電気株式会社 , 竹内潔
发明人：竹内潔
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要：チャネルが形成される半導体層（２ａ）と（２ｂ）とが、基板（１）の上方に相互に離隔して積み重ねられている。半導体層（２ａ）は、その上面がゲート絶縁膜（４）を介してゲート電極（５ａ）と接し、その下面がゲート絶縁膜（４）を介してゲート電極（５ｂ）と接する。半導体層（２ｂ）は、その上面がゲート絶縁膜（４）を介してゲート電極（５ｂ）と接し、その下面がゲート絶縁膜（４）を介してゲート電極（５ｃ）と接する。ゲート電極（５ａ）と（５ｃ）とは、ゲート用コンタクト導体（７ａ）を介して互いに短絡され、図示しない配線に接続される。また、ゲート電極（５ｂ）は、他のゲート用コンタクト導体（７ｂ）を介して、図示しない配線に接続される。
摘要翻译：用于形成沟道的半导体层（2a，2b）通过彼此分离而堆叠在衬底（1）的上方。半导体层（2a）的上表面通过栅极绝缘膜（4）与栅电极（5a）接触，并且通过栅极绝缘膜（4）与栅电极（5b）接触的下表面。半导体层（2b）的上表面通过栅极绝缘膜（4）与栅极电极（5b）接触，并且通过栅极绝缘膜（4）与栅电极（5c）接触的下表面。栅电极（5a，5c）通过栅极接触导体（7a）彼此短路，并连接到图中未示出的布线。栅电极（5b）通过其他栅极接触导体（7b）与图中未示出的配线连接。

3. 发明申请

WO2005074036A1 電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2005074036A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/001207
申请日：2005-01-28
申请人：日本電気株式会社 , 黄俐昭 , 田中克彦 , 竹内潔
发明人：黄俐昭 , 田中克彦 , 竹内潔
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/7854 , H01L29/78609
摘要：　基体平面から突起した半導体層と、その両側面上に設けられたゲート電極と、ゲート電極と半導体層側面の間に介在するゲート絶縁膜と、第１導電型不純物が導入されたソース／ドレイン領域とを有し、前記半導体層は、ソース／ドレイン領域に挟まれた部分にチャネル形成領域を有し、チャネル形成領域における半導体層上部には、その下方部分より第２導電型不純物濃度が高いチャネル不純物濃度調整領域を有し、このチャネル不純物濃度調整領域は、ゲート電極に信号電圧を印加した動作状態において、当該チャネル不純物濃度調整領域における半導体層のゲート絶縁膜に相対する側面部分にチャネルが形成されることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
摘要翻译：场效应晶体管的特征在于包括从基底的平坦表面向上突出的半导体层，布置在半导体层的两个侧表面上的栅电极，插入在栅极电极和半导体的每个侧表面之间的栅极绝缘膜层和源/漏区，其中引入第一导电类型的杂质。场效应晶体管的特征还在于，半导体层在源极区域和漏极区域之间具有沟道形成区域，并且沟道形成区域中的半导体层的上部具有沟道杂质浓度调节区域，其中，第二导电类型的杂质的浓度高于下部。场效应晶体管的特征还在于，在工作时，向栅电极施加信号电压时，在沟道杂质浓度调整区域的半导体层的侧面部分形成沟道，该沟道杂质浓度调整区域与栅极绝缘膜。

4. 发明申请

WO2005020325A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005020325A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/JP2004/012092
申请日：2004-08-24
申请人：日本電気株式会社 , 山上滋春 , 若林整 , 竹内潔 , 武田晃一 , 小椋厚志 , 田中聖康 , 野村昌弘 , 辰巳徹 , 渡部宏治 , 寺島浩一
发明人：山上滋春 , 若林整 , 竹内潔 , 武田晃一 , 小椋厚志 , 田中聖康 , 野村昌弘 , 辰巳徹 , 渡部宏治 , 寺島浩一
IPC分类号： H01L27/088
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/785
摘要：　基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上面から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在する絶縁膜と、ソース／ドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、１つのチップ内に、前記ＭＩＳ型電界効果トランジスタとして、ゲート電極下の前記半導体凸部における基板平面に平行かつチャネル長方向に垂直な方向の幅Ｗが互いに異なる複数種のトランジスタを有する半導体装置。
摘要翻译：提供了一种半导体器件，包括具有从衬底平面突出的半导体突起的MIS场效应晶体管，从半导体突起的两侧沿其两侧延伸的栅电极，布置在栅电极和半导体突起之间的绝缘膜 ; 和源极/漏极区域。作为MIS场效应晶体管，单个芯片包含在栅极电极下方的半导体突起处并且垂直于沟道长度方向的平行于衬底平面的方向上具有不同宽度W的几种类型的晶体管。

5. 发明申请

WO2007136102A1 半導体装置、集積回路、及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件，集成电路和半导体制造方法
公开(公告)号：WO2007136102A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/060559
申请日：2007-05-23
申请人：日本電気株式会社 , 宮村信 , 竹内潔
发明人：宮村信 , 竹内潔
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/823412 , H01L21/84 , H01L21/845 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L29/105 , H01L29/66772 , H01L29/78648 , H01L29/78654 , H01L29/78696
摘要：集積回路は、絶縁膜上に半導体層からなるチャネル膜が形成された複数個のＭＩＳＦＥＴを有する。各ＭＩＳＦＥＴのチャネル膜厚は相異なり、前記チャネル膜に含まれる不純物の単位面積あたりの濃度が、チャネル膜厚が厚いＭＩＳＦＥＴほど大きくなるという相関関係が成立する。これにより、チャネル膜厚の変化に起因した閾値電圧の変動が抑制される。この場合に、前記複数個のＭＩＳＦＥＴのチャネル膜厚は設計値が同一であり、且つ各ＭＩＳＦＥＴのチャネル膜厚の相異は設計値からの統計的なばらつきによるものであってもよい。前記不純物の単位面積あたりの濃度は、前記チャネル膜厚に比例しているか、又は、前記チャネル膜厚に対して下に凸の関数である。
摘要翻译：集成电路具有MISFET，其中在绝缘膜上形成由半导体层构成的沟道膜。 MISFET的沟道膜厚度彼此不同，并且存在MISFET的沟道膜厚度越大越大，沟道膜中含有的每单位面积的杂质浓度越高的相关性。由此，抑制归因于通道膜厚度的变化的阈值电压的变化。在这种情况下，MISFET的沟道膜厚度的设计值可以相同，并且沟道膜厚度的变化可能是由于与设计值的统计变化。每单位面积的杂质浓度与通道膜厚度成比例，或相对于通道膜厚度由凸函数表示。

6. 发明申请

WO2007063990A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007063990A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/JP2006/324102
申请日：2006-12-01
申请人：日本電気株式会社 , 武田晃一 , 竹内潔
发明人：武田晃一 , 竹内潔
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/336 , H01L27/11 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/845 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , Y10S257/903
摘要：　一対の駆動トランジスタと一対の負荷トランジスタから成るデータ保持部、一対のアクセストランジスタから成るデータ書込み部、アクセストランジスタと駆動トランジスタから成るデータ読出し部を備えたＳＲＡＭセル単位を有する半導体装置であって、前記の各トランジスタは、基体平面に対して突起した半導体層と、半導体層を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、ゲート電極と半導体層間のゲート絶縁膜と、ソース／ドレイン領域を有し、各半導体層は、その長手方向が第１方向に沿って設けられ、第１方向に隣接するＳＲＡＭセル単位間において、互いに対応するトランジスタ間のいずれにおいても、一方のトランジスタの半導体層の第１方向に沿った中心線上に他方のトランジスタの半導体層が配置されている半導体装置。
摘要翻译：半导体器件设置有SRAM单元单元。 SRAM单元单元设置有由一对驱动晶体管和一对负载晶体管组成的数据存储部; 由一对存取晶体管组成的数据写入部分; 以及由存取晶体管和驱动晶体管构成的数据读取部。每个晶体管设置有从基底面突出的半导体层; 从上方在半导体层上方的两面相对的侧面上延伸的栅电极; 在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘膜; 和源极/漏极区域。每个半导体层被布置成沿着第一方向具有其纵向方向。在第一方向的相邻SRAM单元单元中，所有对应的晶体管都具有沿着另一个晶体管的半导体层的第一方向的中心线上的一个晶体管的半导体层。

7. 发明申请

WO2007058180A1 盲人安全杖の石突き审中-公开
标题翻译：盲人安全防护用品
公开(公告)号：WO2007058180A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/322678
申请日：2006-11-14
申请人：有限会社テイクス , 竹内潔
发明人：竹内潔
IPC分类号： A61H3/06 , A45B9/04
CPC分类号： A45B9/04 , A61H3/0288 , A61H3/068
摘要：【課題】路面に突っかかりにくいことで、簡単に使え、疲れずに、速く歩行できる盲人安全杖を実現する石突きを提供する。【解決手段】石突き（３）は、盲人安全杖（１）の竿部（２）に付けられる取付け部材（４）と、取付け部材のくびれ部（４ａ）にはめこまれた中心穴形成部（５ａ）がある円盤状の弾性部材（５）と、弾性部材（５）の外面に接着剤（８）によって固着された殻部材（７）から成っている。殻部材（７）が全方向へ変位と回転をして、突っかかりを避けることができる。
摘要翻译： [问题]盲人的安全手杖的套圈。套圈不太可能被路面抓住，使人容易地处理棒，并且走得更快而不会累。用于解决问题的手段套圈（3）具有安装在盲人用安全手杖（1）的杆部（2）上的安装构件（4），具有安装在安装构件的沙漏形部分（4a）中的中心孔形成部分（5a）和用粘合剂（8）固定到弹性构件（5）的外表面的壳体（7）。因为外壳构件（7）可以在所有方向上移位和旋转，所以可避免套圈被路面卡住。

8. 发明申请

WO2006011369A1 電界効果型トランジスタ用の基板、電界効果型トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：场效应晶体管的基板，场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2006011369A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/JP2005/013021
申请日：2005-07-14
申请人：日本電気株式会社 , 黄俐昭 , 田中克彦 , 山上滋春 , 寺島浩一 , 若林整 , 竹内潔 , 田中聖康 , 野村昌弘 , 武田晃一
发明人：黄俐昭 , 田中克彦 , 山上滋春 , 寺島浩一 , 若林整 , 竹内潔 , 田中聖康 , 野村昌弘 , 武田晃一
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要：　オフ電流や寄生容量のばらつきが少ないπゲートＦｉｎＦＥＴの構造、製造方法を提供する。また、オフ電流抑制能力をより強く発揮させることできるよう、素子の構造を改良する。　第１絶縁膜と半導体領域が、基体平面に対して上方に突起するように設けられ、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース／ドレイン領域とを有し、半導体領域の少なくとも側面にチャネルが形成される電界効果型トランジスタであって、第１絶縁膜は、所定条件でのエッチングに対して、少なくとも第１絶縁膜の最下層よりもエッチングレートが低い材料からなるエッチストッパ層上に設けられていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
摘要翻译：提供了具有很小的截止电流和寄生电容的不规则性的p栅极FinFET结构及其制造方法。此外，改善了元件结构，从而更强烈地表现出关断电流抑制能力。场效应晶体管包括第一绝缘膜和布置成相对于基体表面向上突出的半导体区域，并且具有栅电极，栅极绝缘膜和源极/漏极区域。至少在半导体区域的侧表面上形成沟道。第一绝缘膜布置在由在预定条件下进行蚀刻的具有比至少第一绝缘膜的最下层的蚀刻速率低的材料制成的蚀刻停止层。

9. 发明申请

WO2005074035A1 電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2005074035A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/001064
申请日：2005-01-27
申请人：日本電気株式会社 , 黄俐昭 , 竹内潔 , 田中克彦
发明人：黄俐昭 , 竹内潔 , 田中克彦
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/66818 , H01L29/7853 , H01L29/7854
摘要：　基体平面から上方に突起した半導体層と、この半導体層を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体層の側面の間に介在するゲート絶縁膜と、前記半導体層上面に設けられ前記ゲート電極下に位置するキャップ絶縁層と、前記半導体層の前記ゲート電極に覆われない領域に形成されたソース／ドレイン領域とを有し、前記キャップ絶縁層は、前記基体平面に平行方向であって一対のソース／ドレイン領域を結ぶチャネル長方向に垂直な方向へ、前記ゲート絶縁膜の表面から張り出した張り出し部を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
摘要翻译：一种场效应晶体管，包括从基极的平坦表面向上突出的半导体层，栅电极，被布置成跨越半导体层的两个相对的侧表面从半导体层的顶部延伸的半导体层;栅绝缘膜，在栅电极和半导体层的每个侧表面之间形成帽形绝缘层，形成在半导体层的栅电极下方的顶表面上，以及形成在半导体层的未被覆盖的半导体层的区域中的源/漏区栅极电极的特征在于，帽绝缘层具有在平行于基底的平坦表面的方向延伸超过栅极绝缘膜的表面的垂直于垂直于沟道长度方向的连接一对源极/漏极区域。

10. 发明申请

WO2009128337A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009128337A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/JP2009/056331
申请日：2009-03-27
申请人：日本電気株式会社 , 竹内潔
发明人：竹内潔
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8244 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/11 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/76895 , H01L21/84 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L27/1108 , H01L27/1203 , H01L29/42392 , H01L29/7827 , H01L29/78642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　第１局所配線は、基体部から突出した凸部と、凸部の側面から突出した突出部とを備える。第１局所配線の凸部を、第１のトランジスタの下側導電領域に接続し、突出部を、第２のトランジスタのゲート電極に接続する。また、第１局所配線の突出部の下面を、第２のトランジスタのゲート電極の上面以下の高さに配置する。
摘要翻译：第一局部布线电缆具有从基部突出的凸部和从凸部的侧面突出的突起。第一局部布线电缆的凸部连接到第一晶体管的下导电区，而突起连接到第二晶体管的栅电极。此外，第一局部布线电缆的突起的下表面布置在不高于第二晶体管的栅电极的上表面的高度处。

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