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热词
    • 1. 发明申请
    • 短パルス光源、レーザ光出射方法、光学装置、光ディスク装置及び光ピックアップ
    • 短脉冲光源,激光发光方法,光学器件,光盘设备和光拾取
    • WO2010035814A1
    • 2010-04-01
    • PCT/JP2009/066714
    • 2009-09-16
    • ソニー株式会社藤田 五郎
    • 藤田 五郎
    • G11B7/125
    • H01S5/06216B82Y10/00G11B7/00451G11B7/126G11B2007/0009H01S5/0014H01S5/0428
    •  本発明は、半導体レーザのパルス出力を制御することができる。  本発明は、短パルス光源(1)は、半導体レーザ(3)にパルス状の駆動電圧パルス(DJw)でなるレーザ駆動電圧(DJ)を半導体レ-ザ(3)に対して印加することにより、パルス状の特異ピーク(APK)と当該特異ピーク(APK)と比して出射光強度の小さい特異スロープ(ASP)とからなる特異出力光(LAp)をレーザ光(LL)として半導体レーザ(3)から出射させる。短パルス光源(1)は、設定パルス(SLs)のパルス幅(Ws)の設定によって駆動電圧パルス(DJw)のパルス幅である電圧パルス半値幅(Thalf)を制御することにより、特異ピ一ク(APK)と特異スロープ(ASP)との割合を調整する。
    • 短脉冲光源,激光发射方法,光学装置,光盘装置和光拾取器能够控制半导体激光器的脉冲输出。 短脉冲光源(1)发射由具有小于异常峰值(APK)的发射光强度的异常峰值(APK)和异常斜率(ASP)的脉冲组成的异常输出光(LAp)作为激光 通过将由驱动电压脉冲(DJw)的脉冲组成的激光驱动电压(DJ)施加到半导体激光器(3),从半导体激光器(3)的光(LL)。 短脉冲光源(1)通过将设定脉冲(SLs)的脉冲宽度(Ws)设置为控制电压脉冲半宽度(Thalf)来调整异常峰值(APK)与异常斜率(ASP)的比例, 这是驱动电压脉冲(DJw)的脉冲宽度。
    • 4. 发明申请
    • 光磁気情報記録媒体の熱処理判定方法および熱処理判定装置
    • 磁光记录介质热处理判定方法及热处理判定装置
    • WO2005024816A1
    • 2005-03-17
    • PCT/JP2004/012244
    • 2004-08-19
    • ソニー株式会社田中 靖人三木 剛坂本 哲洋藤田 五郎藤家 和彦
    • 田中 靖人三木 剛坂本 哲洋藤田 五郎藤家 和彦
    • G11B11/105
    • G11B11/10582
    • LD11からのレーザ光は、熱処理のために所定のパワーで光磁気ディスク33に照射される。また、当該熱処理後、その熱処理がされた領域に、熱処理時のパワーより小さいパワーのレーザ光が照射される。当該小さいパワーのレーザ光の反射光は、光検出器24、26に入射され、それぞれP波、S波の反射光量を検出する。差動検出回路27は、上記P波、S波の反射光量を元に、熱処理が行われた領域に対応する光磁気信号のレベルを検出する。コントローラ28は、差動検出回路28により検出された光磁気信号のレベルが、許容範囲内であるかどうかを判定し、範囲外である場合は、熱処理を行うレーザ光のパワーを調整し、光磁気ディスクの処理を中止し、あるいはその旨のメッセージを表示等する。
    • 对于热处理,使用来自LD(11)的预定功率的激光束照射磁光盘(33)。 在热处理之后,用热处理功率低的激光束照射进行热处理的区域。 较小功率激光束的反射光入射到光学传感器(24,26)上,并检测P波和S波的反射光强度。 使用P波和S波的反射光强度,差分检测电路(27)检测对应于进行热处理的区域的磁光信号的电平。 控制器(28)判断由检测电路(28)检测到的磁光信号电平是否在容许范围内。 如果在该范围之外,调整用于热处理的激光束功率,则停止磁光盘处理,或者显示表示度量的消息。
    • 5. 发明申请
    • バイオアッセイ用基板と基板情報読み取り装置及び基板情報読み取り方法
    • 生物传播基础,基板信息读取器和基板信息读取方法
    • WO2004025296A1
    • 2004-03-25
    • PCT/JP2003/011082
    • 2003-08-29
    • ソニー株式会社藤田 五郎
    • 藤田 五郎
    • G01N33/53
    • G01N35/00029G01N21/6428G01N21/6452G01N2035/0493
    •  試料物質を任意の反応領域部位に効率良くかつ的確に配置又は滴下すできるとともに、任意の反応領域部位におけるハイブリタイゼーション等の相互反応作用を的確に検出することができるバイオアッセイ用基板。光学的に記録情報の読み取りが可能とされ、検出用物質(D)と標的物質(T)との相互反応作用の場を提供する反応領域(21b)を少なくとも備えるデータ検出領域(21)、並びに前記データ検出領域(21)と重なり合わない領域に形成され、前記データ検出領域(21)の位置情報を光学的に提供するサーボ領域(22)、これらの領域(21),(22)を備える検出部(2)が設けられた基板(1)等を提供する。
    • 用于生物测定的基板,其上可以有效地将任何反应区域部分上适当地放置或滴下标本物质,以充分检测任意反应区域部分中的杂交等相互作用。 基板(1)包括具有数据检测区域(21)的检测单元(2),所述数据检测区域至少包括反应区域(21b),用于提供检测用物质(D)和目标物质 T)和形成在与数据检测区域(21)不重叠的区域中并用于光学地提供关于数据检测区域(21)的位置信息的伺服区域(22)。
    • 8. 发明申请
    • 記録装置、記録方法、ディスク製造方法、光ディスク記録媒体
    • 记录装置,记录方法,光盘制造方法和光盘记录介质
    • WO2006126404A1
    • 2006-11-30
    • PCT/JP2006/309512
    • 2006-05-11
    • ソニー株式会社藤田 五郎三木 剛下馬 隆司芦崎 浩二中倉 雅人
    • 藤田 五郎三木 剛下馬 隆司芦崎 浩二中倉 雅人
    • G11B7/0045
    • G11B7/00452G11B7/006G11B7/268
    •  光ディスク記録媒体に対し所定のレーザパワーによりレーザ光を照射して上記基板を隆起状に変形させる。基板が隆起状に変形されることで、基板に積層された反射膜としても隆起状に変形し、その隆起状の変形の態様によりピット部分についてはランド部分と同等の再生信号レベルが得られるようにすることができる。また、ランドについてはピット部分と同等の再生信号レベルが得られるようにすることができる。このとき、上記隆起状の変形態様は照射するレーザ光のパワーによって制御可能となるので、これらピットのランド化、ランドのピット化はレーザパワーの設定により行うことができる。これにより、基板上に形成されたピット及びランドの組み合わせによってデータが記録される光ディスク記録媒体について、記録データの書換を可能とする。
    • 通过用激光束以规定的激光功率照射光盘记录介质,使基板变形为凸状。 当衬底变形成凸起形状时,层压在衬底上的反射膜也变形为凸起形状,并且通过凸起的实施例可以在凹坑部分获得与脊部相同的再现信号电平 形变。 可以在地面上获得与凹坑部分相当的再现信号电平。 此时,由于可以通过施加的激光束的功率来控制升高的变形实施例,所以可以通过设置激光功率将凹坑制成平台,并且可以将凹坑制成凹坑。 因此,可以在光盘记录介质中重写记录数据,其中通过在基板上形成的凹坑和焊盘的组合来记录数据。