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1. 发明申请

WO2006106572A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2006106572A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2005/006267
申请日：2005-03-31
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 渡邊喜治
发明人：渡邊喜治
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0466 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11807
摘要：　本発明の半導体装置は、半導体基板（３０）上に形成されたゲート電極（１８）と、該ゲート電極（１８）の両側に形成されたソース・ドレイン領域（１０、１２、１４、１６）と、前記ゲート電極（１８）と前記半導体基板（３０）の間に形成された電荷蓄積層（３８）とを具備するトランジスタ（１１、１３１５、１７）を複数有し、隣り合うトランジスタの各々１の前記ドース・ドレイン領域が直列に接続され、前記複数のトランジスタが閉ループを形成する半導体装置である。本発明によれば、回路機能を不揮発的に再構成可能な論理回路であり、回路設計上の選択性が広く設計効率がよく、不揮発性メモリを同一チップで製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
摘要翻译：半导体器件设置有多个晶体管（11,13,15,17），其具有形成在半导体衬底（30）上的栅电极（18），源极/漏极区域（10,12,14,16）形成在栅电极（18）的两侧，以及形成在栅电极（18）和半导体基板（30）之间的电荷累积层（38）。相邻晶体管的源极/漏极区域串联连接，并且多个晶体管形成闭环。半导体器件是可以以非易失性方式重新配置电路功能的逻辑电路，在电路设计中具有广泛的选择性和优异的设计效率，并允许在同一芯片中制造非易失性存储器。

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