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1. 发明申请

WO2008102610A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システム审中-公开
标题翻译：存储控制器，非易失性存储设备和非易失存储系统
公开(公告)号：WO2008102610A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/051256
申请日：2008-01-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 笠原哲志 , 菅井長史 , 森博範 , 真木晋弘 , 田村和明
发明人：中西雅浩 , 笠原哲志 , 菅井長史 , 森博範 , 真木晋弘 , 田村和明
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/00 , G06K19/07
CPC分类号： G06F12/0246
摘要：　不揮発性記憶装置は複数のメモリコントローラを有し、夫々のメモリコントローラに集約処理部と集約同期部とを設ける。集約処理部は集約同期部からの信号に基づいて前記テンポラリ物理ブロックの有効データを他の物理ブロックに集約する。集約同期部は一方のメモリコントローラで集約処理が必要な場合に同期信号を他方のメモリコントローラに送出し、他方のメモリコントローラについても集約処理を同時に行う。こうすれば複数のメモリコントローラを有する不揮発性記憶装置において、集約処理に要する時間を短くでき、高速で書き込み処理を行うことができる。
摘要翻译：非易失性存储装置包括多个存储器控制器。每个控制器具有集成处理单元和集成同步单元。根据来自积分同步单元的信号，积分处理单元将临时物理块中的有效数据集成到其他物理块中。当其中一个存储器控制器需要集成处理时，积分同步单元向另一存储器控制器发送同步信号，从而同时对其它存储器控制器执行积分处理。因此，在具有多个存储控制器的非易失性存储装置中，可以减少集成处理所需的时间并高速地执行写入处理。

2. 发明申请

WO2006093201A1 メモリモジュール、メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリの読み書き方法审中-公开
标题翻译：存储器模块，存储器控制器，非存储存储器，非易失存储系统和存储器读/写方法
公开(公告)号：WO2006093201A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303899
申请日：2006-03-01
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
IPC分类号： G06F12/16 , G06F12/00 , G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0638 , G06F11/1666 , G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：　破壊読み出し型の不揮発性ＲＡＭを備える記憶装置において、不揮発性ＲＡＭのデータ読み出しに起因する書き戻しの回数を減少させ、記憶装置全体の寿命を長くする。破壊読み出し型の不揮発性ＲＡＭならびに揮発性ＲＡＭを有し、該不揮発性ＲＡＭと揮発性ＲＡＭとに同一のデータが記憶されていている記憶装置において、リード時には揮発性ＲＡＭからデータを読み出し、ライト時には揮発性ＲＡＭと不揮発性ＲＡＭとの両方にデータを書き込むようにする。
摘要翻译：具有破坏性读取类型的非易失性RAM的存储器。归因于从非易失性RAM读取的数据的恢复数量减少，并且存储器的总体寿命延长。在具有破坏性读取类型的非易失性RAM和易失性RAM并且在非易失性和易失性RAM中保持相同数据的存储器中，从易失性RAM读出数据，并将数据写入到易失性和非易失性RAM中。

3. 发明申请

WO2006067923A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム及びメモリ制御方法审中-公开
标题翻译：内存控制器，非易失存储器，非易失存储系统和存储器控制方法
公开(公告)号：WO2006067923A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/021119
申请日：2005-11-17
申请人：松下電器産業株式会社 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
发明人：中西雅浩 , 泉智紹 , 笠原哲志 , 田村和明 , 松野公則 , 井上学 , 外山昌之 , 真木晋弘
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1441 , G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：　不揮発性の補助記憶メモリ１０７に物理領域管理テーブル１０５とポインタテーブル１０６を記憶させる。論理物理変換テーブル１０８を主記憶メモリ１４０に更新する（書き戻す）際、ポインタテーブルにより書き戻し先を再配置的に決定することにより、主記憶メモリ１４０の書き換え集中を回避する。またデータ等を主記憶メモリ１４０に書き込んだ直後に、物理領域管理テーブル１０５上の物理ブロックの状態を更新することにより、電源遮断が生じても当該データが有効であるかどうかを確実に判断することができる。
摘要翻译：物理区域管理表（105）和指针表（106）被存储在非易失性辅助存储存储器（107）中。当在主存储器（140）中更新（恢复）逻辑物理转换表（108）时，由指针表以重新排列的方式确定恢复区域，以避免重写集中在主存储器（140）上）。在将数据写入主存储器（140）之后，物理区域管理表（105）的物理块的状态立即被更新。因此，即使发生电力中断，也可以可靠地判断数据是否有效。

4. 发明申请

WO2007010829A1 不揮発性記憶装置、メモリコントローラ及び不良領域検出方法审中-公开
标题翻译：非易失存储器件，存储器控制器和缺陷区域检测方法
公开(公告)号：WO2007010829A1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：PCT/JP2006/313978
申请日：2006-07-13
申请人：松下電器産業株式会社 , 本多利行 , 真木晋弘 , 小来田重一
发明人：本多利行 , 真木晋弘 , 小来田重一
IPC分类号： G06F12/16
CPC分类号： G06F11/1068
摘要：　本発明は、フラッシュメモリ内で固定不良を発生した物理ブロックの使用を制限するために、当該物理ブロックを適確に検出することを目的とする。　ＥＣＣエラーレコードに、物理ブロックのエラーの発生履歴や、物理消去の履歴を記録し、発生したエラーが偶発的なものか、固定不良によるものかを判断する。最初の読出しエラー発生後、物理消去して書換えたデータでエラーが再発しないのなら最初のエラーは偶発的であり、なおエラーが発生するのであれば、固定不良によるエラーであると判断する。このようなＥＣＣエラーレコードを用いることで、偶発的なエラーか、固定不良によるエラーかを適確に判断できる。その判断にもとづき固定不良の物理ブロックを使わないことで、読出しエラーを低減させるという効果を生む。
摘要翻译：可以精确地检测在闪速存储器中造成夹具缺陷的物理块，从而限制物理块的使用。通过在ECC错误记录中记录生成物理块错误和物理擦除历史的历史，判断发生的错误是偶然的还是由固定缺陷引起的。在第一次读取错误发生后，在物理擦除重写的数据中没有引起错误时，第一个错误是偶然的，如果发生另一个错误，则判定该错误是由一个夹具缺陷引起的。通过使用这样的ECC错误记录，可以准确地判断误差是偶然的还是由夹具缺陷引起的。通过消除被认为具有夹具缺陷的物理块的使用，可以减少读取错误。

5. 发明申请

WO2007000862A1 メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法审中-公开
标题翻译：存储器控制器，非易失存储器件，非易失性存储系统和数据写入方法
公开(公告)号：WO2007000862A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2006/310323
申请日：2006-05-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上学 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 森博範 , 真木晋弘 , 本多利行
发明人：井上学 , 中西雅浩 , 泉智紹 , 森博範 , 真木晋弘 , 本多利行
IPC分类号： G06F12/16 , G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246
摘要：　メモリセルが複数のページのデータを保持する多値ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを用いる。不揮発性メモリ１１０にデータを書き込む際に、対になった複数のページ単位で物理ユニットを構成する。物理ユニットの全てに書き込めないときに、既に書き込まれている有効なデータを保持する旧物理ブロックからデータをコピーして、新物理ブロックに物理ユニットの終了まで書き込む。これにより次にデータを書き込むときに、新たな物理ユニットの最初から書き込むことができ、エラーを防ぐことができる。
摘要翻译：使用的是非易失性存储器，例如具有用于保持多页数据的存储单元的多值NAND闪速存储器。当将数据写入非易失性存储器（110）时，以多个成对页面的单位构成物理单元。当所有物理单元都不能被写入时，数据从保存已经写入的有效数据的旧物理块复制，并被写入一个新的物理块直到物理单元结束。当下次写入数据时，可以从新的物理单元的第一个写入数据，从而可以防止错误。

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