专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010103760A1 アクセスモジュール、情報記録モジュール、コントローラ、及び情報記録システム审中-公开
标题翻译：访问模块，信息记录模块，控制器和信息记录系统
公开(公告)号：WO2010103760A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/JP2010/001510
申请日：2010-03-04
申请人：パナソニック株式会社 , 前田卓治 , 外山昌之 , 井上学 , 本多利行
发明人：前田卓治 , 外山昌之 , 井上学 , 本多利行
IPC分类号： G06F12/00 , G06F3/06 , G06F3/08
CPC分类号： G06F3/0643 , G06F3/0613 , G06F3/0679
摘要：　情報記録モジュールの不揮発性メモリをファイルシステムにより領域管理する場合において、複数ファイルを並行して書き込む際の処理を高速化し、安定してファイルデータを書き込む方法を提供する。アクセスモジュール（１）は、ディレクトリエントリの格納位置に関する情報を情報記録モジュール（２）に通知する手段（１０４）を備えると共に、ファイル終端等の半端データを書き込む際にファイルデータをパディングして情報記録モジュール（２）に書き込む手段（１０５）を備える。情報記録モジュール（２）は、前記通知された情報を元にディレクトリエントリの書き込みであることを認識すると、専用の物理ブロックにディレクトリエントリを格納する。更にアクセスモジュール（１）が複数ファイルのデータを必要に応じてパディングしながら所定の記録処理単位サイズの倍数長単位で連続したアドレスに記録する。
摘要翻译：提供了一种当文件系统管理信息记录模块的非易失性存储器的区域时，通过加速并行写入多个文件的数据的处理来稳定地写入文件数据的方法。访问模块（1）配备有用于将与目录条目的存储位置相关的信息通知给信息记录模块（2）的装置（104），以及用于将文件数据写入信息的装置（105）记录模块（2），当写入诸如文件结束的奇数据时填充。在基于所通知的信息识别目录条目的情况下，信息记录模块（2）将目录条目存储在专用物理块中。此外，访问模块（1）在按照预定的记录单位尺寸的多个长度的单位的连续地址中根据需要在填充期间记录多个文件的数据。

2. 发明申请

WO2005103903A1 不揮発性記憶システム审中-公开
标题翻译：非易失存储系统
公开(公告)号：WO2005103903A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/007213
申请日：2005-04-14
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 辻田昭一 , 前田卓治 , 井上信治 , 井上学 , 外山昌之 , 坂井敬介
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 辻田昭一 , 前田卓治 , 井上信治 , 井上学 , 外山昌之 , 坂井敬介
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F3/0643 , G06F3/0613 , G06F3/0679
摘要：　ファイルシステム制御部１５５Ａがファイルデータを主記憶メモリ１４２に書き込む際、ファイルデータとディレクトリエントリを異なるアロケーションユニットに書き込むことにより、ファイルを連続書き込みしやすくなると共に、ディレクトリエントリの更新時にファイルのコピー回数を少なくできる。こうすれば消去単位である物理ブロックサイズがクラスタサイズより大きい不揮発性メモリを使用した場合であっても、書き込みパフォーマンスを向上させることができる。
摘要翻译：当文件系统控制单元（155A）将文件数据写入主存储器（142）时，通过以不同的分配单位写入文件数据和目录条目，可以容易地连续写入文件并减少复制次数的文件更新目录条目。因此，即使使用具有大于集群大小的擦除单位的具有物理块大小的非易失性存储器，也可以提高写入性能。

3. 发明申请

WO2009001529A1 プラズマディスプレイパネル駆動装置及びプラズマディスプレイ审中-公开
标题翻译：等离子显示面板驱动装置和等离子显示器
公开(公告)号：WO2009001529A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/001588
申请日：2008-06-19
申请人：パナソニック株式会社 , 森田竜夫 , 柳原学 , 石田秀俊 , 上本康裕 , 井上学
发明人：森田竜夫 , 柳原学 , 石田秀俊 , 上本康裕 , 井上学
IPC分类号： G09G3/28 , G09G3/20 , G09G3/288 , H04N5/66
CPC分类号： G09G3/294 , G09G3/2965
摘要：　プラズマディスプレイパネル駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの電極に印加する駆動パルスを生成する電極駆動部を備えている。電極駆動部は複数のスイッチを有し、複数のスイッチのうちの少なくとも１つは、デュアルゲート半導体素子を用１０いたスイッチ素子である。デュアルゲート半導体素子１０は、基板１１の上に形成され、窒化物半導体又は炭化珪素からなる半導体で構成された半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極１６及びドレイン電極１７と、ソース電極１６とドレイン電極１７との間に、ソース電極１６側から順に形成された、第１のゲート電極１８Ａ及び第２のゲート電極１８Ｂとを有する。
摘要翻译：公开了一种等离子体显示面板驱动装置，其包括用于产生施加到等离子体显示面板的电极的驱动脉冲的电极驱动单元。电极驱动单元具有多个开关，并且至少一个开关是使用双栅极半导体器件（10）的开关器件。双栅极半导体器件（10）包括形成在基板（11）上并由氮化物半导体或碳化硅半导体构成的半导体多层体（13），源电极（16）和漏电极（17）所述半导体层叠体（13）彼此间隔一定距离，以及从所述源电极（16）与所述源电极（16）之间的所述源电极（16）侧依次形成的第一栅电极（18A）和第二栅电极（18B）漏电极（17）。

4. 发明申请

WO2009011136A1 プラズマディスプレイパネルの駆動装置、駆動方法およびプラズマディスプレイ装置审中-公开
标题翻译：用于驱动等离子体显示面板的装置和方法以及等离子体显示装置
公开(公告)号：WO2009011136A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/001937
申请日：2008-07-18
申请人：パナソニック株式会社 , 倉貫正明 , 永木敏一 , 井上学 , 阪口知久 , 大平一雄
发明人：倉貫正明 , 永木敏一 , 井上学 , 阪口知久 , 大平一雄
IPC分类号： G09G3/28 , G09G3/20 , G09G3/288 , H04N5/66
CPC分类号： H04N5/66 , G09G3/2022 , G09G3/294 , G09G3/296 , G09G3/2965 , G09G2310/0289 , G09G2310/066 , G09G2330/025 , G09G2330/028 , G09G2330/045
摘要：　走査ＩＣは、スイッチ回路および論理回路を備える。スイッチ回路は、第１および第２のトランジスタおよびレベルシフト回路を含む。論理回路の入力端子には、論理“１”および論理“０”に変化する第１および第２の制御信号が与えられる。論理回路は、与えられた第１および第２の制御信号に基づいて第１のトランジスタに第３の制御信号を与え、第２のトランジスタに第４の制御信号を与える。論理回路の入力端子には、検出回路が接続される。検出回路により、走査ＩＣの異常が検出される。
摘要翻译：扫描IC设置有开关电路和逻辑电路。开关电路包括第一和第二晶体管和电平移位电路。向逻辑电路的输入端子提供变为逻辑“1”和逻辑“0”的第一和第二控制信号。逻辑电路基于给定的第一和第二控制信号向第一晶体管提供第三控制信号，并向第二晶体管提供第四控制信号。检测电路连接到逻辑电路的输入端。检测电路检测出扫描IC的异常。

5. 发明申请

WO2006104036A1 記憶装置审中-公开
标题翻译：储存设备
公开(公告)号：WO2006104036A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/305964
申请日：2006-03-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 外山昌之 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学
发明人：外山昌之 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G06F11/1441
摘要：　記憶装置１００の制御部１６０は、ホスト機器１１０から書き込みの終了コマンド又はあらかじめ書き込むべきデータ量が送られてきたことを検出すると、書き込みに必要な制御情報を制御情報退避メモリ１４２に退避する。又書き込みが完了していないデータをデータバッファ１５１からバッファ退避メモリ１５２に退避する。そしてホスト機器１１０に対してビジー状態を解除する。そして退避したデータを記憶媒体１２０に書き込む。書き込みが完了するまでに電源が遮断されても、次に電源が投入されたときに退避したデータを用いて記憶媒体１２０に書き込むことができる。
摘要翻译：当存储装置（100）的控制单元（160）检测到从主机（110）发送了写入结束命令或预先写入的数据量时，控制单元（160）保存所需的控制信息用于写入控制信息保存存储器（142）。控制单元（160）还将数据写入不完整的数据从数据缓冲器（151）保存到缓冲存储器（152）中，并释放主机设备（110）的忙状态。控制单元（160）将保存的数据写入存储介质（120）。即使通过写入完成电源关闭，当下一次接通电源时，通过使用保存的数据也可以对存储介质（120）进行写入。

6. 发明申请

WO2006098212A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法审中-公开
标题翻译：存储器控制器，非易失性存储设备，非易失存储系统和数据写入方法
公开(公告)号：WO2006098212A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304584
申请日：2006-03-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 中村穣 , 外山昌之 , 五寶靖 , 岩成俊一 , 加藤剛久 , 井上学
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 中村穣 , 外山昌之 , 五寶靖 , 岩成俊一 , 加藤剛久 , 井上学
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F3/0656 , G06F3/0613 , G06F3/0619 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203
摘要：　不揮発性記憶装置はクラスタサイズよりイレーズサイズが大きい不揮発性の主記憶メモリ１１４と、不揮発性の補助記憶メモリであるバッファ１０６とを備える。メモリへのデータ書き込み時には、データを一時的にバッファ１０６に記憶し、その後、バッファ１０６内の複数のデータをまとめて取り出した上で主記憶メモリ１１４に記憶する。元のブロックのデータは主記憶メモリの書き込み用のブロックに退避する。こうすればデータを主記憶メモリ１１４に高速に書き込むことができる。
摘要翻译：非易失性存储装置具有擦除大小大于簇大小的非易失性主存储存储器（114）和缓冲器（106），即非易失性辅助存储存储器。在将数据写入存储器时，将数据临时存储在缓冲器（106）中，然后将缓冲器（106）中的多个数据集中取出以存储在主存储器（114）中。原始块中的数据保存在主存储器中的写入块中。因此，可以高速地将数据写入主存储存储器（114）。

7. 发明申请

WO2007023674A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法审中-公开
标题翻译：存储器控制器，非易失性存储器，非易失性存储器系统以及写入数据的方法
公开(公告)号：WO2007023674A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/315725
申请日：2006-08-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 外山昌之 , 井上学 , 中垣浩文
发明人：中西雅浩 , 外山昌之 , 井上学 , 中垣浩文
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/102 , G11C16/105 , G11C29/00
摘要：　不揮発性記憶装置は複数ページに跨って同一のメモリセルを構成する不揮発性メモリと、メモリコントローラとを有する。ページ情報指示部は不揮発性メモリのページ構造情報を有し、この情報に基づき関係ページ特定部がデータが変化する可能性のあるページ（関係ページ）を特定する。エラー発生前に関係ページに記憶されていた関係データを退避メモリに一時保持させ、エラーがあればこの関係データを用いて、変化したデータを修復する。こうすれば複数ページに跨って同一のメモリセルを構成する不揮発性メモリを使用する記憶装置において、データの書き込み中にエラーが発生してもエラーを修復して信頼性を確保できる。
摘要翻译：非易失性存储器包括非易失性存储器和存储器控制器。非易失性存储器包括跨多页的相同存储单元。页面信息指示单元具有非易失性存储器的页面结构信息。根据该信息，相关页面指定单元指定数据可能改变的页面（相关页面）。存储在相关页面中的关系数据在错误发生之前临时存储到备份存储器中，并且如果发现错误，则这些关系数据用于修复已经改变的数据。通过这种方法，在使用包含多个页面中的相同存储单元的非易失性存储器的存储器中，即使在写入数据时发生错误，也可以修复错误并且可靠性得到确保。

8. 发明申请

WO2007105688A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システム审中-公开
标题翻译：存储控制器，非易失性存储设备和非易失存储系统
公开(公告)号：WO2007105688A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/JP2007/054828
申请日：2007-03-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 外山昌之 , 中村穣 , 五寳靖 , 松浦正則 , 井上学 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 岩成俊一 , 徳光伸一
发明人：中西雅浩 , 外山昌之 , 中村穣 , 五寳靖 , 松浦正則 , 井上学 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 岩成俊一 , 徳光伸一
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7203
摘要：　論理セクタＬＳ０～ＬＳ３の書き換え処理において、転送されたＬＳ０～ＬＳ３のデータをメモリバッファ１２２に一時記憶しておき、バッファメモリ１２２がフルとなった時点でフラッシュメモリ１３０に書き込む。外部からの最小書き込み単位（セクタ）よりも容量の大きい書き込み単位（ページ）を備えたフラッシュメモリへの書き換え処理において、退避処理を削減し、データの書き換えを高速に行う。これにより、セクタ単位での書き換え時において発生していた、旧データの退避処理を合理化することができ、データの書き換え速度を向上できる。
摘要翻译：在逻辑扇区（LS0〜LS3）的重写处理中，传送的LS0〜LS3中的数据被暂时存储在存储缓冲器（122）中。当缓冲存储器（122）变满时，数据被写入闪速存储器（130）。在具有从外部具有大于最小写入单位（扇区）的容量的写入单元（页面）的闪速存储器中，可以减少保存处理并增加数据重写速度。因此，可以使在扇区单元中重写时引起的旧的数据保存处理合理化，并且增加数据重写速度。

9. 发明申请

WO2006093201A1 メモリモジュール、メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリの読み書き方法审中-公开
标题翻译：存储器模块，存储器控制器，非存储存储器，非易失存储系统和存储器读/写方法
公开(公告)号：WO2006093201A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303899
申请日：2006-03-01
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
IPC分类号： G06F12/16 , G06F12/00 , G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0638 , G06F11/1666 , G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：　破壊読み出し型の不揮発性ＲＡＭを備える記憶装置において、不揮発性ＲＡＭのデータ読み出しに起因する書き戻しの回数を減少させ、記憶装置全体の寿命を長くする。破壊読み出し型の不揮発性ＲＡＭならびに揮発性ＲＡＭを有し、該不揮発性ＲＡＭと揮発性ＲＡＭとに同一のデータが記憶されていている記憶装置において、リード時には揮発性ＲＡＭからデータを読み出し、ライト時には揮発性ＲＡＭと不揮発性ＲＡＭとの両方にデータを書き込むようにする。
摘要翻译：具有破坏性读取类型的非易失性RAM的存储器。归因于从非易失性RAM读取的数据的恢复数量减少，并且存储器的总体寿命延长。在具有破坏性读取类型的非易失性RAM和易失性RAM并且在非易失性和易失性RAM中保持相同数据的存储器中，从易失性RAM读出数据，并将数据写入到易失性和非易失性RAM中。

10. 发明申请

WO2006067923A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム及びメモリ制御方法审中-公开
标题翻译：内存控制器，非易失存储器，非易失存储系统和存储器控制方法
公开(公告)号：WO2006067923A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/021119
申请日：2005-11-17
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1441 , G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：　不揮発性の補助記憶メモリ１０７に物理領域管理テーブル１０５とポインタテーブル１０６を記憶させる。論理物理変換テーブル１０８を主記憶メモリ１４０に更新する（書き戻す）際、ポインタテーブルにより書き戻し先を再配置的に決定することにより、主記憶メモリ１４０の書き換え集中を回避する。またデータ等を主記憶メモリ１４０に書き込んだ直後に、物理領域管理テーブル１０５上の物理ブロックの状態を更新することにより、電源遮断が生じても当該データが有効であるかどうかを確実に判断することができる。
摘要翻译：物理区域管理表（105）和指针表（106）被存储在非易失性辅助存储存储器（107）中。当在主存储器（140）中更新（恢复）逻辑物理转换表（108）时，由指针表以重新排列的方式确定恢复区域，以避免重写集中在主存储器（140）上）。在将数据写入主存储器（140）之后，物理区域管理表（105）的物理块的状态立即被更新。因此，即使发生电力中断，也可以可靠地判断数据是否有效。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式