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1. 发明申请

WO2011089918A1 注入同期型分周器及びＰＬＬ回路审中-公开
标题翻译：注射锁频分频器和PLL电路
公开(公告)号：WO2011089918A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：PCT/JP2011/000317
申请日：2011-01-21
申请人：パナソニック株式会社 , 嶋高広 , 佐藤潤二 , 小林真史
发明人：嶋高広 , 佐藤潤二 , 小林真史
IPC分类号： H03K3/354 , H03K3/03 , H03K27/00 , H03L7/08 , H03L7/10
CPC分类号： H03K3/2885 , H03L7/08
摘要：　寄生容量の影響を小さくすることができ、動作周波数が広帯域な注入同期型分周器及びＰＬＬ回路を提供すること。注入同期型分周器（１００）は、ＮチャネルＭＯＳ型トランジスタ（１１１）とＰチャネルＭＯＳ型トランジスタ（１１２）から構成される第１増幅回路（１４１）と、同様な構成の第２増幅回路１４２と第３増幅回路（１４３）とをリング状に３段縦続接続したリング発振器１４０と、各段のＮチャネルＭＯＳ型トランジスタ（１１１，１２１，１３１）のソースがドレインに接続されたＮチャネルＭＯＳ型トランジスタ１５０と、各段のＰチャネルＭＯＳ型トランジスタ（１１２，１２２，１３２）のゲートに注入信号Ｉ１を注入し、かつＮチャネルＭＯＳ型トランジスタ（１５０）のゲートに注入信号Ｉ１の逆相信号を差動信号として注入する差動信号注入回路（１６０）とを備える。
摘要翻译：公开了一种PLL电路和注入锁定分频器，其可以减小寄生电容的影响，并且其中工作频率是宽带的。注入锁定分频器（100）设置有：由N沟道MOS晶体管（111）和P沟道MOS晶体管（112）构成的第一放大电路（141）。环形振荡器（140），其中具有相似配置的第二放大电路（142）和第三放大电路（143）具有环形三级串联连接; N沟道MOS晶体管（150），其中每级的N沟道MOS晶体管（111,121,131）的源极连接到其漏极; 以及向每级的P沟道MOS晶体管（112,122,132）的栅极注入注入信号（I1）并将注入信号的反相信号注入的差分信号注入电路（160） I1）作为到N沟道MOS晶体管（150）的栅极的差分信号。

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