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1. 发明申请

WO2002071561A1 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：基于氮化物的半导体激光器元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2002071561A1
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：PCT/JP2002/001838
申请日：2002-02-28
申请人：ソニー株式会社 , 山口恭司 , 小林高志 , 小林俊雅 , 喜嶋悟 , 冨岡聡 , 安斎信一 , 東條剛
发明人：山口恭司 , 小林高志 , 小林俊雅 , 喜嶋悟 , 冨岡聡 , 安斎信一 , 東條剛
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3072 , H01S5/3213 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： A nitride based semiconductor laser element (10) has a structure where a first contact layer (14), a first clad layer (16), an active layer (20), a second clad layer (24), a second contact layer (26), and a second electrode (30) are laid sequentially in layers. The second clad layer (24) comprises a lower layer (24A) and an upper layer (24B), the first contact layer (14), the active layer (20) and the lower layer (24A) of the second clad layer have a mesa structure, and the upper layer (24B) of the second clad layer and the second contact layer (26) have a ridge structure. Above a part of the lower layer (24A) of the second clad layer corresponding to the top face of the mesa structure, an insulation layer (40) is formed to cover the opposite side faces of the upper layer (24B) of the second clad layer at least partially and a metal layer (42) having a width substantially the same as that of the mesa structure is formed from the top face of the insulation layer (40) to the top face of the second electrode (30).
摘要翻译：氮化物基半导体激光元件（10）具有第一接触层（14），第一覆盖层（16），有源层（20），第二覆盖层（24），第二接触层（26））和第二电极（30）依次层叠。第二包层（24）包括下层（24A）和上层（24B），第二覆盖层的第一接触层（14），有源层（20）和下层（24A）具有台面结构，第二覆层和第二接触层（26）的上层（24B）具有脊结构。在对应于台面结构的顶面的第二包覆层的下层（24A）的一部分之上，形成绝缘层（40）以覆盖第二覆层的上层（24B）的相对侧面至少部分地形成具有与台面结构的宽度基本相同的宽度的金属层（42），从绝缘层（40）的顶面到第二电极（30）的顶面。

2. 发明申请

WO2002078069A1 窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2002078069A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002980
申请日：2002-03-27
申请人：ソニー株式会社 , 小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
发明人：小林俊雅 , 簗嶋克典 , 山口恭司 , 中島博
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544
摘要： A nitride semiconductor element which is so constituted as to be high in reliability and freedom of element design and manufacture, and which comprises seed crystal portions (11) formed on a sapphire substrate (10) and each having a mask (12) one side face thereof, and GaN layers (15) grown by a lateral-direction growth method on the sapphire substrate (10) and the seed crystal portions (11). Since a GaN layer (15) grows only from the side face, exposed and not covered by a mask (12), of a seed crystal portion (11), its lateral-direction growth progresses asymmerically and, therefore, a meeting portion (32) is formed to extent from near the interface between a seed crystal portion (11) and a mask (12) in a GaN layer (15) thickness direction. A meeting portion (32) formed in a position deviated in parallel to the substrate surface from the center between adjacent seed crystal portions (11) provides a structure in which the width W>L P
摘要翻译：一种氮化物半导体元件，其构造为具有高的元件设计和制造的可靠性和自由度，并且包括形成在蓝宝石衬底（10）上并且每个具有掩模（12）的晶圆部分（11），一个侧面以及在蓝宝石衬底（10）和晶种部分（11）上通过横向生长方法生长的GaN层（15）。由于氮化镓层（15）仅从种子晶体部分（11）的侧面露出并未被掩模（12）覆盖，所以其横向生长过程非均匀地进行，因此会聚部分（32））形成为在GaN层（15）厚度方向上靠近晶种部分（11）和掩模（12）之间的界面的程度。形成在与相邻晶种部分（11）之间的中心平行于基板表面的位置的会合部分（32）提供了一种结构，其中横向方向生长区域的宽度W> L>相对于种子晶体部分（11）的间距W> P <大于常规结构。

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