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1. 发明申请

WO2003063222A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧处理装置
公开(公告)号：WO2003063222A1
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/JP2002/012469
申请日：2002-11-28
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/6708
摘要： An ozone−processing device for forming or modifying an oxide film or removing a resist film by spraying an ozone gas against a semiconductor substrate or liquid crystal substrate. An ozone−processing device (1) comprises a stage (20) on which a substrate (K) is placed, a heater for heating the substrate (K) on the stage (20), opposed plates (40) opposed to the opposite surface of the substrate (K), having a nozzle open to the opposite surface of the substrate (K), and used for spraying an ozone gas against the substrate (K), and a gas supply (60) for supplying an ozone gas to the nozzles of the opposed plates (40) to eject the ozone gas. The opposed plates (40) are so arranged in the same plane as to be spaced from one another to form gaps therebetween. The volume of each opposed plate (40) is small. As a result, even if heat is transferred between the opposed plates (40) and the substrate (K), the opposed plates (40) and the substrate (K) come into a heat−balanced state in a short time, thereby facilitating the temperature control of the substrate (K).
摘要翻译：一种用于通过将臭氧气体喷射到半导体衬底或液晶衬底上来形成或修饰氧化膜或去除抗蚀剂膜的臭氧处理装置。臭氧处理装置（1）包括其上放置有基板（K）的载物台（20），用于加热载物台（20）上的基板（K）的加热器，与相对表面相对的相对板具有与基板（K）相反的表面开口的喷嘴，用于向基板（K）喷射臭氧气体的基板（K）和用于向臭氧气体供给臭氧气体的气体供应源（60）相对板（40）的喷嘴喷射臭氧气体。相对的板（40）被布置在相同的平面中以彼此间隔开，以在它们之间形成间隙。每个相对的板（40）的体积小。结果，即使在相对的板（40）和基板（K）之间传递热量，相对的板（40）和基板（K）在短时间内也进入热平衡状态，从而便于基板的温度控制（K）。

2. 发明申请

WO2004055878A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧处理装置
公开(公告)号：WO2004055878A1
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/JP2003/015359
申请日：2003-12-01
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67017 , B08B7/00
摘要：本発明は、オゾンを含んだ処理ガスを基板表面に均一に供給し、均一且つ効率的に基板を処理することができるオゾン処理装置に関し、このオゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱するヒータと、載置台２０の上方に、載置台２０上の基板と対向するように配設され、基板Ｋに向けてオゾンを含んだ処理ガスを吐出する処理ガス供給ヘッド３０と、処理ガス供給ヘッド３０に処理ガスを供給するガス供給装置５３とを備える。処理ガス供給ヘッド３０は、基板Ｋとの対向下面に開口する所定内容積のガス滞留室４５を備えた筐体状の部材３７から構成されるとともに、開口部が、表裏に貫通した通気路を全域にわたって多数有する板状の通気性部材４０によって閉塞されてなり、ガス供給装置５３から供給された処理ガスはガス滞留室４５に充填され、通気性部材３７の各通気路を通って吐出される。
摘要翻译：公开了一种臭氧处理装置，用于通过均匀地将含臭氧的处理气体均匀地供给到基板的表面上来均匀且有效地处理基板。该臭氧处理装置（1）包括：放置基板（K）的载物台（20），加热基板（K）的加热器，设置在载物台上方的处理气体供给头（30） 20）面向放置在台架（20）上的基板，并将含臭氧的处理气体排出到基板（K）上;以及气体供给单元（53），用于将处理气体供给到处理气体供给头）。处理气体供给头（30）由具有一定内部容积的气体保持室（45）的壳体构件（37）构成。壳体构件（37）在与底板（K）相对的底部具有开口，并且该开口被具有穿过整个身体的许多穿透空气通道的板状透气构件（40）封闭。从气体供给单元（53）供给的处理气体被填充到气体保持室（45）中，然后通过透气构件（40）的空气通路排出。

3. 发明申请

WO2004013906A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧处理设备
公开(公告)号：WO2004013906A1
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：PCT/JP2003/009702
申请日：2003-07-30
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/68785
摘要：本発明に係るオゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱するヒータと、基板Ｋと対向するように配設された対向板５１と、基板Ｋに向けてオゾンを含んだ処理ガスを供給し、基板Ｋと対向板５１との間に処理ガスを流通させるガス供給装置と、載置台２０の底面中央部を支持，固定する第１支持機構２６、載置台２０の底面を支持するとともに、その上下方向の支持位置を調整可能に構成された複数の第２支持機構３０、第１支持機構２６及び各第２支持機構３０が載置，固定される基台２８を具備した支持装置２５とを備える。第２支持機構３０の支持位置を適宜調整することで、載置台２０の平面度を適正にでき、基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一にできる。
摘要翻译：臭氧处理装置（1）包括放置基板（k）的放置台（20），用于加热基板（k）的加热器，设置成与基板相对设置的相对板（51） k）和支撑装置（25）。支撑装置（25）设置有用于向基板（k）提供包括臭氧的处理气体并使处理气体在基板（k）和相对板（51）之间循环的气体供给装置，第一支撑机构（26））支撑和固定放置台（20）的底面中心部分，支撑放置台（20）的底面的第二支撑机构（30），并且被构造为使得底面的垂直支撑是可调节的，并且第一支撑机构（26）和第二支撑机构（30）放置并固定在其上的基座（28）。可以通过适当地调节第二支撑机构（30）的支撑位置来适当地设置放置台（20）的平坦度，并且可以使基板与相对板之间的距离在它们相对的整个区域中被均匀地保持对彼此。

4. 发明申请

WO2003079426A1 オゾン処理方法及びオゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧处理方法和臭氧处理系统
公开(公告)号：WO2003079426A1
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/JP2002/002563
申请日：2002-03-18
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67017
摘要：　本発明は、半導体基板や液晶基板などの基板表面にオゾンガスを吹きかけて、酸化膜の形成やその改質、レジスト膜の除去といった処理を行うオゾン処理方法及びオゾン処理装置に関する。このオゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、載置台２０上の基板Ｋを加熱する加熱手段と、基板Ｋと対向，配置され、基板Ｋとの対向面に形成され吐出孔４４からオゾンガスを吐出する対向板４０と、吐出孔４４にオゾンガスを供給するガス供給手段４３と、載置台２０を昇降させる昇降手段３０と、昇降手段３０の作動を制御する制御手段３５とから構成される。制御手段３５は、オゾンガスの吐出中に、昇降手段３０を動作させ、載置台２０上の基板Ｋと対向板４０との間隔ｇを変化させる。
摘要翻译：臭氧处理方法和臭氧处理系统，其中氧化膜被形成或改性，或通过将臭氧气体吹送到衬底的表面来除去抗蚀剂膜。半导体衬底或液晶衬底。臭氧处理系统（1）包括用于在其上安装基板K的工作台（20），用于加热安装台（20）上的基板K的装置，与基板K相对设置的板（40）在面向基板K的平面中形成的喷射孔（44），用于向喷射孔（44）供给臭氧气体的装置（43），用于升降安装台（20）的装置（30）），用于控制升降装置（30）的操作。控制装置（35）在排出臭氧气体期间操作升降装置（30），以改变安装台（20）上的基板（K）与板（40）之间的间隔g。

5. 发明申请

WO2004055879A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧处理装置
公开(公告)号：WO2004055879A1
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：PCT/JP2003/015360
申请日：2003-12-01
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67017 , B08B7/00
摘要：本発明は、基板表面全体を効率的且つ均一に処理することができるオゾン処理装置に関し、このオゾン処理装置１は、基板Ｋを支持する支持装置と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、基板Ｋの上方に配設され、その周縁部に向けてオゾンガスを吐出する第１処理ガス供給ヘッド３０、及び周縁部以外の領域に向けてオゾンガスを吐出する第２処理ガス供給ヘッド２０と、第１及び第２処理ガス供給ヘッド３０，２０にオゾンガスをそれぞれ供給するガス供給装置５２，５０とを備える。ガス供給装置５２，５０は、第２処理ガス供給ヘッド２０に供給するオゾンガスに比べて高オゾン濃度のオゾンガスを第１処理ガス供給ヘッド３０に供給する。
摘要翻译：公开了一种用于有效且均匀地处理基板的整个表面的臭氧处理装置。该臭氧处理装置（1）包括用于支撑基板（K）的基板支撑单元，用于加热基板（K）的加热单元，布置在基板（K）上方用于排出的第一处理气体供给头（30）在基板的周边部分上的臭氧气体，设置在基板（K）的上方，用于将臭氧气体排放到基板的其他部分上的第二处理气体供给头（20），以及气体供给单元（52,50）分别将臭氧气体进料到第一和第二处理气体供给头（30,20）中。气体供给单元（52,50）供应臭氧气体，使得第一处理气体供给头（30）被供给臭氧浓度高于供给到第二处理气体供给头（20）中的臭氧气体的臭氧浓度的臭氧气体，。

6. 发明申请

WO2004030067A1 オゾン処理装置审中-公开
标题翻译：臭氧加工设备
公开(公告)号：WO2004030067A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012112
申请日：2003-09-22
申请人：住友精密工業株式会社 , 菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
发明人：菊池辰男 , 山中健夫 , 山口征隆 , 金山登紀子
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/452 , H01L21/02054 , H01L21/67017
摘要：　本発明は、基板表面をムラなく効率的に処理することができるオゾン処理装置に関する。オゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、オゾンを含んだ処理ガスが流通する処理ガス流路３２及び冷却流体が流通する冷却流体流路を有するヘッド本体３１、ヘッド本体３１の下面に固設され、処理ガス流路３２と連通し且つ基板Ｋ上面に向けて開口した処理ガス吐出路を有するノズル体４０を具備した処理ガス供給ヘッド３０と、処理ガス流路３２に処理ガスを供給するガス供給装置と、冷却流体流路に冷却流体を供給，循環させる冷却流体循環装置とを備え、ヘッド本体３１とノズル体４０との間に断熱部材が介装される。断熱部材によりヘッド本体３１から断熱されたノズル体４０は、逆に加熱装置によって加熱され、ノズル体４０内を流通する処理ガスはその一部が熱分解した状態で吐出される。
摘要翻译：一种能够均匀且有效地处理基板表面的臭氧处理装置（1），包括用于在其上装载基板（K）的装载台（20），用于加热基板（K）的加热装置，处理气体进给头（30），具有头部主体（31），所述头部主体（31）具有用于使含有臭氧的工艺气体流过的工艺气体流动通道（32）和用于使冷却流体流过的冷却流体流路和固定地安装在下部的喷嘴体（40）头部本体（31）的表面与处理气体流路（32）连通，并且具有朝向基板（K）的上表面的处理气体排出通道开口，用于将处理气体供给到工作气体流路（32），以及冷却流体循环装置，其用于将冷却流体供给并循环到冷却流体流路中，其特征在于，在所述头主体（31）与所述喷嘴体（40）之间设置绝缘部件，。相反，通过加热装置加热绝热部件与头部本体（31）绝缘的扎带体（40），并且在喷嘴体（40）中循环的处理气体部分地以热分解状态排出。

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